一種雨滴狀高純鎵小球制備裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術公開了一種雨滴狀高純鎵小球制備裝置，包括加熱保溫區、凝固區，所述加熱保溫區包括加熱保溫裝置和用于放置液態鎵的內腔，所述加熱保溫區內腔上部和底部有孔；所述凝固區包括冷卻裝置和用于放置中性介質的向上敞口的內腔。本實用新型專利技術首次解決了制備高純度鎵小球的業界難題；本實用新型專利技術裝置機構簡單、方法操作方便、規格定量控制便捷。（*該技術在2019年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種金屬鎵成形裝置，尤其涉及一種雨滴狀高純鎵小球制 備裝置。
技術介紹
分子東外延是制造優質化合物、合金、層狀結構材料的關鍵技術，對于微 結構化合物半導體的發展起了決定性的作用，推動了微電子科學的發展，并在 催生納電子科學的誕生，顯示了強大的力量。分子東外延需要極高純度的金屬鎵作為鎵源。實際使用時，進行分子東外延和精密度合金研究需要0.5-1.0克 的高純度鎵粒。由于鎵的熔點低，僅僅3(TC,高純度鎵的過冷度大，往往要到 -18°0才凝固，所以將鎵制成0. 5-1. 0克規格的小球一直是困擾業界的難題
技術實現思路
本技術的目的在于克服上述不足，提供一種雨滴狀高純鎵小球制備裝置。本技術的技術方案如下 一種雨滴狀高純鎵小球制備裝置，包括加熱 保溫區、凝固區，所述加熱保溫區包括加熱保溫裝置和用于放置液態鎵的內腔，所述加熱保溫區內腔上部和底部有孔；所述凝固區包括冷卻裝置和用于放置中性介質的向上敞口的內腔。所述加熱保溫區內腔上部的孔為壓縮氣體進氣口。所述壓縮氣體為氮氣。所述加熱保溫區內腔底部的孔為液態鎵擠出口。所述加熱保溫裝置環繞設置在所述加熱保溫區內腔外部。所述加熱保溫裝 置為電熱絲。所述冷卻裝置為設置在所述凝固區內腔外部的冷卻液夾層。制備方法，包括如下步驟液態鎵置于所述加熱保溫區內腔；向熱保溫區內腔間斷通入壓縮氣體，擠壓液態鎵使其從家熱保溫區內腔底部的孔間斷流出，成為鎵滴；使鎵滴滴入凝固區內腔，并落入中性介質中。所述鎵小球質量為0. 5或者1. 0克。 所述液態鎵溫度為35°C-40°C。所述中性介質溫度為-40匸。 所述中性介質為乙二醇。本技術與現有技術相比具有的有益效果是本技術首次解決了制 備高純鎵小球的業界難題；本技術裝置機構簡單、方法操作方便、規格定量控制便捷。附圖說明圖1為本技術結構示意圖。具體實施方式以下結合附圖和具體實施方式對本技術作詳細描述。實施例1:如圖l所示， 一種雨滴狀高純鎵小球制備裝置，包括加熱保溫區 3、凝固區IO,所述加熱保溫區3包括加熱保溫裝置電熱絲4和用于放置液態鎵 5的內腔2，所述加熱保溫區內腔2上部和底部有孔1、 6， l為壓縮氮氣進氣口， 6為液態鎵5擠出口 ；所述凝固區10包括冷卻裝置冷卻液夾層8和用于放置中 性介質乙二醇9的向上敞口的內腔7。制備方法，包括如下步驟液態鎵5置于所述加熱保溫區內腔2;向熱保溫 區內腔2間斷通入壓縮氣體，擠壓液態鎵5使其從加熱保溫區內腔2底部的孔6 間斷流出，成為鎵滴；使鎵滴滴入凝固區內腔7，并落入中性介質9中。鎵小球 質量為O. 5克，液態鎵溫度為35。C,中性介質溫度為-40°C。實施例2:其與實施例不同之處在于，鎵小球質量為1. 0克，液態鎵溫度為 37°C，中性介質溫度為-42°C。實施例2:其與實施例不同之處在于，鎵小球質量為0.8克，液態鎵溫度為 40°C,中性介質溫度為-45'C。除上述實施例外，本技術還可以有其他實施方式，凡采用等同替換或 等效變換形成的技術方案，均落在本技術要求的保護范圍之內。權利要求1.一種雨滴狀高純鎵小球制備裝置，包括加熱保溫區、凝固區，其特征在于所述加熱保溫區包括加熱保溫裝置和用于放置液態鎵的內腔，所述加熱保溫區內腔上部和底部有孔；所述凝固區包括冷卻裝置和用于放置中性介質的向上敞口的內腔。2. 根據權利要求l所述的一種雨滴狀高純鎵小球制備裝置，其特征在于所述加 熱保溫區內腔上部的孔為壓縮氣體進氣口 。3. 根據權利要求2所述的一種雨滴狀高純鎵小球制備裝置，其特征在于所述壓 縮氣體為氮氣。4. 根據權利要求l所述的一種雨滴狀高純鎵小球制備裝置，其特征在于所述加 熱保溫區內腔底部的孔為液態鎵擠出口。5. 根據權利要求l所述的一種雨滴狀高純鎵小球制備裝置，其特征在于所述加 熱保溫裝置環繞設置在所述加熱保溫區內腔外部。6. 根據權利要求l所述的一種雨滴狀高純鎵小球制備裝置，其特征在于所述加 熱保溫裝置為電熱絲。7. 根據權利要求l所述的一種雨滴狀高純鎵小球制備裝置，其特征在于所述冷 卻裝置為設置在所述凝固區內腔外部的冷卻液夾層。專利摘要本技術公開了一種雨滴狀高純鎵小球制備裝置，包括加熱保溫區、凝固區，所述加熱保溫區包括加熱保溫裝置和用于放置液態鎵的內腔，所述加熱保溫區內腔上部和底部有孔；所述凝固區包括冷卻裝置和用于放置中性介質的向上敞口的內腔。本技術首次解決了制備高純度鎵小球的業界難題；本技術裝置機構簡單、方法操作方便、規格定量控制便捷。文檔編號B22F9/06GK201357228SQ20092003693公開日2009年12月9日 申請日期2009年3月2日 優先權日2009年3月2日專利技術者張長平, 范家驊 申請人:南京金美鎵業有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種雨滴狀高純鎵小球制備裝置，包括加熱保溫區、凝固區，其特征在于所述加熱保溫區包括加熱保溫裝置和用于放置液態鎵的內腔，所述加熱保溫區內腔上部和底部有孔；所述凝固區包括冷卻裝置和用于放置中性介質的向上敞口的內腔。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：范家驊，張長平，
申請(專利權)人：南京金美鎵業有限公司，
類型：實用新型
國別省市：84[中國|南京]