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    半導體封裝件制造技術

    技術編號:44532389 閱讀:2 留言:0更新日期:2025-03-07 13:22
    提供了一種半導體封裝件。所述半導體封裝件包括直接結合在一起的第一半導體芯片和第二半導體芯片,其中,第一半導體芯片包括第一半導體基底、順序地堆疊在第一半導體基底的第一表面上的第一半導體元件層和第一布線結構、在第一布線結構上的第一連接墊和第一測試墊、第一鈍化膜、第一層間絕緣膜、連接墊開口、測試墊開口、第一前側結合墊以及第一后側結合墊,其中,第二半導體芯片包括第二半導體基底,順序地堆疊在第二半導體基底的第三表面上的第二半導體元件層和第二布線結構以及在第二半導體基底的第四表面上結合到第一前側結合墊的第一后側結合墊,第一半導體芯片與第二半導體芯片之間沒有任何間隙,并且第一測試墊不電連接到第二半導體芯片。

    【技術實現步驟摘要】

    本公開涉及一種半導體封裝件和制造半導體封裝件的方法,并且更具體地,涉及一種包括以管芯到晶圓(die-to-wafer,d2w)方式堆疊的半導體芯片的半導體封裝件和制造半導體封裝件的方法。


    技術介紹

    1、隨著電子工業的快速發展和用戶需求的多樣化,電子裝置已經逐漸變得更小、更輕和更多功能。用于這種電子裝置的半導體封裝件正在需要不僅具有緊湊的尺寸和輕的重量而且還具有多功能性。例如,可以將兩種或更多種類型的半導體芯片并入到單個半導體封裝件中,使得可以大幅減小半導體封裝件的尺寸,并且還可以改善半導體封裝件的存儲容量和功能兩者。

    2、為了增加半導體封裝件的存儲容量,可以以晶圓上芯片(chip-on-wafer,cow)方法或管芯到晶圓(d2w)方法堆疊半導體芯片。cow方法可以指其中經由連接構件(例如,凸塊或焊料)將半導體芯片堆疊在晶圓(或另一半導體芯片)上的方法。d2w方法可以指其中通過墊(pad,也被稱為“墊”)到墊結合(pad-to-pad?bonding)或使用各向異性導電膜(acf)的結合來將半導體芯片堆疊在晶圓(或另一半導體芯片)上的方法。


    技術實現思路

    1、根據本公開的實施例,提供了一種半導體封裝件,所述半導體封裝件包括結合在一起的第一半導體芯片和第二半導體芯片,其中,第一半導體芯片包括:具有彼此相對的第一表面和第二表面的第一半導體基底、順序地堆疊在第一半導體基底的第一表面上的第一半導體元件層和第一布線結構、在第一布線結構上連接到第一布線結構的第一連接墊和第一測試墊、以及連接到第一連接墊的第一前側結合墊,第二半導體芯片包括:具有第三表面和與第三表面相對且面對第一表面的第四表面的第二半導體基底、順序地堆疊在第二半導體基底的第三表面上的第二半導體元件層和第二布線結構、以及在第二半導體基底的第四表面上結合到第一前側結合墊的第一后側結合墊,并且第一測試墊不電連接到第二半導體芯片。

    2、根據本公開的實施例,提供了一種半導體封裝件,所述半導體封裝件包括:半導體基底,具有彼此相對的第一表面和第二表面;半導體元件層和布線結構,順序地堆疊在半導體基底的第一表面上;連接墊,在布線結構的頂表面上,連接到布線結構;測試墊,在布線結構的頂表面上,測試墊與連接墊間隔開并且連接到布線結構;第一襯膜和第二襯膜,順序地堆疊在布線結構的頂表面上;連接墊開口,穿過第一襯膜和第二襯膜來暴露連接墊;測試墊開口,穿過第一襯膜來暴露測試墊,并且不穿透第二襯膜;以及前側結合墊,連接到連接墊開口中的連接墊。

    3、根據本公開的實施例,提供了一種半導體封裝件,所述半導體封裝件包括:基體基底;以及多個半導體芯片,順序地堆疊在基體基底上;其中,多個半導體芯片中的每個半導體芯片包括:半導體基底,具有面對基體基底的頂表面的第一表面和與第一表面相對的第二表面;半導體元件層和布線結構,順序地堆疊在半導體基底的第一表面上;連接墊和測試墊,連接到布線結構,并且從布線結構暴露;前側結合墊,連接到連接墊,并且不連接到測試墊;后側結合墊,在半導體基底的第二表面上;以及貫穿過孔,穿過半導體基底將布線結構和后側結合墊連接。

    4、根據本公開的前述和其它實施例,提供了一種制造半導體封裝件的方法,所述方法包括:提供具有彼此相對的第一表面和第二表面的第一半導體基底;在第一半導體基底的第一表面上順序地形成第一半導體元件層和第一布線結構;在第一布線結構上形成第一連接墊和第一測試墊,第一連接墊和第一測試墊連接到第一布線結構;在第一布線結構、第一連接墊和第一測試墊上形成第一襯膜;形成測試墊開口,測試墊開口穿過第一襯膜來暴露第一測試墊;在第一襯膜上形成第二襯膜;以及形成前側結合墊,前側結合墊穿過第一襯膜和第二襯膜連接到第一連接墊。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種半導體封裝件,包括:

    2.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其中,

    3.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其中,

    4.根據權利要求1所述的半導體封裝件,還包括:第一襯膜、第二層間絕緣膜和第二襯膜,堆疊在第一層間絕緣膜上,

    5.根據權利要求4所述的半導體封裝件,其中,

    6.根據權利要求5所述的半導體封裝件,其中,

    7.根據權利要求4所述的半導體封裝件,還包括:

    8.根據權利要求7所述的半導體封裝件,其中,

    9.根據權利要求4所述的半導體封裝件,還包括:

    10.根據權利要求9所述的半導體封裝件,其中,

    11.根據權利要求1所述的半導體封裝件,還包括:

    12.根據權利要求11所述的半導體封裝件,其中,

    13.一種半導體封裝件,包括:

    14.根據權利要求13所述的半導體封裝件,其中,所述多個半導體芯片中的每個還包括:

    15.根據權利要求14所述的半導體封裝件,其中,所述多個半導體芯片中的每個還包括:第一襯膜、第二層間絕緣膜和第二襯膜,堆疊在第一層間絕緣膜上,并且

    16.根據權利要求15所述的半導體封裝件,其中,

    17.根據權利要求16所述的半導體封裝件,其中,

    18.根據權利要求15所述的半導體封裝件,還包括:

    19.根據權利要求18所述的半導體封裝件,其中,

    20.根據權利要求13所述的半導體封裝件,其中,所述多個半導體芯片中的每個還包括:

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    【技術特征摘要】

    1.一種半導體封裝件,包括:

    2.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其中,

    3.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其中,

    4.根據權利要求1所述的半導體封裝件,還包括:第一襯膜、第二層間絕緣膜和第二襯膜,堆疊在第一層間絕緣膜上,

    5.根據權利要求4所述的半導體封裝件,其中,

    6.根據權利要求5所述的半導體封裝件,其中,

    7.根據權利要求4所述的半導體封裝件,還包括:

    8.根據權利要求7所述的半導體封裝件,其中,

    9.根據權利要求4所述的半導體封裝件,還包括:

    10.根據權利要求9所述的半導體封裝件,其中,

    11.根據權利要求1所述的半導體封裝件,還包括:

    ...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:徐柱斌金石鎬文光辰
    申請(專利權)人:三星電子株式會社
    類型:發明
    國別省市:

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