【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，具體而言，涉及一種半導體器件的終端結構、半導體器件的終端結構的制備方法以及半導體器件。
技術介紹
1、傳統硅基半導體器件的性能已經逐漸接近材料的物理極限，而采用以碳化硅為代表的第三代半導體材料所制作的器件具有高頻、高壓、耐高溫、抗輻射等優異的工作能力。sic器件具備低導通損耗、快開關速度、高工作頻率和高擊穿電壓等諸多優異特性，現已逐漸在電動汽車、充電樁、新能源發電、工業控制和柔性直流輸電等應用場景中得到推廣和使用，需要挑戰一些極限環境，比如在大電壓的環境下使用，因此需要提升碳化硅器件的耐壓能力及可靠性。
2、現有技術為了提升碳化硅器件的耐壓能力及可靠性，通常在碳化硅器件中采用了場限環、jte、場限環和jte復合或斜面終端結構等的終端結構。然而，上述終端結構增大了碳化硅器件的終端面積，從而使得半導體器件的可靠性較低。
技術實現思路
1、本專利技術的主要目的在于提供一種半導體器件的終端結構、半導體器件的終端結構的制備方法以及半導體器件，以解決現有技術中半導體器件的可靠性低的問題。
2、為了實現上述目的，根據本專利技術的一個方面，提供了一種半導體器件的終端結構，終端結構包括：半導體基底，具有第一表面，第一表面具有至少一個第一刻蝕槽；至少一個第一摻雜區，自第一刻蝕槽的表面延伸至半導體基底中，第一摻雜區和半導體基底的導電類型不同；場氧化層，位于半導體基底具有第一表面的一側；至少一個金屬場板，位于第一刻蝕槽中，且金屬場板連接第一摻雜區和場氧化層。<...
【技術保護點】
1.一種半導體器件的終端結構，其特征在于，所述終端結構包括：
2.根據權利要求1所述的終端結構，其特征在于，所述終端結構還包括：
3.根據權利要求1所述的終端結構，其特征在于，所述終端結構還包括：
4.根據權利要求1至3中任一項所述的終端結構，其特征在于，多個所述第一刻蝕槽沿第一方向間隔設置，且多個所述第一刻蝕槽在第二方向上的延伸長度與所述半導體基底的延伸長度相等，所述第二方向與所述第一表面平行。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的終端結構，其特征在于，多個所述第一刻蝕槽在所述第一表面上呈陣列分布。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的終端結構，其特征在于，所述金屬場板填充所述第一刻蝕槽。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的終端結構，其特征在于，所述第一刻蝕槽在第一方向上具有第一寬度，所述金屬場板在所述第一方向上具有第二寬度，所述第一寬度大于所述第二寬度。
8.一種半導體器件的終端結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述制備
10.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件的終端結構，其特征在于，所述終端結構包括：
2.根據權利要求1所述的終端結構，其特征在于，所述終端結構還包括：
3.根據權利要求1所述的終端結構，其特征在于，所述終端結構還包括：
4.根據權利要求1至3中任一項所述的終端結構，其特征在于，多個所述第一刻蝕槽沿第一方向間隔設置，且多個所述第一刻蝕槽在第二方向上的延伸長度與所述半導體基底的延伸長度相等，所述第二方向與所述第一表面平行。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的終端結構，其特征在于，多個所述第一刻蝕槽在所述第一表...
【專利技術屬性】
技術研發人員：金銳，董少華，牛喜平，桑玲，徐開軒，李新宇，路雅淇，解建芳，李哲洋，
申請(專利權)人：北京懷柔實驗室，
類型：發明
國別省市：
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