【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體發(fā)光二極管，尤其是涉及激光二極管和制造堆疊式高密度激光二極管陣列的方法。
技術(shù)介紹
1、激光二極管的共振鏡面包括光輸出表面和與之相對的反射表面，在共振鏡面上需要鍍上涂層，涂層能夠防止激光二極管的共振鏡面在操作過程中劣化，且能夠改變共振鏡面的反射率，提升激光二極管的電學(xué)性能。
2、由此可見激光二極管的鏡面涂層需要保持高純度和高清潔度，考慮到現(xiàn)有的激光二極管的結(jié)構(gòu)為長方體，其共振鏡面包括相對的兩個(gè)表面，需要雙面涂層，在現(xiàn)有技術(shù)中是通過夾具夾持激光二極管，在光輸出表面鍍上涂層后，翻轉(zhuǎn)夾具，在反射表面鍍上涂層。具體的，請參見圖1，圖1示出為現(xiàn)有技術(shù)的其中一種夾具的結(jié)構(gòu)示意圖，由圖1可知，若干激光二極管條自下而上依次排列，最下側(cè)的激光二極管條由第一夾具a1夾持，最上側(cè)的激光二極管條由第二夾具a2夾持，所有的激光二極管條的左側(cè)由第三夾具a3夾持，所有的激光二極管條的右側(cè)a4由第四夾具夾持，相鄰兩個(gè)激光二極管條之間設(shè)有間隔棒a5，間隔棒a5用于隔開相鄰的激光二極管條。在加工過程中，首先調(diào)整夾具的方向，使得激光二極管條的光輸出表面朝上，對所有激光二極管的光輸出表面進(jìn)行真空鍍膜，形成涂層，然后調(diào)整夾具的方向，使得激光二極管條的光輸出表面朝下，對所有激光二極管的反射表面進(jìn)行真空鍍膜，形成涂層，由此所有激光二極管條的共振鏡面都具有涂層。
3、由于激光二極管的產(chǎn)品尺寸較小，在實(shí)際鍍膜時(shí)，夾具內(nèi)所使用的間隔棒的數(shù)量較多，導(dǎo)致整個(gè)產(chǎn)品的加工成本大大提升。其次，受到材質(zhì)的影響，間隔棒在使用過程中會(huì)發(fā)生彎曲，導(dǎo)致間隔
4、由此可見，現(xiàn)有的激光二極管由于產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的限制，導(dǎo)致共振鏡面的涂層效果不佳，因此如何解決激光二極管的共振鏡面的涂層問題，已經(jīng)成為本領(lǐng)域技術(shù)人員所要亟待解決的技術(shù)問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)提供激光二極管和制造堆疊式高密度激光二極管陣列的方法，通過改進(jìn)激光二極管的結(jié)構(gòu)，在激光二極管的底部表面開設(shè)至少一個(gè)溝槽，從而便于在波導(dǎo)表面的兩側(cè)邊緣、光輸出表面和反射表面鍍上涂層，進(jìn)而保障了激光二極管的電學(xué)性能。
2、為了解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種激光二極管，包括襯底和位于所述襯底上的堆疊層，所述堆疊層包括n型層、活性層和表面具有脊?fàn)顥l的p型層，所述激光二極管具有波導(dǎo)表面、光輸出表面、反射表面和底部表面；
3、所述p型層的頂面為所述波導(dǎo)表面，所述襯底的底面為所述底部表面，所述波導(dǎo)表面與所述底部表面相對設(shè)置；
4、所述底部表面具有至少一個(gè)溝槽，所述溝槽的延伸方向與所述脊?fàn)顥l垂直；
5、所述光輸出表面和所述反射表面位于所述波導(dǎo)表面的相對兩側(cè)，并與所述波導(dǎo)表面垂直；
6、所述波導(dǎo)表面上與所述光輸出表面相接的一側(cè)邊緣、所述波導(dǎo)表面上與所述反射表面相接的一側(cè)邊緣、所述光輸出表面和所述反射表面均鍍有涂層。
7、作為其中一種優(yōu)選方案，所述底部表面具有第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽位于所述底部表面上與所述反射表面相接的一端，所述第二溝槽位于所述底部表面上與所述光輸出表面相接的一端，所述第一溝槽與所述第二溝槽使得在所述底部表面上形成向下延伸的條形凸起。
8、作為其中一種優(yōu)選方案，所述條形凸起的高度為0.5～20μm。
9、作為其中一種優(yōu)選方案，所述第一溝槽的寬度為5～50μm，所述第二溝槽的寬度為5～50μm。
10、作為其中一種優(yōu)選方案，所述波導(dǎo)表面上與所述光輸出表面相接的一側(cè)邊緣上的涂層寬度和所述第二溝槽的寬度之間的差值大于2μm。
11、本專利技術(shù)另一實(shí)施例提供了一種激光二極管陣列共振鏡面的鍍膜方法，適用于如上所述的激光二極管，所述激光二極管陣列共振鏡面的鍍膜方法包括：
12、排列至少兩個(gè)所述激光二極管，每個(gè)所述激光二極管的波導(dǎo)表面均面向相同的方向，且每個(gè)所述激光二極管的波導(dǎo)表面均位于同一平面，每個(gè)所述激光二極管的底部表面均面向相同的方向，且每個(gè)所述激光二極管的底部表面均位于同一平面，每個(gè)所述激光二極管的光輸出表面均面向相同的方向，且每個(gè)所述激光二極管的光輸出表面均位于同一平面，每個(gè)所述激光二極管的反射表面均面向相同的方向，且每個(gè)所述激光二極管的反射表面均位于同一平面，形成激光二極管條；
13、堆疊至少兩個(gè)所述激光二極管條以形成激光二極管陣列，每一所述激光二極管條至少與其他一個(gè)所述激光二極管條相互接觸，每個(gè)所述激光二極管條中的每個(gè)所述激光二極管的光輸出表面均面向相同的方向且位于同一平面；每個(gè)所述激光二極管條中的每個(gè)所述激光二極管的反射表面均面向相同的方向且位于同一平面；
14、在堆疊后的所述激光二極管條中的每個(gè)所述激光二極管的光輸出表面上鍍上抗反射涂層，在堆疊后的所述激光二極管條中的每個(gè)所述激光二極管的反射表面上鍍上反射涂層，在堆疊后的所述激光二極管條中的每個(gè)所述激光二極管的所述波導(dǎo)表面上與所述光輸出表面相接的一側(cè)邊緣上鍍上涂層，在堆疊后的所述激光二極管條中的每個(gè)所述激光二極管的所述波導(dǎo)表面上與所述反射表面相接的一側(cè)邊緣上鍍上涂層。
15、本專利技術(shù)再一實(shí)施例提供了一種制造堆疊式高密度激光二極管陣列的方法，所述激光二極管陣列由激光二極管條堆疊形成，每一所述激光二極管條包括至少兩個(gè)如上所述的激光二極管，所述制造堆疊式高密度激光二極管陣列的方法包括：
16、在半導(dǎo)體晶片上形成外延層，所述外延層包括量子阱；
17、在所述半導(dǎo)體晶片的第一表面上沉積第一金屬化層，在所述半導(dǎo)體晶片的與第一表面相對的第二表面上沉積第二金屬化層；
18、在所述第一金屬化層上施加焊料層；
19、在所述第二金屬化層上涂覆抗蝕劑涂層，依次進(jìn)行烘烤、曝光、顯影、干法蝕刻和脫模，在所述半導(dǎo)體晶片的第二表面上形成若干溝槽；
20、將所述半導(dǎo)體晶片切割成多個(gè)激光二極管條；
21、堆疊多個(gè)所述激光二極管條以形成激光二極管陣列，每個(gè)所述激光二極管條中的每個(gè)所述激光二極管的波導(dǎo)表面均面向相同的方向且位于同一平面；每個(gè)所述激光二極管條中的每個(gè)所述激光二極管的底部表面均面向相同的方向且位于同一平面，每個(gè)所述激光二極管的所述底部表面具有至少一個(gè)溝槽；每個(gè)所述激光二極管條中的每個(gè)所述激光二極管的光輸出表面均面向相同的方向且位于同一平面；每個(gè)所述激光二極管條中的每個(gè)所述激光二極管的反射表面均面向相同的方向且位于同一平面；
22、將所述激光二極管陣列放置在真空室中進(jìn)行真空濺射，在所述激光二極管條中的每個(gè)所述激光二極管的光輸出表面上鍍上抗反射涂層，在所述激光二極管條中的每個(gè)所述激光二極管的反射表面上鍍上反射涂層；在所述激光二極管條中的每個(gè)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種激光二極管，包括襯底和位于所述襯底上的堆疊層，所述堆疊層包括N型層、活性層和表面具有脊?fàn)顥l的P型層，其特征在于，所述激光二極管具有波導(dǎo)表面、光輸出表面、反射表面和底部表面；
2.如權(quán)利要求1所述的激光二極管，其特征在于，所述底部表面具有第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽位于所述底部表面上與所述反射表面相接的一端，所述第二溝槽位于所述底部表面上與所述光輸出表面相接的一端，所述第一溝槽與所述第二溝槽使得在所述底部表面上形成向下延伸的條形凸起。
3.如權(quán)利要求2所述的激光二極管，其特征在于，所述條形凸起的高度為0.5～20μm。
4.如權(quán)利要求2所述的激光二極管，其特征在于，所述第一溝槽的寬度為5～50μm，所述第二溝槽的寬度為5～50μm。
5.如權(quán)利要求2所述的激光二極管，其特征在于，所述波導(dǎo)表面上與所述光輸出表面相接的一側(cè)邊緣上的涂層寬度和所述第二溝槽的寬度之間的差值大于2μm。
6.一種激光二極管陣列共振鏡面的鍍膜方法，適用于如權(quán)利要求1所述的激光二極管，其特征在于，所述激光二極管陣列共振鏡面的鍍膜方法包括：p>
7.一種制造堆疊式高密度激光二極管陣列的方法，所述激光二極管陣列由激光二極管條堆疊形成，每一所述激光二極管條包括至少兩個(gè)如權(quán)利要求1所述的激光二極管，其特征在于，所述制造堆疊式高密度激光二極管陣列的方法包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種激光二極管，包括襯底和位于所述襯底上的堆疊層，所述堆疊層包括n型層、活性層和表面具有脊?fàn)顥l的p型層，其特征在于，所述激光二極管具有波導(dǎo)表面、光輸出表面、反射表面和底部表面；
2.如權(quán)利要求1所述的激光二極管，其特征在于，所述底部表面具有第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽位于所述底部表面上與所述反射表面相接的一端，所述第二溝槽位于所述底部表面上與所述光輸出表面相接的一端，所述第一溝槽與所述第二溝槽使得在所述底部表面上形成向下延伸的條形凸起。
3.如權(quán)利要求2所述的激光二極管，其特征在于，所述條形凸起的高度為0.5～20μm。
4.如權(quán)利要求2所述的激光二極管，...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李泰文，高山清市，
申請(專利權(quán))人：新科實(shí)業(yè)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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