配線基板及探針卡制造技術

本發明專利技術提供一種能夠進行微細間距的配線且具有接近硅的熱膨脹系數的熱膨脹系數的配線基板及具備該配線基板的探針卡。為了此種目的，具備：配線基板，其具有熱膨脹系數為３．０×１０－６～５．０×１０－６／℃的陶瓷基板和層疊在陶瓷基板的一個表面上的一或多個薄膜配線板；探針頭，其使導電性的多個探針對應于薄膜配線板的配線配置，并且在使各探針的兩端露出的狀態下以防脫落的方式分別對各探針進行保持，在使各探針的一端與薄膜配線板接觸的狀態下層疊在所述配線基板上。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及配線基板及具備該配線基板并使用于半導體晶片的電特性檢查的探 針卡。
技術介紹
在半導體的檢查工序中，在切割前的半導體晶片的狀態下通過使具有導電性的探 針接觸而進行電特性檢查，從而檢測出不良品(晶片級別測試)。進行該晶片級別測試時， 為了將檢查用的信號向半導體晶片傳送，而使用對多個探針進行收容的探針卡。在晶片級 別測試中，利用探針卡掃描半導體晶片上的晶粒并使探針分別與各晶粒接觸，但是由于在 半導體晶片上形成有幾百 幾萬的晶粒，因此測試一個半導體晶片相當花費時間，且隨著 晶粒的數量增加還會導致成本上升。為了消除上述的晶片級別測試的問題點，最近，使用有使幾百 幾萬的探針一并 與半導體晶片上的全部的晶粒或半導體晶片上的至少1/4 1/2左右的晶粒接觸的方法 (全晶片級別測試)(例如，參照專利文獻1)。在該方法中，已知有為了使探針相對于半導 體晶片上的電極正確接觸，而通過高精度地確保探針卡相對于半導體晶片表面的平行度或 平面度來保持探針的前端位置精度的技術、或高精度調整半導體晶片的技術(例如，參照 專利文獻2或3)。圖16是示意性地示出在上述的全晶片級別測試中適用的探針卡的一結構例的 圖。該圖所示的探針卡401具備探針頭403，其收容與半導體晶片上的電極的配置圖案 相對應設置的多個探針402 ；空間轉換器404，其變換探針頭403中的微細的配線圖案的間 隔；轉接板405，其轉接從空間轉換器404伸出的配線w ；板簧406，其保持探針頭；配線基 板407，其將通過轉接板405轉接的配線w向檢查裝置連接；連接器408，其設置在配線基板 407上，并與生成檢查用信號的檢查裝置側連接；加強部件409，其對配線基板407進行加 強。專利文獻1 日本特表2001-524258號公報專利文獻2 日本專利第3386077號公報專利文獻3 日本特開2005-164600號公報通常，以硅為主要成分的半導體晶片的熱膨脹系數(3. 4X 10-6/oC )明顯小于以環 氧或聚酰亞胺等樹脂為主要成分的配線基板的熱膨脹系數(12X 10_6 17X 10_6/°C )。因 此，在以往的探針卡中，作為空間轉換器的材料，通過使用具有比半導體晶片的熱膨脹系數 大且比配線基板的熱膨脹系數小的熱膨脹系數的材料，來緩和半導體晶片的熱膨脹系數與 配線基板的熱膨脹系數差，從而防止在范圍大的溫度環境(25 125°C左右)下進行電特性 檢查時探針的前端位置與半導體晶片的電極之間產生錯位的情況。然而，空間轉換器由于形成內部的配線而制造花費時間，需要層疊幾層，因而成為 高價。這種狀況下，作為能夠不使用空間轉換器而構成探針卡的配線基板，優選能夠進行 IOOm左右的微細間距的配線且具有接近硅的熱膨脹系數的熱膨脹系數的配線基板。
技術實現思路
本專利技術鑒于上述情況而作出，其目的在于，提供一種能夠進行微細間距的配線且 具有接近硅的熱膨脹系數的熱膨脹系數的配線基板及具備該配線基板的探針卡。為了解決上述課題并實現目的，本專利技術的配線基板的特征在于，具備熱膨脹系數 為3. 0 X 10_6 5. 0 X 10-6/oC的陶瓷基板；層疊在所述陶瓷基板的一個表面上的一或多個薄 膜配線板。另外，本專利技術的配線基板以上述專利技術為基礎，其特征在于，所述陶瓷基板具有在厚 度方向上貫通該陶瓷基板的通孔。另外，本專利技術的配線基板以上述專利技術為基礎，其特征在于，還具備分別與所述薄膜 配線板電連接的多個無插拔力型的連接器。另外，本專利技術的配線基板以上述專利技術為基礎，其特征在于，還具備層疊在所述陶瓷 基板的另一個表面上且熱膨脹系數小于所述陶瓷基板的一或多個金屬。另外，本專利技術的配線基板以上述專利技術為基礎，其特征在于，還具備層疊在所述陶瓷 基板的另一個表面上的多層薄膜配線板。另外，本專利技術的探針卡通過使用沿長度方向伸縮自如的導電性的探針，來將半導 體晶片和生成對該半導體晶片輸出的信號的電路結構電連接，其具備上述任一專利技術所述 的配線基板；探針頭，其使多個所述探針對應于所述薄膜配線板的配線配置，并且在各探針 的兩端露出的狀態下以防脫落的方式分別對各探針進行保持，在使各探針的一端與所述薄 膜配線板接觸的狀態下層疊在所述配線基板上。專利技術效果根據本專利技術，由于具備熱膨脹系數為3. OX 10_6 5. OX 10_6/°C的陶瓷基板和層疊 在該陶瓷基板的一個表面上的一或多個薄膜配線板，因此能夠提供一種能夠進行微細間距 的配線且具有接近硅的熱膨脹系數的熱膨脹系數的配線基板及具備該配線基板的探針卡。附圖說明圖1是示出本專利技術的實施方式1的探針卡的結構的俯視圖。圖2是圖1的箭頭A方向的俯視圖。圖3是示出探針、探針頭及配線基板的各主要部分的結構的圖。圖4是示出配線基板主要部分的另一結構例的圖。圖5是示出本實施方式1的一變形例的探針卡的結構的圖。圖6是示出本專利技術的實施方式1的一變形例的探針卡的主要部分的結構的圖。圖7是示出本專利技術的實施方式1的另一變形例的探針卡的結構的圖。圖8是示出本專利技術的實施方式2的探針卡的結構的圖。圖9是圖8的箭頭B方向的俯視圖。圖10是示出本專利技術的實施方式2的探針卡的主要部分的結構的圖。圖11是示出本專利技術的實施方式2的探針卡所具備的ZIF型的連接器的結構的圖。圖12是示出本專利技術的實施方式3的探針卡的結構的俯視圖。圖13是示出本專利技術的實施方式3的探針卡所具備的ZIF型的連接器的結構的圖。圖14是示出本專利技術的另一實施方式的配線基板的主要部分的結構的圖。圖15是示出本專利技術的又一實施方式的配線基板的主要部分的結構的圖。圖16是示出現有的探針卡的結構的圖。符號說明1、8、12、15、401 探針卡2、402 探針3、403 探針頭4、4，、9、13、16、18、19、44、407 配線基板5、406 板簧6、10、14、17、408 連接器7、409加強部件11安裝部件14a 結合部14b 第一凸緣部14c軀體部14d第二凸緣部21,22 針頭(7°，>夕弋)2 la、22a 前端部21b,22c 凸起部21c 軸部22b 凸緣部23螺旋彈簧23a 疏卷繞部23b密卷繞部31、134、142、143、164、175、176 孔部31a 小徑孔31b 大徑孔41、91、131、161、181、191 陶瓷基板42a、42b、42c、42d、92a、92b、92c、132a、132b、132c、132d、162、182a、182b、182c、182d、192a、192b、192c、192d 薄膜配 線板43、43，、46多層薄膜配線板93樹脂基板100 半導體晶片101 電極133 切口141、173、174 導線163 開口部171第一連接器171a第一結合部171b第三凸緣部171c第二結合部172第二連接器172a第四凸緣部172b嵌入部183、193、194、195金屬201、301 螺釘404空間轉換器405轉接板411、431、911、931通孔412、912、932 導電材料具體實施例方式以下，參照附圖，說明用于實施本專利技術的最佳方式(以后，稱為“實施方式”)。此 外，附圖是示意性的圖，應該注意到各部分的厚度與寬度的關系、各個部分的厚度的比率等 存在與現實不同的情況，當然在附圖相互之間也包含相互本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種配線基板，其特征在于，具備：熱膨脹系數為３．０×１０↑［－６］～５．０×１０↑［－６］／℃的陶瓷基板；層疊在所述陶瓷基板的一個表面上的一或多個薄膜配線板。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：風間俊男，中山浩志，宮地真也，鈴木恒平，
申請(專利權)人：日本發條株式會社，
類型：發明
國別省市：JP[日本]