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    管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器制造技術(shù)

    技術(shù)編號:44532804 閱讀:1 留言:0更新日期:2025-03-07 13:22
    本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其包括密閉絕緣外殼,絕緣外殼的兩端設(shè)置有第一連接端和第二連接端;絕緣外殼內(nèi)部形成一密閉空腔,密閉空腔內(nèi)設(shè)置有一活動塊和兩具有導(dǎo)電性能的限位部,兩限位部之間具有限位空隙,兩限位部分別與第一連接端和第二連接端電性連接;活動塊包括相對的第一端和第二端,第一端設(shè)置有激勵源;第二端的兩側(cè)分別與限位空隙的兩側(cè)緊配合連接,且兩限位部通過第二端建立導(dǎo)電連接;第二端與密閉空腔的內(nèi)壁之間具有讓位空間。具有上述結(jié)構(gòu)的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,可有效減小激勵源的填充量,并降低絕緣外殼的設(shè)計難度;另外,該熔體件整體結(jié)構(gòu)緊湊,便于在對空間要求嚴(yán)苛的場合使用。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及熔斷器,尤其涉及一種管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器


    技術(shù)介紹

    1、在現(xiàn)代電力、電子設(shè)備中,激勵熔斷器作為一種重要的保護元件,其關(guān)鍵功能是通過激勵源產(chǎn)生的沖擊力實現(xiàn)電路的斷開。然而,現(xiàn)有技術(shù)中的激勵熔斷器通常采用多層零部件進行堆疊,這導(dǎo)致了產(chǎn)品在高度方向上占用顯著空間,這已逐漸無法滿足特定場合下產(chǎn)品的小型化需求。

    2、此外,當(dāng)前激勵熔斷器中的激勵源多為氣體發(fā)生裝置,其在觸發(fā)時釋放高壓氣體以中斷主導(dǎo)電體。此過程中產(chǎn)生的巨大沖擊力常常對激勵源的殼體施加較大壓力,增加了殼體開裂和脫離的風(fēng)險。因此,制造過程中需要選擇更高強度的材料和更復(fù)雜的設(shè)計方式,以確保殼體的結(jié)構(gòu)完整性,這無疑增加了制造成本和工藝復(fù)雜度。


    技術(shù)實現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)的目的是提供一種結(jié)構(gòu)緊湊并可有效降低激勵源沖擊力的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器。

    2、為了實現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)提供了一種管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其包括密閉絕緣外殼,所述絕緣外殼的兩端設(shè)置有用于與外部電路連接的第一連接端和第二連接端;所述絕緣外殼內(nèi)部形成一密閉空腔,所述密閉空腔內(nèi)設(shè)置有一活動塊和兩具有導(dǎo)電性能的限位部,兩所述限位部之間具有限位空隙,兩所述限位部分別與所述第一連接端和所述第二連接端電性連接;

    3、所述活動塊包括相對的第一端和第二端,所述第一端設(shè)置有凹部,所述凹部的頂部開口與所述密閉空腔的內(nèi)壁抵接,以使得所述凹部的內(nèi)部空間被密封,所述凹部內(nèi)填充有激勵源,所述絕緣外殼上設(shè)置有與所述激勵源電連接的激勵端;

    4、所述第二端的兩側(cè)分別與所述限位空隙的兩側(cè)緊配合連接,且兩所述限位部通過所述第二端建立導(dǎo)電連接;

    5、所述第二端與所述密閉空腔的內(nèi)壁之間具有讓位空間,所述激勵源用于在所述激勵端提供的激勵信號下生成沖擊力,所述沖擊力能夠帶動所述第二端移出所述限位空隙而進入所述讓位空間。

    6、較佳地,所述密閉空腔內(nèi)還填充有滅弧介質(zhì)。

    7、較佳地,當(dāng)所述活動塊的第二端位于所述限位空隙內(nèi)時,所述凹部的中軸線與所述活動塊的第二端的中軸線重合。

    8、較佳地,所述密閉空腔內(nèi)相對設(shè)置有兩支撐臂,兩所述限位部分別貼附在兩所支撐臂彼此靠近的一端的內(nèi)側(cè),兩所述限位部分別通過一具有導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能的連接臂與所述第一連接端和所述第二連接端電性連接,兩所述連接臂分別位于相應(yīng)位置的所述支撐臂上。

    9、較佳地,所述密閉空腔內(nèi)還設(shè)置有帶有凹槽的支撐臺,兩所述支撐臂彼此靠近的一端分別與所述支撐臺的兩端連接,所述支撐臺內(nèi)的凹槽形成所述讓位空間。

    10、較佳地,所述活動塊的第二端的靠近所述限位部的兩側(cè)分別設(shè)置有第一熔體件,兩所述第一熔體件通過設(shè)置在所述第二端另一側(cè)面上的第二熔體件電性連接;所述第一熔體件和所述第二熔體件可在異常電流下熔斷。

    11、較佳地,所述第一熔體件和所述第二熔體件為片狀結(jié)構(gòu),所述第一熔體件上間隔設(shè)置有若干第一隔斷部,所述第二熔體件上間隔設(shè)置有若干第二隔斷部,所述第一隔斷部的直徑大于所述第二隔斷部的直徑,以使得所述第一熔體件先于所述第二熔體件熔斷。

    12、較佳地,所述第一熔體件與所述活動塊的第二端的側(cè)壁之間設(shè)置有彈性片,所述彈性片朝向所述第一熔體件的一側(cè)彎曲,以為所述第一熔體件提供與所述限位部緊密抵接的彈性抵頂力。

    13、較佳地,兩所述限位部分別通過一具有導(dǎo)電性能的連接臂與所述第一連接端和所述第二連接端電性連接,兩所述連接臂之間還通過第三熔體件電性連接,且所述第三熔體件的電阻值遠大于所述第一熔體件的電阻值,所述第三熔體件橫穿所述讓位空間,且所述活動塊進入所述讓位空間后能夠?qū)⑺龅谌垠w件拉斷;所述密閉空腔內(nèi)還填充有滅弧介質(zhì);所述第三熔體件的至少部分被包覆在所述滅弧介質(zhì)中。

    14、較佳地,述活動塊的第二端,在電弧燒蝕下可產(chǎn)生滅弧氣體。

    15、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本專利技術(shù)上述技術(shù)方案提供的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,在絕緣外殼形成的密閉空腔中,通過兩限位部構(gòu)建用于夾持活動塊的限位空隙,活動塊的一端與該限位空隙緊配合連接,而且還為活動塊提供一讓位空間,這樣,只需較小的沖擊力即可帶動活動塊移出限位空間而進入讓位空間,從而沖斷熔斷器所在電路的導(dǎo)電連接,因此,可有效減小激勵源的填充量,并降低絕緣外殼的設(shè)計難度;另外,該熔體件整體結(jié)構(gòu)緊湊,便于在對空間要求嚴(yán)苛的場合使用。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】

    1.一種管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,包括密閉絕緣外殼,所述絕緣外殼的兩端設(shè)置有用于與外部電路連接的第一連接端和第二連接端;所述絕緣外殼內(nèi)部形成一密閉空腔,所述密閉空腔內(nèi)設(shè)置有一活動塊和兩具有導(dǎo)電性能的限位部,兩所述限位部之間具有限位空隙,兩所述限位部分別與所述第一連接端和所述第二連接端電性連接;

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,所述密閉空腔內(nèi)還填充有滅弧介質(zhì)。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,當(dāng)所述活動塊的第二端位于所述限位空隙內(nèi)時,所述凹部的中軸線與所述活動塊的第二端的中軸線重合。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,所述密閉空腔內(nèi)相對設(shè)置有兩支撐臂,兩所述限位部分別貼附在兩所支撐臂彼此靠近的一端的內(nèi)側(cè),兩所述限位部分別通過一具有導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能的連接臂與所述第一連接端和所述第二連接端電性連接,兩所述連接臂分別位于相應(yīng)位置的所述支撐臂上。

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,所述密閉空腔內(nèi)還設(shè)置有帶有凹槽的支撐臺,兩所述支撐臂彼此靠近的一端分別與所述支撐臺的兩端連接,所述支撐臺內(nèi)的凹槽形成所述讓位空間。

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,所述活動塊的第二端的靠近所述限位部的兩側(cè)分別設(shè)置有第一熔體件,兩所述第一熔體件通過設(shè)置在所述第二端另一側(cè)面上的第二熔體件電性連接;所述第一熔體件和所述第二熔體件可在異常電流下熔斷。

    7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,所述第一熔體件和所述第二熔體件為片狀結(jié)構(gòu),所述第一熔體件上間隔設(shè)置有若干第一隔斷部,所述第二熔體件上間隔設(shè)置有若干第二隔斷部,所述第一隔斷部的直徑大于所述第二隔斷部的直徑,以使得所述第一熔體件先于所述第二熔體件熔斷。

    8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,所述第一熔體件與所述活動塊的第二端的側(cè)壁之間設(shè)置有彈性片,所述彈性片朝向所述第一熔體件的一側(cè)彎曲,以為所述第一熔體件提供與所述限位部緊密抵接的彈性抵頂力。

    9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,兩所述限位部分別通過一具有導(dǎo)電性能的連接臂與所述第一連接端和所述第二連接端電性連接,兩所述連接臂之間還通過第三熔體件電性連接,且所述第三熔體件的電阻值遠大于所述第一熔體件的電阻值,所述第三熔體件橫穿所述讓位空間,且所述活動塊進入所述讓位空間后能夠?qū)⑺龅谌垠w件拉斷;所述密閉空腔內(nèi)還填充有滅弧介質(zhì);所述第三熔體件的至少部分被包覆在所述滅弧介質(zhì)中。

    10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,述活動塊的第二端,在電弧燒蝕下可產(chǎn)生滅弧氣體。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,包括密閉絕緣外殼,所述絕緣外殼的兩端設(shè)置有用于與外部電路連接的第一連接端和第二連接端;所述絕緣外殼內(nèi)部形成一密閉空腔,所述密閉空腔內(nèi)設(shè)置有一活動塊和兩具有導(dǎo)電性能的限位部,兩所述限位部之間具有限位空隙,兩所述限位部分別與所述第一連接端和所述第二連接端電性連接;

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,所述密閉空腔內(nèi)還填充有滅弧介質(zhì)。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,當(dāng)所述活動塊的第二端位于所述限位空隙內(nèi)時,所述凹部的中軸線與所述活動塊的第二端的中軸線重合。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,所述密閉空腔內(nèi)相對設(shè)置有兩支撐臂,兩所述限位部分別貼附在兩所支撐臂彼此靠近的一端的內(nèi)側(cè),兩所述限位部分別通過一具有導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能的連接臂與所述第一連接端和所述第二連接端電性連接,兩所述連接臂分別位于相應(yīng)位置的所述支撐臂上。

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,所述密閉空腔內(nèi)還設(shè)置有帶有凹槽的支撐臺,兩所述支撐臂彼此靠近的一端分別與所述支撐臺的兩端連接,所述支撐臺內(nèi)的凹槽形成所述讓位空間。

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管狀結(jié)構(gòu)激勵熔斷器,其特征在于,所述活動塊的第二端的靠近所述限位部的兩側(cè)分別設(shè)置有...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:劉野,請求不公布姓名
    申請(專利權(quán))人:浙江中貝能源科技有限公司,
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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