用于電離輻射的屏蔽設備制造技術

一種屏蔽設備（１１），其用于減少透過該屏蔽設備的輻射量，包括第一部件（１１１）和第二部件（１１２），其中第一部件設置成能夠與第二部件分開，且其中所述第一部件和第二部件均包括抵接部。所述第一部件和第二部件的至少一對對應抵接部具有這樣的橫截面：所述橫截面沿所述橫截面的至少一半的部分成曲線形狀。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種用于電離輻射的屏蔽設備。更具體地，本專利技術涉及一種具有至少一個能移動部件的屏蔽設備，所述部件設置為用于打開所述屏蔽設備。
技術介紹
諸如粒子加速器、X射線靶、放射源或廢物等輻射放射源發射不需要的電離輻射， 例如質子、中子、電子及光子。為了保護人們不受輻射疾病侵害，通常將這些輻射源置于屏蔽設備內。屏蔽設備必須吸收所放射的輻射的大部分，使得透過屏蔽設備的透射量低于法律或公司規格所規定的閾值水平。屏蔽的基本解決方案是通過將例如回旋加速器的所述輻射源密封于混凝土和/ 或其它混合物所制成的壁內。從文獻GB 2358415中可獲知此類的構造。該文獻公開了使用建筑物模塊來構建屏蔽壁。這些模塊設置有緊密配合的凸型側和凹型側。凸型側具有凸舌，凸舌由共面凸肩對接。凸肩占模塊總寬度的至少20%。但是，這種解決方案具有如下缺點當完成繞輻射源的此種壁的安裝時，就不能再接近輻射源，除非從該壁移走一個或多個模塊。由于模塊的重量或數量，這種操作可能相對耗時和繁雜。在文獻US 2005/0218347中描述了另一種解決方案，其中提供了一個或多個用來選擇性地接近粒子加速器的射靶組件的門。門的接合壁內的側面具有階梯形狀以減少輻射透射。但是，經常需要附加的屏蔽設備以減少透過門間隙的透射。
技術實現思路
本專利技術的目的是提供一種包括至少一個能被打開和封閉的部件的屏蔽設備，其比現有技術的屏蔽設備在阻止或限制輻射進入屏蔽設備和/或輻射自所述屏蔽設備放射出的方面更為有效。根據本專利技術，提供一種屏蔽設備，其用于減少透過屏蔽設備的輻射量。屏蔽設備包括第一部件和第二部件，其中第一部件設置成能夠與第二部件分開，且其中所述第一部件和第二部件均包括抵接部。所述第一部件和第二部件的至少一對相應抵接部具有這樣的橫截面所述橫截面沿所述橫截面的至少一部分、且優選地沿所述橫截面的至少一半形成曲線形狀。在正常工作狀態下，屏蔽設備的第一部件和第二部件互相面對面定位，并且可互相碰觸。當操作人員需要接近屏蔽設備所覆蓋之物時，至少第一部件設置成能夠從第二部件移開，以打開屏蔽設備并能接近屏蔽設備所覆蓋之物。本專利技術中所用術語“曲線”是指在其所有點處均具有有限曲率半徑的線，其中術語 “有限”不包括零。橫截面的曲線形狀部分可沿所述橫截面的長度的50% AO^JO^^SO^、 90%、或者甚至100%延伸。優選地，曲線形狀的截面可具有C或S形狀。也可以同樣地使用其它曲線形狀的截面——只要曲線形狀部分的總量比直線形狀部分的總量大得多即可。 更優選地，曲線形狀的截面可具有恒定的曲率半徑。優選地，對應抵接部的曲線形狀部分相匹配。優選地，所述橫截面的至少部分示出非零曲率半徑倒數的值。本專利技術可用于屏蔽諸如粒子加速器、靶、放射源或放射廢物等輻射源所產生的輻射。有利地，輻射源是回旋加速器。有利地，屏蔽設備包括能填充輻射吸收材料的殼體。更有利地，所述殼體包括能填充高Z化合物的外部區和能填充低Z化合物的內部區。優選地，所述高Z化合物包括鉛或鐵。優選地，所述低Z化合物包括聚乙烯和/或鏈烷烴化合物。優選地，當本專利技術用于屏蔽包括靶的回旋加速器所產生的輻射時，回旋加速器包括位于所述靶前方的附加的高Z材料屏蔽設備。有利地，屏蔽設備包括用于移動所述第一部件的輪。更優選地，屏蔽設備包括用于還移動所述第二部件的輪。有利地，屏蔽設備包括用于所述輪的升降機構。在本專利技術的實施方式中，第二部件是用于限制輻射自輻射源放射到外部的容器。 此種容器可用于例如運輸和/或屏蔽放射源、放射性廢物或類似物質。在本專利技術的另一更優選實施方式中，所述第一部件是適于配合進所述第二部件的開口內的蓋或門。所述開口可指腔室頂壁、或屏蔽設備的拱頂門，其并無任何限制。根據本專利技術的第二方面，提供一種用于減少透過屏蔽設備的輻射量的方法，所述方法包括如下步驟提供包括第一部件和第二部件的屏蔽設備，所述第一部件和所述第二部件包括抵接部；以及使第一部件和第二部件的相應抵接部沿所述抵接部的橫截面的主要部分形成曲線形狀。所述方法阻止或限制輻射進入屏蔽設備內和/或輻射自屏蔽設備放射出ο優選地，根據本專利技術的方法包括提供用于移動所述第一部件和所述第二部件的輪的步驟。可選地，根據本專利技術的方法包括提供用于向上提升和向下降落所述第一部件和所述第二部件、使得第一部件和第二部件分別移動或擱置的升降機構的步驟。優選地，根據本專利技術的方法包括提供填充有輻射吸收材料的殼體的步驟。更優選地，根據本專利技術第二方面，所述殼體包括能填充高Z化合物的外部區和能填充低Z化合物的內部區。有利地，根據本專利技術第二方面，所述高Z化合物包括鉛或鐵。有利地，根據本專利技術第二方面，所述低Z化合物包括聚乙烯和/或鏈烷烴化合物。優選地，根據本專利技術第二方面，所述輻射由輻射源產生。更優選地，根據本專利技術第二方面，所述輻射是回旋加速器。有利地，根據本專利技術的方法——其中所述回旋加速器包括靶——包括提供位于所述靶前方的附加的高Z材料屏蔽設備的步驟。附圖說明圖1圖示了包封在根據本專利技術的屏蔽設備內的回旋加速器，其中提供了該屏蔽設備的剖視圖；圖2圖示了如圖1中的C-C線所限定的剖視圖，其中回旋加速器并未剖視；圖3圖示了如圖1中的B-B線所限定的剖視圖，其中回旋加速器并未剖視；圖4圖示了已打開的屏蔽設備；圖5圖示了已封閉的屏蔽設備；圖6圖示了 S形間隙；圖7圖示了處于封閉狀態下的屏蔽設備的側視圖；圖8圖示了處于打開狀態下的屏蔽設備的側視圖；圖9圖示了處于打開狀態下的屏蔽設備的俯視圖；圖10圖示了用于Monte Carlo模擬的無間隙的屏蔽設備的示意性截面圖；圖11圖示了用于Monte Carlo模擬的具有直線間隙32a的屏蔽設備的示意性截面圖；圖12圖示了用于Monte Carlo模擬的具有階梯形間隙32b的屏蔽設備的示意性截面圖；圖13圖示了用于Monte Carlo模擬的具有C形間隙32c的屏蔽設備的示意性截面圖；圖14圖示了圖10的構造的Monte Carlo模擬透射劑量；圖15圖示了圖11的構造的Monte Carlo模擬透射劑量；圖16圖示了圖12的構造的Monte Carlo模擬透射劑量；圖17圖示了圖13的構造的Monte Carlo模擬透射劑量；圖18a圖示了根據本專利技術的優選實施方式；圖18b圖示了根據本專利技術的另一優選實施方式。具體實施方式圖1示出包封在屏蔽設備11內的輻射源10——在下面的描述中實施為回旋加速器?；匦铀倨?0擱置在安裝于混凝土底板13上的支腳12上。通往回旋加速器的管路可嵌入底板13內?；匦铀倨靼惭b于其上的底板水平面131位于比屏蔽設備11擱置于其上的水平面132低的水平面處。屏蔽設備11包括殼體113，殼體113優選地由鋼制成。這種殼體可填充有輻射吸收材料。當前，合適的材料例如是鉛、鐵、聚乙烯或鏈烷烴化合物。鉛設置于屏蔽設備11的外部區114內，以阻擋初生射線和次生射線。屏蔽設備11的內部區 115可包括中子吸收材料，例如聚乙烯或鏈烷烴化合物。優選地，附加的鉛制屏蔽設備116 設置于回旋加速器的各靶的前方，以減緩或阻擋自輻射源發射的光子。此種附加的鉛制過濾器116容許對于規定要求的透射劑量而言減小屏蔽設備11在這些位置處的厚度。屏蔽設備11包括兩個部分，即凸型部件111和凹型部件112，兩者均設本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種屏蔽設備（１１），其用于減少透過所述屏蔽設備的輻射量，所述屏蔽設備包括第一部件（１１１）和第二部件（１１２），其中所述第一部件設置成能夠與所述第二部件分開，且其中所述第一部件（１１１）和第二部件（１１２）包括有抵接部（１８、２０，１９、２１），其特征在于，所述第一部件（１１１）和第二部件（１１２）的至少一對對應抵接部（１８、１９）具有這樣的橫截面：所述橫截面包括成曲線形狀的部分，并且所述成曲線形狀的部分沿所述橫截面的至少一部分延伸，且優選地沿所述橫截面的至少一半延伸。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：F斯蒂謝爾博，A布隆丹，JC阿梅莉亞，
申請(專利權)人：離子束應用股份有限公司，
類型：發明
國別省市：BE[比利時]