【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種背照式cmos圖像傳感器。
技術介紹
1、cmos圖像傳感器按照光線入射方向分為前照式(fsi)和背照式(bsi)，其中，背照式cmos圖像傳感器中，光從傳感器的背面入射，較前照式可以更加直接地進入襯底內的光電傳感區(qū)域(即像素)，減少了光線損失，在同一單位時間內，單個像素能獲取的光能量更大，對畫質有明顯提升，因而bsi技術將cmos成像的靈敏度提升到了一個新的水平。
2、一種背照式cmos圖像傳感器的制作工藝中，在經過減薄的襯底背面沉積隔離介質層，并在隔離介質層上形成金屬格柵(backside?metal?grid，bmg)以及金屬導線，并進行焊盤連接區(qū)域工藝(pad?open)，所述金屬導線為實心的線條。然而，在對相應的傳感器進行高溫模擬使用壽命的可靠性測試后發(fā)現(xiàn)，在金屬導線之間的溝槽內容易產生泡狀缺陷(如圖1中虛線圈出位置所示)，使得不能通過可靠性測試，表明相應結構的傳感器的可靠性及質量較差。
技術實現(xiàn)思路
1、為了避免在金屬導線之間的溝槽中產生泡狀缺陷，提高背照式cmos圖像傳感器的質量和可靠性，本專利技術提供一種背照式cmos圖像傳感器。
2、本專利技術提供的背照式cmos圖像傳感器包括：
3、像素基底，所述像素基底中具有多個光電傳感區(qū)域，每個所述光電傳感區(qū)域用于感測從所述像素基底的背面進入的光線；
4、隔離介質層，覆蓋所述像素基底的背面；以及
5、金屬導線，間隔著所述隔離介質層設
6、可選的，所述背照式cmos圖像傳感器包括：
7、深溝槽，設置在所述像素基底的背面，所述深溝槽用于隔開進入相鄰所述光電傳感區(qū)域的光線，所述隔離介質層填充所述深溝槽并覆蓋所述深溝槽外的像素基底背面。
8、可選的，所述隔離介質層包括：
9、高介電常數(shù)層，隨形地覆蓋所述深溝槽的內表面和所述深溝槽外的像素基底背面；以及
10、氧化層，堆疊在所述高介電常數(shù)層上并填充所述深溝槽，所述氧化層具有平坦的上表面。
11、可選的，所述背照式cmos圖像傳感器包括：
12、金屬格柵，對應于所述深溝槽并間隔著所述隔離介質層設置在所述像素基底的背面。
13、可選的，所述金屬格柵和所述金屬導線包括包括鎢或鋁。
14、可選的，所述像素基底包括像素區(qū)和外圍區(qū)，所述金屬導線對應于所述外圍區(qū)設置。
15、可選的，所述金屬導線的寬度為5μm～250μm。
16、可選的，所述應力釋放插槽的橫截面形狀為三角形、四邊形、五邊形、六邊形、圓形或者橢圓形。
17、可選的，所述金屬導線被暴露所述隔離介質層的溝槽隔離，所述溝槽使所述金屬導線隔斷，至少部分區(qū)段的所述溝槽的寬度小于或等于15μm；所述應力釋放插槽設置于所述溝槽側面的所述金屬導線內。
18、本專利技術提供的背照式cmos圖像傳感器中，金屬導線間隔著隔離介質層設置在所述像素基底的背面，并且至少部分所述金屬導線內具有暴露所述隔離介質層的應力釋放插槽。所述應力釋放插槽可以有效分擔及緩釋從金屬導線指向兩側溝槽方向上的應力，減小所述溝槽內的應力聚集，降低產生泡狀缺陷的幾率，有助于滿足可靠性測試要求；并且，所述應力釋放插槽的設置降低了傳感器背面的金屬材料密度，可以降低金屬材料對像素基底整體產生的應力，避免像素基底向上翹曲，有助于提高背照式cmos圖像傳感器的質量和可靠性。
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1.一種背照式CMOS圖像傳感器，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器，其特征在于，包括：
3.如權利要求2所述的背照式CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述隔離介質層包括：
4.如權利要求2所述的背照式CMOS圖像傳感器，其特征在于，包括：
5.如權利要求4所述的背照式CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述金屬格柵和所述金屬導線包括相同的金屬材料。
6.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述金屬導線的材料包括鎢或鋁。
7.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述像素基底包括像素區(qū)和外圍區(qū)，所述金屬導線對應于所述外圍區(qū)設置。
8.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述金屬導線的寬度為5μm～250μm。
9.如權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述應力釋放插槽的橫截面形狀為三角形、四邊形、五邊形、六邊形、圓形或者橢圓形。
10.如權利要求1至9任一項所述的背照式CM
...【技術特征摘要】
1.一種背照式cmos圖像傳感器，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的背照式cmos圖像傳感器，其特征在于，包括：
3.如權利要求2所述的背照式cmos圖像傳感器，其特征在于，所述隔離介質層包括：
4.如權利要求2所述的背照式cmos圖像傳感器，其特征在于，包括：
5.如權利要求4所述的背照式cmos圖像傳感器，其特征在于，所述金屬格柵和所述金屬導線包括相同的金屬材料。
6.如權利要求1所述的背照式cmos圖像傳感器，其特征在于，所述金屬導線的材料包括鎢或鋁。
7.如權利要求1所述的背照式cmos圖像傳感器，其特征...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：李鎮(zhèn)宇，
申請(專利權)人：武漢新芯集成電路股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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