本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)提供真空處理系統(tǒng)及基板搬送方法。真空處理系統(tǒng)（１）具備：第一處理部（２），其在搬送晶片（Ｗ）的第一搬送室（１１）上連接ＰＶＤ處理室（１２～１５）而成；第二處理部（３），其在搬送晶片的第二搬送室（２１）上連接ＣＶＤ處理室（２２、２３）而成；緩沖室（５ａ），其隔著門(mén)閥（Ｇ）設(shè)于第一搬送室（１１）及第二搬送室（１２）之間，可以收容晶片（Ｗ），并且可以進(jìn)行壓力調(diào)整；控制部（１１０），其如下進(jìn)行控制，即，將緩沖室（５ａ）與第一搬送室（１１）及第二搬送室（１２）的任意一方選擇性地連通，按照使其內(nèi)部的壓力適合于所連通的搬送室內(nèi)的壓力的方式，控制門(mén)閥（Ｇ）的開(kāi)閉及緩沖室（５ａ）的壓力。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及在可以保持為真空的搬送室中配置處理室而成的真空 處理系統(tǒng)及真空處理系統(tǒng)中的基板搬送方法。
技術(shù)介紹
在半導(dǎo)體器件的制造工序中，在作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片(以 下筒記為晶片)上，為了形成接觸結(jié)構(gòu)或布線結(jié)構(gòu)，進(jìn)行形成多個(gè)金屬 或金屬化合物膜的加工。此種成膜處理是在保持為真空的處理室內(nèi)進(jìn)行 的，然而最近，從處理的有效化的觀點(diǎn)、以及抑制氧化或污染物等污染的觀點(diǎn)出發(fā)，如下的群集工具(cluster tool)型的多腔室系統(tǒng)受到關(guān)注， 即，將多個(gè)處理室與保持為真空的搬送室連結(jié)，從而能夠利用設(shè)于該搬 送室中的搬送裝置向各處理室搬送晶片(例如日本特開(kāi)平3-19252號(hào)公 報(bào))。此種多腔室系統(tǒng)中，由于可以使晶片不暴露于大氣中，連續(xù)地形 成多個(gè)膜，因此可以進(jìn)行極為有效并且污染極少的處理。但是，近來(lái)，半導(dǎo)體器件的成膜處理有利用濺射等PVD (Physical Vappor Deposition)進(jìn)4亍的情況、利用 CVD (Chemical Vappor Deposition)進(jìn)行的情況，該情況下，如果可以將進(jìn)行這些處理的處理 室搭載于相同的多腔室系統(tǒng)中，則可以進(jìn)行有效的處理。但是，它們一 般來(lái)說(shuō)所要求的真空度不同，PVD —方要在低壓下進(jìn)行處理。另外， 一般來(lái)說(shuō)在進(jìn)行CVD時(shí)會(huì)產(chǎn)生污染成分。由此，在單純地在相同的搬 送室中配置CVD處理室和PVD處理室的情況下，CVD處理室的污染 成分很容易擴(kuò)散到PVD處理室中，產(chǎn)生在PVD處理室中形成的膜的污 染、PVD處理室自身的污染。作為防止此種情況的技術(shù)，提出過(guò)如下的技術(shù)，即構(gòu)成為按照可以 控制流量的同時(shí)向搬送室導(dǎo)入清掃氣體，在將作為處理對(duì)象物的晶片向 規(guī)定的處理室搬送時(shí)，使搬送室的壓力高于該處理室的壓力(日本特開(kāi) 平10-270527號(hào)^H1 )。但是，在PVD處理和CVD處理中所要求的壓力水平一般來(lái)說(shuō)相差 10000倍以上，在進(jìn)行晶片相對(duì)于CVD處理室的搬入搬出時(shí)需要將搬 送室設(shè)為更高的壓力，因此在專(zhuān)利文獻(xiàn)2的技術(shù)中，為了進(jìn)行壓力調(diào)整 要花費(fèi)時(shí)間，從而有生產(chǎn)率降低的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專(zhuān)利技術(shù)的目的在于，提供如下的，具 有所要求的壓力水平相對(duì)為高壓力水平的處理室和相對(duì)為低壓力水平 的處理室，可以不存在來(lái)自其他的處理室的污染，并且不降低生產(chǎn)率地 在各處理室中進(jìn)行處理。根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的第一觀點(diǎn)，提供一種真空處理系統(tǒng)，具備第一處理部、 第二處理部、緩沖室、控制機(jī)構(gòu)，上述第一處理部具有第一處理室， 其在相對(duì)低的壓力下對(duì)被處理基板進(jìn)行真空處理；第一搬送室，其連接 上述第一處理室，內(nèi)部被調(diào)整為適合于上述笫一處理室的處理壓力的真 空度；搬送機(jī)構(gòu)，其設(shè)于上述第一搬送室中，將被處理基板相對(duì)于上述 第一處理室搬入搬出，上述第二處理部具有第二處理室，其在相對(duì)高 的壓力下對(duì)被處理體進(jìn)行真空處理；第二搬送室，其連接上述第二處理 室，內(nèi)部被調(diào)整為適合于上述第二處理室的處理壓力的真空度；搬送機(jī) 構(gòu)，其設(shè)于上述笫二搬送室中，將被處理基板相對(duì)于上述第二處理室搬 入搬出，上述緩沖室隔著門(mén)閥設(shè)于上述第一搬送室及所述第二搬送室之 間，在其內(nèi)部可以收容被處理基板，并且其內(nèi)部可以進(jìn)行壓力調(diào)整，上 述控制機(jī)構(gòu)如下所示地進(jìn)行控制在將被處理基板從上述第一搬送室及 上述第二搬送室的任意一方向另 一方搬送時(shí)，在關(guān)閉了上述門(mén)閥的狀態(tài) 下，使上述緩沖室的壓力適合于上述第一搬送室及上述第二搬送室中的 存在被處理基板的一方的壓力，打開(kāi)該存在被處理基板的搬送室和上述 緩沖室之間的門(mén)閥而使它們之間選擇性地連通，將被處理基板向上述緩 沖室搬入，關(guān)閉上述門(mén)閥而將上述緩沖室與上述第一及第二搬送室隔 斷，在該狀態(tài)下使上述緩沖室的壓力適合于另一方的搬送室的壓力，打 開(kāi)上述緩沖室與上述另一方的搬送室之間的門(mén)閥而將被處理基板從上 述緩沖室向另一方的搬送室搬送。在上述第一觀點(diǎn)的真空處理系統(tǒng)中，作為上述第一處理室可以應(yīng)用 進(jìn)行PVD處理的PVD處理室，作為上述第二處理室可以應(yīng)用進(jìn)行CVD7處理的CVD處理室。該情況下，上述第二搬送室優(yōu)選保持為比上述第 二處理室高的壓力。另外，該情況下，可以將上述第一處理室保持為1 x 10_7~1 x 10-3Pa的壓力，將上述第二處理室保持為1 x 101 1 x io3Pa的 壓力。上述緩沖室可以采用如下的構(gòu)成，即，具有將其中排氣的排氣機(jī)構(gòu)、 向其中導(dǎo)入氣體的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，可以利用上述排氣機(jī)構(gòu)和上述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)調(diào)整壓力。上述第一搬送室可以采用如下的構(gòu)成，即，具有將其 中排氣的排氣機(jī)構(gòu)，利用該排氣機(jī)構(gòu)設(shè)為適合于上述笫一處理室的壓 力。上述第二搬送室可以采用如下的構(gòu)成，即，具有將其中排氣的排氣 機(jī)構(gòu)、向其中導(dǎo)入氣體的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，利用這些排氣機(jī)構(gòu)和氣體導(dǎo)入 機(jī)構(gòu)設(shè)為適合于上述處理室的壓力。另外，在上述笫一觀點(diǎn)的真空處理系統(tǒng)中，還具有其他的緩沖室， 其隔著門(mén)閥設(shè)于上述第一搬送室及上述第二搬送室之間，在其內(nèi)部可以 收容被處理基板，并且其內(nèi)部可以進(jìn)行壓力調(diào)整，上述緩沖室在從上述 第一搬送室向上述第二搬送室搬送被處理基板時(shí)被使用，上述其他的緩 沖室在從上述第二搬送室向上述第一搬送室搬送被處理基板時(shí)被使用。根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的第二觀點(diǎn)，提供一種基板搬送方法，是在真空處理系 統(tǒng)中將被處理基板從第一搬送室及第二搬送室的任意一方向另一方搬 送的基板搬送方法，該真空處理系統(tǒng)具備第一處理部、第二處理部、緩 沖室，上述第一處理部具有上述第一處理室，其在相對(duì)低的壓力下對(duì) 被處理基板進(jìn)行真空處理；第一搬送室，其連接上述第一處理室，內(nèi)部 被調(diào)整為適合于上迷第一處理室的處理壓力的真空度；搬送機(jī)構(gòu)，其設(shè) 于上述第一搬送室中，將被處理基板相對(duì)于上述第一處理室搬入搬出， 上述第二處理部具有第二處理室，其在相對(duì)高的壓力下對(duì)被處理體進(jìn) 行真空處理；上述第二搬送室，其連接上述第二處理室，內(nèi)部被調(diào)整為 適合于上述第二處理室的處理壓力的真空度；搬送機(jī)構(gòu)，其設(shè)于上述第 二搬送室中，將被處理基板相對(duì)于上述第二處理室搬入搬出，上述緩沖 室隔著門(mén)閥設(shè)于上述第一搬送室及上述第二搬送室之間，在其內(nèi)部可以 收容被處理基板，并且其內(nèi)部可以進(jìn)行壓力調(diào)整，上述基板搬送方法具 有在關(guān)閉了上述門(mén)闊的狀態(tài)下，使上述緩沖室的壓力適合于上述第一 搬送室及上述第二搬送室中的存在被處理基板的一方的壓力的工序；打開(kāi)該存在被處理基板的搬送室和上述緩沖室之間的門(mén)閥而使它們之間選擇性地連通的工序；從上述存在被處理基板的搬送室向上述緩沖室搬 入被處理基板的工序；關(guān)閉上述門(mén)閥而將上述緩沖室與上述第 一及第二 搬送室隔斷的工序；在該狀態(tài)下使上述緩沖室的壓力適合于另一方的搬 送室的壓力的工序；打開(kāi)上述緩沖室與上述另一方的搬送室之間的門(mén)岡 的工序；將被處理基板從上述緩沖室向另一方的搬送室搬送的工序。在上述第二觀點(diǎn)的基板搬送方法中，作為上述第一處理室可以應(yīng)用 進(jìn)行PVD處理的PVD處理室，作為上述第二處理室可以應(yīng)用進(jìn)行CVD 處理的CVD處理室。根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的第三觀點(diǎn)，提供一種存儲(chǔ)介質(zhì)，是在計(jì)算機(jī)上動(dòng)作、 可以使計(jì)算機(jī)讀取存儲(chǔ)了用于控制真空處理系統(tǒng)的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)，該 真空處理系統(tǒng)具備第一處理部、第二處理部、緩沖室，上述第一處理部 具有第一處理室，其在相對(duì)低的壓力下對(duì)被處理基板進(jìn)行真空處理； 第一搬送室，其連接上本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種真空處理系統(tǒng)，具備：第一處理部、第二處理部、緩沖室、控制機(jī)構(gòu)， 所述第一處理部具有： 第一處理室，其在相對(duì)低的壓力下對(duì)被處理基板進(jìn)行真空處理； 第一搬送室，其連接所述第一處理室，內(nèi)部被調(diào)整為適合于所述第一處理室的處理壓力的真空度； 搬送機(jī)構(gòu)，其設(shè)于所述第一搬送室中，將被處理基板相對(duì)于所述第一處理室搬入搬出， 所述第二處理部具有： 第二處理室，其在相對(duì)高的壓力下對(duì)被處理體進(jìn)行真空處理； 第二搬送室，其連接所述第二處理室，內(nèi)部被調(diào)整為適合于所述第二處理室的處理壓 力的真空度； 搬送機(jī)構(gòu)，其設(shè)于所述第二搬送室中，將被處理基板相對(duì)于所述第二處理室搬入搬出， 所述緩沖室隔著門(mén)閥設(shè)于所述第一搬送室及所述第二搬送室之間，在其內(nèi)部可以收容被處理基板，并且其內(nèi)部可以進(jìn)行壓力調(diào)整， 所述控制機(jī)構(gòu)如下進(jìn)行控制： 在將被處理基板從所述第一搬送室及所述第二搬送室的任意一方向另一方搬送時(shí)，在關(guān)閉了所述門(mén)閥的狀態(tài)下，使所述緩沖室的壓力適合于所述第一搬送室及所述第二搬送室中的存在被處理基板的一方的壓力，打開(kāi)該存在被處理基板的搬送室和所述緩沖室之間的門(mén)閥而使它們之間選擇性地連通，將被處理基板搬入到所述緩沖室，關(guān)閉所述門(mén)閥而將所述緩沖室與所述第一及第二搬送室隔斷，在該狀態(tài)下使所述緩沖室的壓力適合于另一方的搬送室的壓力，打開(kāi)所述緩沖室與所述另一方的搬送室之間的門(mén)閥而將被處理基板從所述緩沖室向另一方的搬送室搬送。...
【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：宮下哲也，平田俊治，原正道，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：JP[日本]
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