【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于金屬氧化物蝕刻和半導體存儲技術交叉領域，具體涉及一種二氧化鉿蝕刻液及其制備方法。
技術介紹
1、動態隨機存取存儲器（dram）是一種易失性的、基于電容的、破壞性讀取形式的存儲器。長期以來，dram存儲單元由單個晶體管和單個電容器制成，即所謂的1t1c設計。這種存儲單元在寫入時打開晶體管，電荷被推入電容器（1）或從電容器（0）去除；讀取時則會提取并度量電荷。這種傳統系統速度超級快，價格便宜，并且功耗很小，但它的挑戰是如何在不增加功耗的情況下，滿足人們不斷增長的對高容量、高性能、大帶寬、低延遲、小存儲單元尺寸的需求。hbm的出現是dram從2d架構轉向3d架構的突破，它是非平面類型，具有立方體/長方體形式的3d形狀。存儲芯片堆疊形成立方體結構，占用空間更小、功耗更低、帶寬更高。在3d?dram存儲單元的研究過程中運用了各種高k材料，例如al2o3、hfo2、ta2o5等已取得了良好的效果，通過調節等效氧化物厚度(eot)來控制閾值電壓(vt)，進一步優化短柵極長度下的數據保持性能。
2、然而，針對hfo2/igzo結構，沒有專用的選擇性蝕刻液，因此，開發一種hfo2和igzo選擇性蝕刻液，能夠蝕刻出特定的hfo2/igzo結構，進一步促進3d?dram技術發展。
技術實現思路
1、本專利技術是用于改善上述問題的專利技術，其目的在于，提供一種二氧化鉿蝕刻液，所述的蝕刻液成分包括占蝕刻液總重量78-94%的二元醇、5-20%的醇醚、0.5-1.5%的氫氟酸、0.0
2、進一步地，本專利技術涉及上述的二元醇為乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇中的一種或幾種。
3、進一步地，本專利技術涉及上述的醇醚為乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丙醚、乙二醇異丙醚、乙二醇丁醚、丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚、丙二醇丁醚中的一種或幾種。
4、進一步地，本專利技術涉及上述的氫氟酸為含量49%的電子級氫氟酸。
5、進一步地，本專利技術涉及上述的抑制劑為5-異丙基鄰甲酚、3-苯基酚、3-苯甲基酚、3-二乙氨基酚中的一種。
6、進一步地，本專利技術涉及上述蝕刻液中的水分占蝕刻液總重量＜1%。
7、進一步地，專利技術涉及上述蝕刻液的ph＜7。
8、本專利技術還提供一種二氧化鉿蝕刻液的制備方法，包括以下步驟：
9、s1、按照權利要求1所述的比例分別稱量二元醇、醇醚、氫氟酸和抑制劑；
10、s2、將稱量好的二元醇、醇醚和抑制劑按順序逐一加入，每加入一組分需攪拌5-10min；
11、s3、將稱量好的氫氟酸緩慢滴加至s2配制的混合液中，邊滴加邊攪拌。
12、進一步地，本專利技術涉及上述的制備方法中，s2和s3步驟中的攪拌速率100-300r/min。
13、進一步地，本專利技術涉及上述的制備方法中，s3步驟中的氫氟酸滴加速率為5-10秒一滴。
14、本專利技術具有以下有益效果：
15、本專利技術的蝕刻液為有機弱酸性溶液，其中低碳醇醚不僅可以降低溶液的表面張力，提高浸潤性，而且可以使氫氟酸更好的分散到混合有機物中，另外氫氟酸緩慢滴加和邊滴加邊攪拌的制備方法搭配低碳醇醚，制備的蝕刻液氫氟酸分散均勻，具有良好的均勻蝕刻能力。蝕刻液大部分組成采用有機物二元醇替代水分，可降低并維持蝕刻液中的水分含量，來控制f-游離數量，使得蝕刻液蝕刻速率穩定。最后，酚類物質的酚羥基氧原子與苯環形成離域鍵，結合醇醚的氧原子醚鍵，可以選擇性降低氫氟酸對igzo的蝕刻速率，從而提高蝕刻液對hfo2與igzo的蝕刻液選擇比。
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1.一種二氧化鉿蝕刻液，其特征在于：所述的蝕刻液成分包括占蝕刻液總重量78-94%的二元醇、5-20%的醇醚、0.5-1.5%的氫氟酸、0.05-0.15%的抑制劑。
2.根據權利要求1所述的二氧化鉿蝕刻液，其特征在于：所述蝕刻液成分中的二元醇為乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇中的一種或幾種。
3.根據權利要求1所述的二氧化鉿蝕刻液，其特征在于：所述蝕刻液成分中的醇醚為乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丙醚、乙二醇異丙醚、乙二醇丁醚、丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚、丙二醇丁醚中的一種或幾種。
4.根據權利要求1所述的二氧化鉿蝕刻液，其特征在于：所述的氫氟酸為含量49%的電子級氫氟酸。
5.根據權利要求1所述的二氧化鉿蝕刻液，其特征在于：所述蝕刻液成分中的抑制劑為5-異丙基鄰甲酚、3-苯基酚、3-苯甲基酚、3-二乙氨基酚中的一種或多種的組合。
6.根據權利要求1所述的二氧化鉿蝕刻液，其特征在于：所述蝕刻液中的水分占蝕刻液總重量＜1%。
7.根據權利要求1所述的二氧化鉿蝕刻液
8.一種根據權利要求1-7任一所述二氧化鉿蝕刻液的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于：S2和S3步驟中的攪拌速率100-300r/min。
10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于：S3步驟中的氫氟酸滴加速率為5-10秒一滴。
...【技術特征摘要】
1.一種二氧化鉿蝕刻液，其特征在于：所述的蝕刻液成分包括占蝕刻液總重量78-94%的二元醇、5-20%的醇醚、0.5-1.5%的氫氟酸、0.05-0.15%的抑制劑。
2.根據權利要求1所述的二氧化鉿蝕刻液，其特征在于：所述蝕刻液成分中的二元醇為乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇中的一種或幾種。
3.根據權利要求1所述的二氧化鉿蝕刻液，其特征在于：所述蝕刻液成分中的醇醚為乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丙醚、乙二醇異丙醚、乙二醇丁醚、丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚、丙二醇丁醚中的一種或幾種。
4.根據權利要求1所述的二氧化鉿蝕刻液，其特征在于：所述的氫氟酸為含量49%的電子級氫氟酸。
<...【專利技術屬性】
技術研發人員：黃鑼鑼，賀兆波，葉瑞，張庭，歐陽克銀，鐘昌東，張演哲，黎鵬飛，鄭秋曈，高楒羽，張宗萍，雷康樂，張玥，尉鵬，李文飛，
申請(專利權)人：湖北興福電子材料股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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