【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種一維低頻脈沖渦流探頭，特別用于各種工件表面下缺陷的快速檢測工作。
技術介紹
渦流檢測作為五大常規無損檢測方法之一，在各種行業中應用非常廣泛。最近，隨著人們對渦流檢測技術的深入了解及計算機技術、儀器儀表技術和數字信號處理技術的發展，渦流無損檢測技術的應用取得了很大的突破。低頻脈沖渦流是近年發展起來的新檢測技術，主要用于表面、亞表面缺陷檢測，是渦流檢測的一種新的應用領域。傳統的渦流檢測技術由于集膚效應的影響，很難有效的檢測多層結構中的缺陷，而低頻脈沖渦流則可以很好的解決部分多層結構中的問題。低頻脈沖激勵信號由一組正弦信號組成，通過頻譜分析和渦流技術分析可得，響應信號中也會有多個正弦頻率成分。理論上，通過分析響應信號，就可以得到缺陷在不同頻率下的響應，從而大大提高檢測效率。低頻脈沖渦流的數據分析主要是基于檢測信號的特征提取如檢測信號的尾部特征、檢測信號的最大值、檢測信號的最大值的出現的時間等。現有的低頻渦流探頭用單個檢測器件來檢測信號，檢測速度慢。本技術探頭采用一維霍爾元件組來測量低頻磁場信號，檢測速度快，為渦流檢測系統提供準確數據。
技術實現思路
本技術的目的在于改進上述現有技術中的不足而提供一種新型一維低頻脈 沖渦流探頭。本技術的目的通過以下措施來達到 低頻脈沖渦流探頭包括一探頭接觸端面，激勵線圈，探頭外殼，激勵線圈的接線端 頭，探頭外殼后端蓋的開口處，一維霍爾元件組的接線端頭，一維霍爾元件組；所述探頭外 殼是一個帶后端蓋的圓管，所述圓管的后端蓋有一開口處，所述的激勵線圈的接線端頭和 所述的一維霍爾元件組的接線端頭從所述圓管的后端蓋開口處穿出；所述...
【技術保護點】
一維低頻脈沖渦流探頭，其特征在于：包括一探頭接觸端面（１），激勵線圈（２），探頭外殼（３），激勵線圈的接線端頭（４），探頭外殼后端蓋的開口處（５），一維霍爾元件組的接線端頭（６），一維霍爾元件組（７）；所述探頭外殼（３）是一個帶后端蓋的圓管，所述圓管的后端蓋有一開口處（５），所述的激勵線圈的接線端頭（４）和所述的一維霍爾元件組的接線端頭（６）從所述圓管的后端蓋開口處（５）穿出；所述的探頭接觸端面（１）和所述的探頭外殼（３）連接，所述的激勵線圈（２）和所述的一維霍爾元件組（７）固定在所述的探頭接觸端面（１）上；所述的激勵線圈（２）是空心線圈；所述的一維霍爾元件組（７）放置在所述的激勵線圈（２）中間空心處。
【技術特征摘要】
一維低頻脈沖渦流探頭，其特征在于包括一探頭接觸端面(1)，激勵線圈(2)，探頭外殼(3)，激勵線圈的接線端頭(4)，探頭外殼后端蓋的開口處(5)，一維霍爾元件組的接線端頭(6)，一維霍爾元件組(7)；所述探頭外殼(3)是一個帶后端蓋的圓管，所述圓管的后端蓋有一開口處(5)，所述的激勵線圈的接線端頭(4)...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李長青，李長鋒，蘇文玉，姜威，翟玉生，侯施嬈，
申請(專利權)人：李長青，
類型：實用新型
國別省市：11[中國|北京]
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