【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及半導(dǎo)體裝置。
技術(shù)介紹
1、以往，提出了在阻擋層之上形成有溝道層的高電子遷移率晶體管(high?electronmobility?transistor：hemt)。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：國際公開第2005/119787號
5、近年來，電流崩塌的抑制的要求逐漸提高。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本公開的目的在于提供能抑制電流崩塌的半導(dǎo)體裝置。
2、本公開的半導(dǎo)體裝置具有：阻擋層，該阻擋層的上表面具有氮極性；溝道層，位于所述阻擋層之上，該溝道層的上表面具有氮極性；第一帽層，位于所述溝道層之上，該第一帽層的上表面具有氮極性；以及電介質(zhì)膜，與所述第一帽層的所述上表面相接，所述第一帽層是氮化鋁層。
3、專利技術(shù)效果
4、根據(jù)本公開，能抑制電流崩塌。
【技術(shù)保護點】
1.一種半導(dǎo)體裝置，具有：
2.一種半導(dǎo)體裝置，具有：
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，具有：
【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體裝置，具有：
2.一種半導(dǎo)體裝置，具有：
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：吉田成輝，
申請(專利權(quán))人：住友電氣工業(yè)株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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