【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及電流的流動容易性根據氫氧化物離子(oh-)濃度而變化的設備，更具體而言，涉及基于這種導電率的變化來測定被測物的氫氧化物離子(oh-)濃度的測定裝置以及測定方法。
技術介紹
1、氫氧化物離子(oh-)在以材料化學、生命科學為首的各種領域中是基本且重要的物質之一。不考慮該氫氧化物離子的存在和化學行為，則無法理解化學反應、化學平衡、電化學現象。
2、作為測定這樣的氫氧化物離子的濃度的方法，迄今已知有ph滴定法、使用ph計的方法等。
3、此外，專利文獻1中公開了：利用色譜將溶液中的氫氧化物離子分離并使用電導率法、光吸光度法來測定氫氧化物離子濃度。
4、現有技術文獻
5、專利文獻
6、專利文獻1：日本特開2002-5916號公報
技術實現思路
1、專利技術所要解決的問題
2、ph滴定法能夠以高精度測定氫氧化物離子濃度，但要想準確地進行滴定，需要熟練度，因此無法簡便且準確地進行測定。
3、ph計通過玻璃電極與參比電極之間的電位差來測定氫離子濃度，基于該值可以測定氫氧化物離子濃度，能夠容易且迅速地進行測定，但精度并不高。
4、此外，專利文獻1之公開的利用色譜將氫氧化物離子分離的方法雖然測定精度高，但存在下述問題：必須制作分離柱并需要根據溶劑的種類、ph范圍來選擇分離柱，此外，分離柱容易產生裂紋等而在操作上需要注意，色譜昂貴，無法簡便地進行測定等。
5、本專利技術鑒于這種現狀，
6、此外，本專利技術的目的在于提供導電率根據氫氧化物離子濃度而變化的設備，其能夠用于如上所述的氫氧化物離子濃度的測定裝置以及測定方法。
7、用于解決問題的手段
8、本專利技術是為了解決如上所述的現有技術中的問題而專利技術出來的，本專利技術的設備以及具備其的氫氧化物離子濃度的測定裝置及使用其的氫氧化物離子濃度的測定方法包含如下構成的專利技術。
9、[1]一種設備，其具有絕緣基板、至少一個絕緣復合層、以及能保持含離子液體的儲液部，
10、前述絕緣復合層具有一對電極、以及與該一對電極接觸的半導體層，
11、該設備在前述絕緣復合層與前述儲液部之間具備oh-離子導電率為1×10-5s/cm以上的層狀復氫氧化物層。
12、[2]根據[1]所述的設備，其中，前述絕緣復合層還具備第3電極，
13、并且該設備在前述一對電極和半導體層與前述第3電極之間具備絕緣層。
14、[3]根據[1]或[2]所述的設備，其中，前述半導體層的場效應遷移率為20cm2/vs以上。
15、[4]根據[1]～[3]中的任一項所述的設備，其中，前述半導體層包含氧、硫、氮、硼或碳中的至少任一種。
16、[5]根據[4]所述的設備，其中，前述半導體層包含銦、鋅、錫或第13族元素中的至少任一種。
17、[6]根據[1]～[5]中的任一項所述的設備，其中，前述半導體層包含石墨烯、碳納米管、氮化硼、金屬二硫屬化物或磷烯(phosphorene)中的至少任一種。
18、[7]根據[1]～[6]中的任一項所述的設備，其中，前述層狀復氫氧化物層包含芘硼酸、1-芘丁酸n-羥基琥珀酰亞胺酯或通式為[mii1-xm’iiix(oh)2]x+的氫氧化物中的至少任一種，
19、通式[mii1-xm’iiix(oh)2]x+中，mii選自由ca2+、mg2+、mn2+、fe2+、co2+、ni2+、cu2+、zn2+和2li+組成的組、miii選自由al3+、mn3+、fe3+、co3+、cr3+和ni3+組成的組。
20、[8]根據[1]～[7]中的任一項所述的設備，其中，在前述層狀復氫氧化物層與前述半導體層之間具有保護層。
21、[9]根據[1]～[8]中的任一項所述的設備，其中，前述半導體層的厚度為0.5μm以下。
22、[10]根據[1]～[9]中的任一項所述的設備，其中，前述半導體層的前述層狀復氫氧化物層側的表面的最大高度sz為0.05μm以下。
23、[11]根據[1]～[10]中的任一項所述的設備，其中，前述半導體層的前述層狀復氫氧化物層側的表面的算術平均高度sa為0.03μm以下。
24、[12]一種氫氧化物離子濃度的測定裝置，其具備[1]～[11]中的任一項所述的設備。
25、[13]一種氫氧化物離子濃度的測定方法，其使用[1]～[11]中的任一項所述的設備。
26、[14]根據[13]所述的氫氧化物離子濃度的測定方法，其測定河水、海水、凈水、洗滌水或工廠廢水中的任一者的氫氧化物離子濃度。
27、專利技術效果
28、根據本專利技術，能夠使用導電率根據氫氧化物離子(oh-)濃度而變化的設備以高精度、容易且迅速地測定作為被測物的溶液中的氫氧化物離子濃度。
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1.一種設備，其具有絕緣基板、至少一個絕緣復合層、以及能保持含離子液體的儲液部，
2.根據權利要求1所述的設備，其中，所述絕緣復合層還具備第3電極，
3.根據權利要求1所述的設備，其中，所述半導體層的場效應遷移率為20cm2/Vs以上。
4.根據權利要求1所述的設備，其中，所述半導體層包含氧、硫、氮、硼或碳中的至少任一種。
5.根據權利要求4所述的設備，其中，所述半導體層包含銦、鋅、錫或第13族元素中的至少任一種。
6.根據權利要求4所述的設備，其中，所述半導體層包含石墨烯、碳納米管、氮化硼、金屬二硫屬化物或磷烯中的至少任一種。
7.根據權利要求1所述的設備，其中，所述層狀復氫氧化物層包含芘硼酸、1-芘丁酸N-羥基琥珀酰亞胺酯或通式為[MII1-xM’IIIx(OH)2]x+的氫氧化物中的至少任一種，
8.根據權利要求1所述的設備，其中，在所述層狀復氫氧化物層與所述半導體層之間具有保護層。
9.根據權利要求1所述的設備，其中，所述半導體層的厚度為0.5μm以下。
10.根據
11.根據權利要求1所述的設備，其中，所述半導體層的所述層狀復氫氧化物層側的表面的算術平均高度Sa為0.03μm以下。
12.一種氫氧化物離子濃度的測定裝置，其具備權利要求1～11中的任一項所述的設備。
13.一種氫氧化物離子濃度的測定方法，其使用權利要求1～11中的任一項所述的設備。
14.根據權利要求13所述的氫氧化物離子濃度的測定方法，其測定河水、海水、凈水、洗滌水或工廠廢水中的任一者的氫氧化物離子濃度。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種設備，其具有絕緣基板、至少一個絕緣復合層、以及能保持含離子液體的儲液部，
2.根據權利要求1所述的設備，其中，所述絕緣復合層還具備第3電極，
3.根據權利要求1所述的設備，其中，所述半導體層的場效應遷移率為20cm2/vs以上。
4.根據權利要求1所述的設備，其中，所述半導體層包含氧、硫、氮、硼或碳中的至少任一種。
5.根據權利要求4所述的設備，其中，所述半導體層包含銦、鋅、錫或第13族元素中的至少任一種。
6.根據權利要求4所述的設備，其中，所述半導體層包含石墨烯、碳納米管、氮化硼、金屬二硫屬化物或磷烯中的至少任一種。
7.根據權利要求1所述的設備，其中，所述層狀復氫氧化物層包含芘硼酸、1-芘丁酸n-羥基琥珀酰亞胺酯或通式為[mii1-xm’iiix(oh)2]x+的氫氧化物中的至少任一種，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：德地成紀，
申請(專利權)人：三井金屬礦業株式會社，
類型：發明
國別省市：
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