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    非易失性存儲器件制造技術

    技術編號:44532018 閱讀:4 留言:0更新日期:2025-03-07 13:21
    一種非易失性存儲器件,包括:襯底;第一半導體層,包括襯底上的存儲單元陣列;第二半導體層,包括外圍電路,該外圍電路被配置為向存儲單元陣列寫入數據或從存儲單元陣列讀取數據,其中,第二半導體層在第一半導體層上;以及突出結構,包括延伸到第一半導體層的至少一部分和第二半導體層的至少一部分中的布線,其中,突出結構從第一半導體層的第一表面且從第二半導體層的第一表面延伸,并且其中,突出結構沿垂直于第一方向的第二方向延伸。

    【技術實現步驟摘要】

    本公開涉及一種非易失性存儲器件,更具體地,涉及一種包括多個半導體芯片的非易失性存儲器件。


    技術介紹

    1、隨著信息和通信設備近來變得緊湊和多功能,期望存儲器件具有高容量和高集成密度。隨著為了高集成密度而減小存儲單元的尺寸,包括在存儲器件中以用于其操作和電連接的操作電路和/或布線結構的復雜性已經增加。因此,通過減小存儲單元的尺寸而減小半導體芯片的面積面臨技術限制。然而,信息和通信設備的多功能化和緊湊化繼續,并且因此,仍然需要減小半導體芯片的尺寸。


    技術實現思路

    1、本公開通過減小非易失性存儲器件的尺寸來提供一種具有高集成密度的非易失性存儲器件。

    2、本公開的各個方面不限于上面提到的那些,并且本領域技術人員將從下面的描述中清楚地理解未提到的其他方面。

    3、根據本公開的一方面,提供了一種非易失性存儲器件,包括:襯底;第一半導體層,包括襯底上的存儲單元陣列,其中,存儲單元陣列包括多個柵極導電層并且限定多個溝道孔,其中,多個柵極導電層在與襯底的頂表面垂直的第一方向上間隔開,并且其中,多個溝道孔中的每一個延伸到多個柵極導電層中;第二半導體層,包括外圍電路,該外圍電路被配置為向存儲單元陣列寫入數據或從存儲單元陣列讀取數據,其中,第二半導體層在第一半導體層上;以及突出結構,包括延伸到第一半導體層的至少一部分和第二半導體層的至少一部分中的布線,其中,突出結構從第一半導體層的第一表面且從第二半導體層的第一表面延伸,并且其中,突出結構沿垂直于第一方向的第二方向延伸。

    4、根據本公開的另一方面,提供了一種存儲器封裝,包括:封裝襯底,被配置為將外部設備電連接到存儲器封裝;第一存儲器件,沿垂直于封裝襯底的頂表面的第一方向延伸,其中,第一存儲器件包括第一表面、第二表面、第三表面和第四表面,其中,第一表面在垂直于第一方向的第二方向上與第二表面間隔開,并且其中,第三表面和第四表面從第一表面延伸到第二表面;以及第二存儲器件,包括第五表面、第六表面、第七表面和第八表面,其中,第五表面在第二方向上與第六表面間隔開,并且其中,第七表面和第八表面從第五表面延伸到第六表面,其中,第一存儲器件包括從第一表面延伸的第一突出結構,其中,第二存儲器件包括從第五表面延伸的第二突出結構,其中,第二存儲器件在第一存儲器件上,并且其中,第二突出結構的底表面在第一方向上與第一存儲器件的至少一部分重疊。

    5、根據本公開的又一方面,提供了一種存儲器封裝,包括:封裝襯底,被配置為將外部設備電連接到存儲器封裝;第一存儲器件,沿垂直于封裝襯底的頂表面的第一方向延伸,其中,第一存儲器件包括第一表面、第二表面、第三表面和第四表面,其中,第一表面在垂直于第一方向的第二方向上與第二表面間隔開,并且其中,第三表面和第四表面從第一表面延伸到第二表面;以及第二存儲器件,包括第五表面、第六表面、第七表面和第八表面,其中,第五表面在第二方向上與第六表面間隔開,并且其中,第七表面和第八表面從第五表面延伸到第六表面,其中,第一存儲器件包括從第一表面延伸的第一突出結構,其中,第二存儲器件包括從第五表面延伸的第二突出結構,其中,第二存儲器件在第一方向上與第一存儲器件至少部分地重疊,并且其中,第一突出結構在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上與第二突出結構間隔開。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種非易失性存儲器件,包括:

    2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件,其中:

    3.根據權利要求2所述的非易失性存儲器件,其中,所述突出結構包括:

    4.根據權利要求3所述的非易失性存儲器件,其中,所述外圍電路和所述焊盤電路在所述第二方向上至少部分地彼此重疊。

    5.根據權利要求2所述的非易失性存儲器件,其中,所述存儲單元陣列還包括:

    6.根據權利要求2所述的非易失性存儲器件,其中:

    7.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件,其中,所述突出結構在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上的長度小于所述第一半導體層在所述第三方向上的長度的一半或者小于所述第二半導體層在所述第三方向上的長度的一半。

    8.一種存儲器封裝,包括:

    9.根據權利要求8所述的存儲器封裝,其中:

    10.根據權利要求8所述的存儲器封裝,其中,所述第一突出結構的側表面與所述第三表面共面,所述第二突出結構的側表面與所述第七表面共面,并且所述第三表面與所述第七表面共面。

    11.根據權利要求8所述的存儲器封裝,其中:

    12.根據權利要求10所述的存儲器封裝,其中:

    13.根據權利要求10所述的存儲器封裝,其中:

    14.根據權利要求8所述的存儲器封裝,其中:

    15.一種存儲器封裝,包括:

    16.根據權利要求15所述的存儲器封裝,其中:

    17.根據權利要求15所述的存儲器封裝,其中,所述第一突出結構的側表面與所述第三表面共面,所述第二突出結構的側表面與所述第八表面共面,并且所述第三表面在所述第三方向上與所述第八表面間隔開。

    18.根據權利要求15所述的存儲器封裝,其中:

    19.根據權利要求15所述的存儲器封裝,其中:

    20.根據權利要求15所述的存儲器封裝,還包括:

    ...

    【技術特征摘要】

    1.一種非易失性存儲器件,包括:

    2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件,其中:

    3.根據權利要求2所述的非易失性存儲器件,其中,所述突出結構包括:

    4.根據權利要求3所述的非易失性存儲器件,其中,所述外圍電路和所述焊盤電路在所述第二方向上至少部分地彼此重疊。

    5.根據權利要求2所述的非易失性存儲器件,其中,所述存儲單元陣列還包括:

    6.根據權利要求2所述的非易失性存儲器件,其中:

    7.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件,其中,所述突出結構在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上的長度小于所述第一半導體層在所述第三方向上的長度的一半或者小于所述第二半導體層在所述第三方向上的長度的一半。

    8.一種存儲器封裝,包括:

    9.根據權利要求8所述的存儲器封裝,其中:

    10.根據權利要求8所述的存儲器封裝,其中,所述第一突...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:李世勛權俊瑛金俊亨成錫江
    申請(專利權)人:三星電子株式會社
    類型:發明
    國別省市:

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