圖案化基底的方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種圖案化基底的方法，所述方法包括：在基底上以預(yù)定圖案施加具有可電離取代基的有機組合物；和在所述可電離取代基和離子物種之間進(jìn)行離子交換。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及在基底上準(zhǔn)備圖案，更具體地，涉及在基底上準(zhǔn)備金 屬化的圖案。
技術(shù)介紹
形成小尺寸部件(features)是改進(jìn)制造方法一直追求的目標(biāo)。制 品的導(dǎo)電部件同樣如此，并且還可能需要提供了導(dǎo)電線路(trace)的小尺 寸圖案化。化學(xué)沉積是用于制造微型部件的鍍敷方法。化學(xué)沉積的化 學(xué)品和工藝已經(jīng)建立了相當(dāng)長的一段時間，且通常可商購獲得。
技術(shù)實現(xiàn)思路
所公開的為，所述方法包括在基底上以預(yù)定圖 案施加具有可電離取代基的有機組合物；和在可電離取代基和離子物 種之間進(jìn)行離子交換的步驟。所公開的為在基底上產(chǎn)生金屬圖案的方法，所述方法包括如下步 驟在基底上以預(yù)定圖案施加含二丙烯酸鋅的有機組合物，用UV輻射 使所述有機組合物聚合，用至少55r的去離子水漂洗聚合的有機組合 物，在聚合的有機組合物和含銀鹽的浴液之間進(jìn)行離子交換，在去離 子水中漂洗經(jīng)離子交換的聚合的有機組合物，以及在經(jīng)離子交換的聚 合的有機組合物上進(jìn)行化學(xué)鍍銅。所公開的為，所述方法包括在基底上以預(yù)定圖案施加具有可電離取代基的有機組合物；漂洗己圖案化的基底；在可電離取代基和離子物種之間進(jìn)行離子交換；漂洗經(jīng)離子交換的基底；在經(jīng)離子交換的基底上進(jìn)行化學(xué)沉積；和漂洗基底。所公開的為，所述方法包括向基底上施加可輻射固化的有機組合物；固化有機組合物的至少一部分；除去未固化部分以形成固化的有機組合物的圖案；和進(jìn)行離子交換以用電離物種取代可電離取代基。所公開的為制品，其包括基底；已圖案化的有機組合物；和已圖案化的金屬涂層，其中所述已圖案化的有機組合物被已圖案化的金屬涂層覆蓋，從而形成整體特征，且其中所述整體特征的尺寸為至少約1Mm寬且直至20nm高。此外所公開的為這類制品，其中所述金屬涂層的厚度為至少約1 A。附圖說明圖1顯示了本文中所公開的示例性方法。圖2顯示了本文中所公開的示例性方法。圖3顯示了本文中所公開的示例性方法。圖4顯示了在其上已經(jīng)進(jìn)行了本文中所公開方法之后的基底。圖5顯示了本文中所公開的示例性方法。圖6a和6b顯示了實施例1中所述示例性方法的部分。圖7a和7b顯示了實施例2中所述示例性方法的結(jié)果。圖8顯示了實施例3中所述示例性方法的結(jié)果。圖9a、 9b、 9c和9d顯示了實施例4中所述示例性方法的部分。圖10a和10b顯示了實施例5中所述示例性方法的部分。具體實施例方式應(yīng)當(dāng)理解，預(yù)期除了本文中提及的實施方案之外的實施方案，且其可以完成而不背離本專利技術(shù)的范圍或主旨。因此，不應(yīng)當(dāng)將下面的具 體實施方式理解為限制的意義。除非另有說明，本文中所使用的所有科學(xué)和技術(shù)術(shù)語具有本領(lǐng)域 所通用的含義。本文中所提供的定義是用于幫助理解本文中頻繁使用 的特定術(shù)語而不是用于限制本專利技術(shù)的范圍。除非另有陳述，在說明書和權(quán)利要求書中所使用的表達(dá)部件尺寸、 數(shù)量和物理性質(zhì)的所有數(shù)字，應(yīng)當(dāng)理解為在所有情況下都被術(shù)語"約" 修飾。因此，除非相反地陳述，在前述說明書和所附的權(quán)利要求書中 所提出的數(shù)值參數(shù)都是可以根據(jù)所需性質(zhì)而變化的近似值，所述近似 值是本領(lǐng)域技術(shù)人員利用本文中公開的教導(dǎo)進(jìn)行探究而得到的。通過端點列舉的數(shù)字范圍包括包含在所述范圍內(nèi)的所有數(shù)字(例如，1 5包括1、 1.5、 2、 2.75、 3、 3.80、 4和5)和所述范圍內(nèi)的任一 范圍。如在本說明書和所附的權(quán)利要求書中所使用的，除非內(nèi)容另外清 楚地規(guī)定，單數(shù)形式包括具有復(fù)數(shù)個對象的實施方案。如在本說明書 和所附的權(quán)利要求書中所使用的，除非內(nèi)容另外清楚地規(guī)定，術(shù)語"或 者"通常以其包含"和/或"的意義使用。本文中所公開的為。對基底圖案化通常涉及表 面上的涂層，所述涂層沒有恒定的厚度。在一個實施方案中，對基底 圖案化通常可以涉及較薄和較厚區(qū)域的圖案。在一個實施方案中，對 基底圖案化通常涉及利用材料僅覆蓋基底的選定區(qū)域。所述選定區(qū)域 可以展示基底上的規(guī)則或重復(fù)幾何排列、基底上的隨機排列、或既不 是隨機又不是重復(fù)而是包含或缺乏對稱形狀或重復(fù)形狀的特殊設(shè)計的 排列。己圖案化的基底可僅在基底表面的一個區(qū)域上具有材料，或者， 所述已圖案化的基底可以存在于基底表面的超過一個區(qū)域上，但是已圖案化的基底不會在基底表面的所有區(qū)域上具有材料。用于本文中所公開方法中的基底或本文中所公開制品的部件可以 由任意一種適合的材料制備。用于本文中所公開方法中的基底可以為 柔性的或硬的。在一些實施方案中，基底可以由金屬制成。可以包含 在基底中的金屬材料的實例包括但不限于銦和鉛。基底還可以由聚合物材料或超過一種的聚合物材料來制備。可以 包含在基底中的聚合物材料的實例包括但不限于熱塑性聚合物。熱塑 性聚合物的實例包括但不限于聚烯烴、聚丙烯酸酯、聚酰胺、聚碳酸 酯、聚砜、聚醚砜和聚酯。熱塑性聚合物的其它實例包括聚乙烯、聚 丙烯、聚苯乙烯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、雙酚A的聚碳酸酯、聚(氯乙烯)、聚(對苯二甲酸乙二醇酯)(PET)、聚(萘二甲酸乙二醇酯)(PEN)和聚(偏二氟乙烯)。基底還可以由玻璃材料、玻璃-陶瓷、陶瓷、半導(dǎo)體或其組合來制 備。有用的玻璃的實例包括但不限于硅酸鹽、鍺酸鹽、磷酸鹽和硫?qū)?元素化物。含結(jié)晶微結(jié)構(gòu)的玻璃-陶瓷也可以用作基底材料。玻璃-陶瓷 提供了玻璃可成形性容易以及高強度和韌性。基底還可以包括陶瓷。 有用的陶瓷的實例包括氧化物、氮化物、硼化物和碳化物。基底還可以包括半導(dǎo)體。有用的半導(dǎo)體的實例包括但不限于IV族元素、II族和 VI族元素的二元化合物、III族和V族元素的二元化合物以及它們的各 種合金。基底還可以由包括但不限于上述那些材料中的超過一種的材 料來制備。例如，基底可以包括具有玻璃或陶瓷材料的涂層的半導(dǎo)體 晶體。至少部分基于大量因素，可以選擇所使用基底的具體類型，所述 因素包括但不限于將利用的圖案化方法、所制造的制品的最終應(yīng)用或 其組合。圖1顯示了圖案化基底的示例性方法，所述方法包括在基底100 上以預(yù)定圖案施加具有可電離取代基的有機組合物的步驟，和在所述 可電離取代基和離子物種105之間進(jìn)行離子交換的隨后步驟。在基底100上以預(yù)定圖案施加具有可電離取代基的有機組合物的 步驟，可以使用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的用于在基底上以預(yù)定圖案施 加組合物的任意一種技術(shù)來完成。在基底上以預(yù)定圖案施加具有可電 離取代基的有機組合物的步驟在本文中也稱作在基底上以預(yù)定圖案施 加組合物。已經(jīng)閱讀了本說明書的本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知道可以用于 該步驟中的各種技術(shù)。在基底上產(chǎn)生圖案的示例性技術(shù)包括但不限于模具涂布、沖壓、 微型復(fù)制、噴印(如噴墨印刷)、劃線、絲網(wǎng)印刷、粘附、膠版印刷、壓花、熱轉(zhuǎn)印、激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)、光刻、光圖案化和模壓。在實施方案中，在基底上以預(yù)定圖案施加組合物的步驟包括沖壓、噴墨印刷、 微型膠版印刷、微型復(fù)制、激光誘導(dǎo)熱成像和模壓。在一個實例中，在基底上以預(yù)定圖案施加組合物的步驟，不涉及在基底上進(jìn)行的任何一種減成工藝(subtractive process)。例如，在示 例性實施方案中，以預(yù)定圖案施加組合物的步驟不包括蝕刻，或施加 整層，之后通過所述整層的圖案化而除去所述層的一部分。在實例中，在基底100上以預(yù)定圖案施加組合物的步驟包括超過 一個的步驟。在圖2中顯示了在基底上產(chǎn)生組合物圖案的多步法的實 例。在該示例性方法中的第一本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種圖案化基底的方法，其包括：　在基底上以預(yù)定圖案施加具有可電離取代基的有機組合物；和　在所述可電離取代基和離子物種之間進(jìn)行離子交換。

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：約瑟夫WV伍德利，托馬斯E伍德，
申請(專利權(quán))人：三M創(chuàng)新有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：US[美國]