【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體器件，并且更特別地，涉及配備有電連接到柵極焊盤的電阻元件的半導體器件。
技術介紹
1、作為功率器件，具有垂直溝槽柵極結構的絕緣柵雙極晶體管(igbt)是已知的。在配備有功率器件的半導體器件(半導體芯片)中，電阻元件連接到柵極焊盤作為保護電路的一部分，以保護半導體器件免受施加到柵極焊盤的浪涌電壓的影響。
2、例如，日本專利公開第2022-82244號(專利文獻1)公開了一種配備有igbt和連接到柵極焊盤的電阻元件的半導體器件。電阻元件經由絕緣膜(氧化硅膜)形成在半導體襯底上提供的多晶硅膜上。
技術實現思路
1、例如，在使用三相電機的電機控制系統中，igbt被用作電機的驅動器。高側igbt的發射極電極和低側igbt的集電極電極是串聯連接的。
2、如專利文獻1中公開的，由于切割期間的損壞以及其他原因，形成在高側igbt的半導體襯底的下表面上的p型(第二導電類型)集電極區中可能出現缺陷。在這種情況下，當低側igbt高速切換時，在高側igbt中出現碰撞電離，并且載流子(空穴)被發射到半導體襯底的表面側。
3、也就是說，當高于集電極電極電位的發射極電位被施加到發射極電極時，體二極管工作，并且在半導體襯底內生成大量載流子。在這種狀態下，電位施加被改變，并且如果將高于發射極電極電位的集電極電位施加到集電極區，則空穴被發射到半導體襯底的上表面側。由于剩余的載流子，提高集電極電位使耗盡層難以在半導體襯底內擴散。進一步增加集電極電位使得半導體襯底的
4、此時，在用于柵極焊盤的電阻元件附近的p型阱區中出現高電位上升。由于這種高電位上升，存在著在形成于電阻元件下的氧化硅膜中出現絕緣擊穿的問題。
5、本申請的專利技術人已經研究了一種igbt，其中溝槽形成在p型阱區中，并且用于柵極的電阻元件形成在溝槽中，其中插入有薄氧化硅膜。薄氧化硅膜具有與igbt的柵極絕緣膜相同的膜厚度。與專利文獻1中描述的技術相比，溝槽形成部分中的p型阱區的寄生電阻增加，從而導致p型阱區中更高的電位上升。此外，因為將電阻元件和p型阱區分隔開的氧化硅膜的膜厚度較薄，所以更有可能出現氧化硅膜的絕緣擊穿。因此，存在半導體器件的可靠性劣化的問題。
6、從本說明書和附圖的描述中，其他目的和新穎特征將變得顯而易見。
7、如下簡要解釋本申請中所公開的實施例當中的典型實施例的概要。
8、根據一個實施例的半導體器件包括具有第一主表面的第一導電類型的半導體襯底，并且在第一主表面上形成有柵極焊盤、柵極布線、和發射極電極，并且在第一主表面上形成有不同于第一導電類型的第二導電類型的阱區，并且溝槽在平面圖中以無端環形狀形成在阱區中，并且在溝槽中，電阻元件在平面圖中以無端環形狀形成并且通過絕緣膜對其填充。此外，該半導體器件包括：第一接觸構件，連接到電阻元件；第二接觸構件，在第一方向上位于距第一接觸構件預定距離處，并且連接到電阻元件，該第一方向是電阻元件的縱向方向；以及第三接觸構件，在平面圖中在第一方向上位于第一接觸構件與第二接觸構件之間，位于由電阻元件的內圓周包圍的區域中，并且連接到阱區。柵極焊盤經由第一接觸構件電連接到電阻元件，柵極布線經由第二接觸構件電連接到電阻元件，并且發射極電極經由第三接觸構件電連接到阱區。
9、根據一個實施例，可以改進半導體器件的可靠性。
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1.一種半導體器件，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：
3.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括：
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中
5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中
6.根據權利要求3所述的半導體器件，其中
7.根據權利要求3所述的半導體器件，還包括：
8.根據權利要求7所述的半導體器件，還包括：
9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中
10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中
11.根據權利要求9所述的半導體器件，其中在所述第二方向上，所述第三接觸構件的長度大于在由所述第一電阻元件的所述內圓周包圍的所述區域中、與所述第一折回部相鄰的所述第七接觸構件的長度的兩倍。
12.根據權利要求7所述的半導體器件，其中
13.根據權利要求3所述的半導體器件，其中
14.根據權利要求3所述的半導體器件，還包括：
15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中
16.根據權利要求
17.根據權利要求14所述的半導體器件，其中
18.根據權利要求14所述的半導體器件，還包括：
19.根據權利要求3所述的半導體器件，還包括：
20.一種半導體器件，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：
3.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括：
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中
5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中
6.根據權利要求3所述的半導體器件，其中
7.根據權利要求3所述的半導體器件，還包括：
8.根據權利要求7所述的半導體器件，還包括：
9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中
10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中
11.根據權利要求9所述的半導體器件，其中在所述第二方向上，所述第三接觸構件的...
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