本發明專利技術涉及一種包含陽極Ａｎ和陰極Ｋａ和配置在陽極Ａｎ和陰極Ｋａ之間的發光層Ｅ和合適的話至少一個其它層的有機發光二極管，其中所述發光層Ｅ和／或至少一個其它層包含至少一種選自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷雜環戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩Ｓ－氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩Ｓ，Ｓ－二氧化物的化合物，本發明專利技術還涉及一種包含至少一種上述化合物的發光層，上述化合物作為基質材料、空穴／激子阻擋材料、電子／激子阻擋材料、空穴注入材料、電子注入材料、空穴導體材料和／或電子導體材料的用途，以及涉及一種選自包含至少一種本發明專利技術有機發光二極管的固定可視顯示單元、移動的可視顯示單元和照明單元的器件。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】包含至少一種選自二曱硅烷基呼唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二曱硅 烷基二苯并瘞吩、二甲硅烷基二苯并磷雜環戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩s-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩s，s-二氧化物的二曱硅烷基化合物的有機發光二極管本專利技術涉及一種包含陽極An和陰極Ka和發光層E和合適的話至少 一個其它層的有機發光二極管，其中所M光層E和/或至少一個其它層包 含至少一種選自二曱硅烷基吵唑、二曱硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二 苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷雜環戊二烯、二甲硅烷基二苯并瘞吩S-氧 化物和二曱硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本專利技術還涉及一種 包含至少一種上述化合物的發光層，上述化合物作為基質材料、空穴/激子 阻擋材料、電子/激子阻擋材料、空穴注入材料、電子注入材料、空穴導體 材料和/或電子導體材料的用途，以及涉及一種選自包含至少一種本專利技術有 機發光二極管的固定可視顯示單元、移動的可視顯示單元和照明單元的器 件。有機發光二極管(OLED)利用了材料在受到電流激發時的發光性能。作 為陰極射線管和液晶顯示器的替代品以生產平面可視顯示單元，OLED尤 其受到關注。包含OLED的器件由于非常緊密的構造和固有的低能耗，它 們特別適于移動應用，例如用于移動電話、筆記本電腦等，以及用于照明。OLED作用方式的基本原理和合適的OLED構造(層)對本領域熟練技 術人員已知且例如描述于WO 2005/113704中，在此引用該文獻。除了熒 光材料(熒光發射體)外，所用發光材料(發射體)還可以為磷光材料(磷光發 射體)。磷光發射體通常為有機金屬配合物，其與顯示單線態發射的熒光發 射體相比而顯示三線態發射(三線態發射體)((M. A. Baldow等，Appl. Phys. Lett. 1999， 75, 4-6)。因為量子力學原因，當使用三線態發射體(磷光發射 體)時，至多四倍量子效率、能量效率和功率系數是可能的。為了實現有機 金屬三線態發射體(磷光發射體)在實踐中的使用優點，必需提供操作壽命長、效率好、對熱應力穩定性高及使用電壓和操作電壓低的器件組件。這類器件組件例如可包含其中實際發光體以分布形式存在的特定的基 質材料中。此外，組件可包含阻擋材料，其中空穴阻擋劑、激子阻擋劑和/ 或電子阻擋劑可存在于器件組件中。額外或作為替換，器件組件可進一步 包含空穴注入材料和/或電子注入材料和/或空穴導體材料和/或電子導體材料。上述用于與實際發光體組合的材料的選擇對包括OLED的效率和壽命 的參數具有顯著影響。現有技術提出了許多用于OLED不同層的不同材料。 US 2005/0238919 Al涉及一種包含至少一種含有兩個或更多個珪原子 的芳基化合物的有機發光二極管。列舉在US 2005/0238919 Al中的材料優 選用作發光層中的基質材料。包含二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二 苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷雜環戊二烯、二甲硅烷基二苯并瘞吩S-氧 化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物或呻唑的有機發光二極管未公 開在US 2005/0238919 Al中，其中當呻唑僅用于發光層或類似地用于發光 層和空穴導體層時，其具有至少一個其它雜原子。此外，US 2005/0238919 Al列舉了大量不同取代的含硅化合物，但是僅有具有下式的式(l-l)和(l-2) 的含硅化合物用于本申請的實施例中(1-2) <formula>formula see original document page 9</formula>Tsai等人，Adv. Mater.， 2006，第18巻，第9期，第1216-1220頁 公開了包含9-(4-叔丁基苯基)-3，6-二(三苯基甲硅烷基)咔唑作為基質材料 的有機發藍光二極管。Yang等人，Angew. Chem. 2007， 119, 2470-2473涉及適用于磷光 OLED的發藍光的混合型(heteroleptic)銥(III)配合物。在Yang等人的實施 例中，除了作為基質材料的9-(4-叔丁基苯基)-3，6-二(三苯基甲硅烷基)咔唑 之外，空穴輸送材料和位于空穴導體層和發射體層之間的激子阻擋材料為 9-(4-叔丁基苯基)-3，6-二(三苯基甲硅烷基)呼唑。JP 2004253298 A涉及其中取代的三苯基硅烷用作基質材料的有機發 白光二極管。因此，相對于現有技術，本專利技術的目的為提供包含用于改進OLED性 能的新材料的用于OLED的新器件組件。適合新器件組件的材料應該易于 獲得，且與發射體組合為OLED帶來良好的效率和良好的壽命。該目的通過提供包含陽極An和陰極Ka和發光層E和合適的話至少 一個選自如下的其它層的有機發光二極管而實現至少一個電子/激子阻擋 層，至少一個空穴/激子阻擋層，至少一個空穴注入層，至少一個空穴導體 層，至少一個電子注入層和至少一個電子導體層，其中有機發光二極管包含至少一種存在于發光層E和/或至少一個其它層 中的通式I的化合物(R、>^rW^(Rb)r(i)其中X為NR1、 S、 O、 PR1、 S02或SO;W為取代或未取代的CVC2o烷基、取代或未取代的CVC3o芳基，或取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基； R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7各自獨立地為取代或未取代的C廣C2Q烷基，或取代或未取代的CVC3。芳基，或通式(c)的結構、s,10Ra， Rb各自獨立地為取代或未取代的C廣C2o烷基，取代或未取代的C6-C30 芳基，或取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基或選自如下的具有 給體或受體作用的取代基C廣C2o烷氧基、C6-C鄧芳氧基、C廣C2o烷石克 基、CVC3o芳硫基、SiR14R15R16、囟素基團、卣代C廣C加烷基、羰基 (-CO(R14))、羰硫基(-00(SR14))、羰氧基(-C=0(OR14》、氧羰基 (-OCO(R14》、硫羰基(-SC-O(R"))、氨基(國NR"R15)、 OH、擬鹵素基 團、酰胺基(-C-O(NR"))、 -NR14C=0(R15)、膦酸根(-P(0)(OR14)2)、磷 酸根(-OP(0)(OR14)2)、膦(-PR"R15)、氧化膦(-P(0)R142)、硫酸根 (-OS(0)20R")、亞砜(-S(0)R14)、磺酸根(畫S(0)20R14)、磺酰基(-S(0)2R14)、 磺酰胺(-S(0)2NR"R15)、 N02、有機硼酸酯(-OB(OR14)2)、亞氨基 (-ONR"R15)、硼烷基團、錫烷基團、肼基、腙基、肟基、亞硝基、重 氮基、乙烯基、亞砜亞胺、鋁烷、鍺烷、環硼氧烷(boroxime)和環硼氮 坑;R14、 R15、 R"各自獨立地為取代或未取代的d-C2o烷基，或取代或未取代 的C6-C3Q芳基；q、 r各自獨立地為0、 1、 2或3;其中，在q或r為0的情況下，芳基的 所有可取代位置由氬取代，其中在式(c)基團中基團和指數X'"、 R5"'、 R6"'、 R7'"、 Ra"'、 Rb"'、 q"' 和r"'各自獨立地如對通式(I)的化合物的基團和指數X、 R5、 R6、 R7、 Ra、 Rb、 q和r所定義； 其中在通式(I)化合物僅存在于發光層或發本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種包含陽極Ａｎ和陰極Ｋａ和發光層Ｅ和合適的話至少一個選自如下的其它層的有機發光二極管：至少一個電子／激子阻擋層，至少一個空穴／激子阻擋層，至少一個空穴注入層，至少一個空穴導體層，至少一個電子注入層和至少一個電子導體層， 其中有機發光二極 管包含至少一種存在于發光層Ｅ和／或至少一個其它層中的通式Ⅰ的化合物： ＊＊＊ （Ⅰ） 其中： Ｘ為ＮＲ↑［１］、Ｓ、Ｏ、ＰＲ↑［１］、ＳＯ↓［２］或ＳＯ； Ｒ↑［１］為取代或未取代的Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］烷基、取代或未取代的Ｃ↓［ ６］－Ｃ↓［３０］芳基，或取代或未取代的具有５－３０個環原子的雜芳基； Ｒ↑［２］、Ｒ↑［３］、Ｒ↑［４］、Ｒ↑［５］、Ｒ↑［６］、Ｒ↑［７］各自獨立地為取代或未取代的Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］烷基、或取代或未取代的Ｃ↓［６］－Ｃ↓［３０］ 芳基，或通式（ｃ）的結構： ＊＊＊ （ｃ） Ｒ↑［ａ］、Ｒ↑［ｂ］各自獨立地為取代或未取代的Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］烷基、取代或未取代的Ｃ↓［６］－Ｃ↓［３０］芳基，或取代或未取代的具有５－３０個環原子的雜芳基或選自如下的具有給體或受體 作用的取代基：Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］烷氧基、Ｃ↓［６］－Ｃ↓［３０］芳氧基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］烷硫基、Ｃ↓［６］－Ｃ↓［３０］芳硫基、ＳｉＲ↑［１４］Ｒ↑［１５］Ｒ↑［１６］、鹵素基團、鹵代Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］烷基、羰基（－ＣＯ（Ｒ↑［１４］））、羰硫基（－Ｃ＝Ｏ（ＳＲ↑［１４］））、羰氧基（－Ｃ＝Ｏ（ＯＲ↑［１４］））、氧羰基（－ＯＣ＝Ｏ（Ｒ↑［１４］））、硫羰基（－ＳＣ＝Ｏ（Ｒ↑［１４］））、氨基（－ＮＲ↑［１４］Ｒ↑［１５］）、ＯＨ、擬鹵素基團、酰胺基（－Ｃ＝Ｏ（ＮＲ↑［１４］））、－ＮＲ↑［１４］Ｃ＝Ｏ（Ｒ↑［１５］）、膦酸根（－Ｐ（Ｏ）（ＯＲ↑［１４］）↓［２］）、磷酸根（－ＯＰ（Ｏ）（ＯＲ↑［１４］）↓［２］）、膦（－ＰＲ↑［１４］Ｒ↑［１５］）、氧化膦（－Ｐ（Ｏ）Ｒ↑［１４２］）、硫酸根（－ＯＳ（Ｏ）↓［２］ＯＲ↑［１４］）、亞砜（－Ｓ（Ｏ）Ｒ↑［１４］）、磺酸根（－Ｓ（Ｏ）↓［２］ＯＲ↑［１４］）、磺酰基（－Ｓ（Ｏ）↓［２］Ｒ↑［１４］）、磺酰胺（－Ｓ（Ｏ）↓［２］ＮＲ↑［１４］Ｒ↑［１５］）、ＮＯ↓［２］、有機硼酸酯（－ＯＢ（ＯＲ↑［１４］）↓［２］）、亞氨基（－Ｃ＝ＮＲ↑［１４］Ｒ↑［１５］）、硼烷基團、錫烷基團、肼基、腙基、肟基、亞硝基...
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...
【專利技術屬性】
技術研發人員：N蘭格爾，K卡勒，C倫納茨，O莫爾特，E福克斯，J魯道夫，C席爾德克內希特，渡邊宗一，G瓦根布拉斯特，
申請(專利權)人：巴斯夫歐洲公司，
類型：發明
國別省市：DE[德國]
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