【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造，特別涉及一種計算銅電鍍中洗邊間距的方法。
技術介紹
1、在集成電路的制造中，由于電流需要在芯片內部的不同部件之間流動，因此需要導線連接這些不同的部件。而隨著芯片尺寸的不斷減小以及性能的不斷提高，銅逐漸取代鋁成為主流的導線材料。其中，形成銅導線的最關鍵步驟是電化學電鍍（ecp），ecp是在芯片表面沉積一層銅薄層，銅薄層中的銅被填充到微小的結構中，如晶格和孔洞，從而形成精密的銅導線。然而在這個過程中，可能在晶圓邊緣處形成不均勻的邊緣區域，從而造成金屬污染，影響后續工藝步驟。
2、為了解決以上問題，業內通常需要采用ebr（edge?bevel?removal，邊緣斜面去除）的洗邊工藝。ebr洗邊工藝通過ebr?nozzle（噴嘴）向晶圓邊緣噴吐化學溶劑，從而洗掉晶圓邊緣處的銅。在完成洗邊工藝之后需要對洗邊距離進行量測以衡量洗邊效果。
3、但是，對于ebr洗邊工藝后的量測通常采用兩種方式，方式一為需要專門的光學系統裝置進行測量，同時該裝置需要定期清潔、維護、校準和調整等，費時費力且成本高；方式二為通過長度測量工具進行人工量測，其存在測量誤差，且容易對晶圓造成二次污染。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于，提供一種無需專門的光學系統裝置的計算銅電鍍中洗邊間距的方法，可以降低成本且不影響測量結果。
2、為了解決以上問題，本專利技術提供一種計算銅電鍍中洗邊間距的方法，包括以下步驟：
3、提供一經過銅洗邊處理的晶圓，并獲
4、根據灰度亮度對每個所述圖片進行預處理，以鎖定每個所述采集位處的銅邊位置所在的第一目標區域，以及每個所述采集位處的晶邊位置所在的第二目標區域；
5、通過直線檢測在所述第一目標區域獲得每個所述采集位的銅洗邊位置所在直線，并在所述第二目標區域中獲得每個所述采集位的晶邊位置所在直線，并計算每個所述采集位的銅洗邊位置所在直線與晶邊位置所在直線之間的距離。
6、可選的，每個所述采集位對應一個圖片，所述圖片包括銅邊位置和晶邊位置。
7、進一步的，鎖定所述第一目標區域和第二目標區域的具體方法為：
8、測量每個所述采集位處的圖片的四個角落位置處的灰度亮度，在所述圖片的至少一個角落位置處的灰度亮度趨于灰度亮度最小值時，計算并找到每個所述圖片中亮度梯度變化最明顯的區域，以實現第一目標區域和第二目標區域的初步鎖定；
9、采用濾波操作及形態學運算對所述采集位處的圖片進行預處理，以鎖定所述第一目標區域和第二目標區域的范圍。
10、進一步的，在所述圖片的四個角落位置處的灰度亮度均趨于灰度亮度最大值時，判定洗邊嚴重不足，并發出洗邊不足警報。
11、進一步的，預處理的具體方法為：
12、對所述采集位處的圖片經過高斯模糊處理；
13、對所述采集位處的圖片進行膨脹、腐蝕，以通過膨脹將每個所述圖片中的物體輪廓擴張并得到膨脹圖片，同時通過腐蝕將所述圖片中的物體輪廓收縮以得到腐蝕圖片；
14、從所述膨脹圖片中減去腐蝕圖片。
15、進一步的，獲得每個所述采集位的銅洗邊位置所在直線以及每個所述采集位的晶邊位置所在直線的具體方法為：
16、對所述圖片進行超像素分割，并對超像素分割前后的所述圖片分別進行直線檢測，以找出所述第一目標區域中可能是銅洗邊位置的所有直線，以及所述第二目標區域中可能是晶邊位置的所有直線；
17、采用hough直線檢測融合方法將所述第一目標區域中超像素分割前后的部分直線分別合并，并將所述第二目標區域中超像素分割前后的部分分別直線合并；
18、將每個圖片在超像素分割前位于第一目標區域中的剩余直線與在超像素分割后位于第一目標區域中的剩余直線進行合并，將每個圖片在超像素分割前位于第二目標區域中的剩余直線與在超像素分割后位于第二目標區域中的剩余直線進行合并；
19、通過概率分別選取所述第一目標區域和第二目標區域中投票數最大的直線，以鎖定每個所述采集位的銅洗邊位置所在直線與晶邊位置所在直線。
20、可選的，每個所述采集位對應第一圖片和第二圖片，所述第一圖片包括銅邊位置，所述第二圖片包括晶邊位置。
21、進一步的，鎖定所述第一目標區域和第二目標區域的具體方法為：
22、測量每個采集位處的第一圖片和第二圖片的四個角落位置處的灰度亮度，在所述第一圖片或第二圖片的至少一個角落位置處的灰度亮度趨于灰度亮度最小值時，計算并找到每個采集位處的第一圖片和第二圖片中亮度梯度變化最明顯的區域的位置信息，以實現所述第一圖片的第一目標區域的初步鎖定以及所述第二圖片的第二目標區域的初步鎖定；
23、采用濾波操作及形態學運算對每個采集位處的第一圖片和第二圖片進行預處理，以鎖定所述第一圖片的第一目標區域的范圍以及所述第二圖片的第二目標區域的范圍。
24、進一步的，獲得每個所述采集位的銅洗邊位置所在直線以及晶邊位置所在直線的具體方法為：
25、對每個采集位處的第一圖片和第二圖片分別進行超像素分割，并對超像素分割前后的所述第一圖片進行直線檢測，以找出所述第一目標區域中可能是銅洗邊位置的所有直線；對超像素分割前后的所述第二圖片進行直線檢測，以找出所述第二目標區域中可能是晶邊位置的所有直線；
26、采用hough直線檢測融合方法在每個采集位處的第一圖片的所述第一目標區域中超像素分割前后的部分直線分別合并，同時將每個采集位處的第二圖片的第二目標區域中超像素分割前后的部分直線分別合并；
27、將每個采集位處的第一圖片在超像素分割前位于第一目標區域中的剩余直線，與每個采集位處的第一圖片在超像素分割后位于第一目標區域中的剩余直線進行合并；將每個采集位處的第二圖片在超像素分割前位于第二目標區域中的剩余直線，與每個采集位處的第二圖片在超像素分割后位于第二目標區域中的剩余直線進行合并；
28、通過概率分別選取所述第一目標區域和第二目標區域中投票數最大的直線，以鎖定每個所述采集位的銅洗邊位置所在直線與晶邊位置所在直線。
29、進一步的，計算每個所述采集位的銅洗邊位置所在直線與晶邊位置所在直線之間的距離之前具體包括：
30、將每個采集位處的第一圖片和第二圖片進行拼接，并在拼接后的圖片中計算每個所述采集位的銅洗邊位置所在直線與晶邊位置所在直線之間的間距以獲得洗邊間距。
31、與現有相比，本專利技術具有以下意想不到的技術效果：
32、本專利技術提供一種計算銅電鍍中洗邊間距的方法，包括以下步驟：提供一經過銅洗邊處理的晶圓，并獲得所述晶圓在晶邊處至少一個采集位的圖片；根據灰度亮度對每個所述圖片進行預處理，以鎖定每個所述采集位處的銅邊位置所在的第一目標區域，以及每個所述采集位處的晶邊位置所在的第二目標區域；通過直線檢測在所述第一目標區域獲得每個所述采集位的銅洗邊位置所在本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種計算銅電鍍中洗邊間距的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的計算銅電鍍中洗邊間距的方法，其特征在于，每個所述采集位對應一個圖片，所述圖片包括銅邊位置和晶邊位置。
3.如權利要求2所述的計算銅電鍍中洗邊間距的方法，其特征在于，鎖定所述第一目標區域和第二目標區域的具體方法為：
4.如權利要求3所述的計算銅電鍍中洗邊間距的方法，其特征在于，在所述圖片的四個角落位置處的灰度亮度均趨于灰度亮度最大值時，判定洗邊嚴重不足，并發出洗邊不足警報。
5.如權利要求3所述的計算銅電鍍中洗邊間距的方法，其特征在于，預處理的具體方法為：
6.如權利要求3所述的計算銅電鍍中洗邊間距的方法，其特征在于，獲得每個所述采集位的銅洗邊位置所在直線以及每個所述采集位的晶邊位置所在直線的具體方法為：
7.如權利要求1所述的計算銅電鍍中洗邊間距的方法，其特征在于，
8.如權利要求7所述的計算銅電鍍中洗邊間距的方法，其特征在于，鎖定所述第一目標區域和第二目標區域的具體方法為：
9.如權利要求7所述的計
10.如權利要求7所述的計算銅電鍍中洗邊間距的方法，其特征在于，計算每個所述采集位的銅洗邊位置所在直線與晶邊位置所在直線之間的距離之前具體包括：
...【技術特征摘要】
1.一種計算銅電鍍中洗邊間距的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的計算銅電鍍中洗邊間距的方法，其特征在于，每個所述采集位對應一個圖片，所述圖片包括銅邊位置和晶邊位置。
3.如權利要求2所述的計算銅電鍍中洗邊間距的方法，其特征在于，鎖定所述第一目標區域和第二目標區域的具體方法為：
4.如權利要求3所述的計算銅電鍍中洗邊間距的方法，其特征在于，在所述圖片的四個角落位置處的灰度亮度均趨于灰度亮度最大值時，判定洗邊嚴重不足，并發出洗邊不足警報。
5.如權利要求3所述的計算銅電鍍中洗邊間距的方法，其特征在于，預處理的具體方法為：
6.如權利要求3所述的計算...
【專利技術屬性】
技術研發人員：於慶紅，徐東東，胡周，張瀟，
申請(專利權)人：合肥晶合集成電路股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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