改善蒸鍍源的蒸發(fā)容器（９）的熱控制性。本發(fā)明專利技術的蒸鍍源（３）具有配置有機材料（２１）的蒸發(fā)容器（９），在蒸鍍源（３）的外周卷繞有加熱線（１８）。有機材料（２１）和蒸發(fā)容器（９）的側壁接觸的部分以與加熱線（１８）的下端相比成為下方的方式配置，在基板支持架（４）安裝基板（２０）。在啟動電源（７）使加熱線（１８）發(fā)熱而加熱蒸發(fā)容器（９）時，有機材料（２１）的蒸氣從朝上的貫通孔（３１）釋放至真空槽（２）內部，附著于基板（２０），形成薄膜。因將加熱線（１８）配置至蒸發(fā)容器（９）的上端，所以能夠使開口升溫至蒸發(fā)溫度以上，上述蒸發(fā)容器（９）由銅、銅／鈹合金、Ｔｉ或Ｔａ的任一種金屬材料構成，側壁與底壁被成形為０．３ｍｍ以上０．７ｍｍ以下的厚度，因此熱容小，控制性優(yōu)越。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及蒸鍍源，和使用該蒸鍍源的裝置。
技術介紹
歷來，對于蒸鍍裝置的蒸發(fā)容器(坩堝)，使用石墨制的容器。由于石墨制的坩堝 需要某種程度的壁厚，所以坩堝變重，熱容變大。因此，坩堝的溫度響應性差，難以正確地控制坩堝內的蒸鍍材料的溫度。另外，在 作為蒸鍍材料而將有機材料填充于坩堝的情況下，根據有機材料的種類，存在有機材料滲 入坩堝的情況。專利文獻1 日本專利申請?zhí)亻_2005-97730號公報
技術實現思路
專利技術要解決的課題本專利技術是為了解決上述課題而完成的，其目的在于提供一種溫度響應性高，且蒸 鍍材料難以滲入蒸發(fā)容器的蒸鍍源。用于解決課題的方案為了解決上述課題，本專利技術是蒸鍍源，其構成為具有環(huán)狀的加熱裝置；以及被插 入上述加熱裝置，并配置有機材料蒸發(fā)容器，當上述加熱裝置發(fā)熱時，上述有機材料被加 熱，從上述蒸發(fā)容器釋放上述有機材料的蒸氣，其中，上述蒸發(fā)容器是由銅、銅/鈹合金、Ti 或Ta的任一種金屬材料構成，側壁與底壁被成形為0. 3mm以上0. 7mm以下的厚度。本專利技術是蒸鍍源，其中，構成為在上述加熱裝置的周圍配置有水冷護罩，上述加熱 裝置的外周側面與上述水冷護罩的內周側面面對。本專利技術是蒸鍍源，其中，上述水冷護罩的高度被做成比上述蒸發(fā)容器的開口的高 度低。本專利技術是蒸鍍源，其中，具有覆蓋上述蒸發(fā)容器的內部空間的蓋構件，上述蓋構件 具有蓋部主體，以及形成于上述蓋部主體的貫通孔，上述蓋部主體配置于上述蒸發(fā)容器內 部的、上述蒸發(fā)容器的開口與底面之間，在上述蒸發(fā)容器內從上述有機材料釋放蒸氣時，該 蒸氣充滿上述蒸發(fā)容器的內部空間，并通過上述貫通孔向上述蒸發(fā)容器的外部空間釋放。本專利技術是蒸鍍源，其中，上述蓋部主體位于以上述加熱裝置包圍的空間。本專利技術是蒸鍍源，其中，上述蓋構件具有連接于上述蓋部主體的懸吊部，上述懸吊 部載置于上述蒸發(fā)容器的開口的緣部分，上述蓋部主體通過上述懸吊部，懸掛于上述蒸發(fā) 容器的內部空間。本專利技術是有機EL元件的制造裝置，在基板表面形成有機薄膜而制造有機EL元件， 其中，該有機EL元件的制造裝置構成為，具有真空槽；以及配置于上述真空槽內的蒸鍍 源，上述蒸鍍源，具有環(huán)狀的加熱裝置；以及被插入上述加熱裝置，并配置有機材料的蒸 發(fā)容器，當上述加熱裝置發(fā)熱時，上述有機材料被加熱，從上述蒸發(fā)容器釋放上述有機材料的蒸氣，上述蒸發(fā)容器由銅、銅/鈹合金、Ti或Ta的任一種金屬材料構成，側壁與底壁被成 形為0. 3mm以上0. 7mm以下的厚度。本專利技術是有機EL元件的制造裝置，其中，構成為在上述加熱裝置的周圍配置有水 冷護罩，上述加熱裝置的外周側面與上述水冷護罩的內周側面面對。本專利技術是有機EL元件的制造裝置，其中，上述水冷護罩的高度被做成比上述蒸發(fā) 容器的開口的高度低。本專利技術是有機EL元件的制造裝置，其中，具有覆蓋上述蒸發(fā)容器的內部空間的蓋 構件，上述蓋構件具有蓋部主體，以及形成于上述蓋部主體的貫通孔，上述蓋部主體配置 于上述蒸發(fā)容器內部的上述蒸發(fā)容器的開口與底面之間，在上述蒸發(fā)容器內從上述有機材 料釋放蒸氣時，該蒸氣充滿上述蒸發(fā)容器的內部空間，并通過上述貫通孔向上述蒸發(fā)容器 的外部空間釋放。本專利技術是有機EL元件的制造裝置，其中，上述蓋部主體位于以上述加熱裝置包圍 的空間。本專利技術是有機EL元件的制造裝置，其中，上述蓋構件具有連接于上述蓋部主體的 懸吊部，上述懸吊部載置于上述蒸發(fā)容器的開口的緣部分，上述蓋部主體通過上述懸吊部， 懸掛于上述蒸發(fā)容器的內部空間。 專利技術的效果因為蒸發(fā)容器的熱響應性高，所以能夠縮短從加熱開始到蒸氣釋放的啟動時間。 因為可以正確地進行有機材料的溫度控制，所以能夠不分解有機材料而使其蒸發(fā)。在停止 加熱裝置時，蒸氣釋放在短時間停止。因為有機材料不析出到貫通孔，所以蒸氣釋放速度穩(wěn) 定。因為有機材料不滲入蒸發(fā)容器，所以能夠有效利用高價的有機材料。附圖說明圖1是說明真空蒸鍍裝置的一例的剖面圖。圖2是說明本專利技術的蒸鍍源的一例的剖面圖。附圖標記說明1 真空蒸鍍裝置(有機EL元件的制造裝置)3 :蒸鍍源9 蒸發(fā)容器10 加熱裝置21 有機材料具體實施例方式圖1的附圖標記1表示本專利技術的一例的有機EL元件的制造裝置(真空蒸鍍裝置)。 真空蒸鍍裝置1具有真空槽2。在真空槽2內部的下方配置有蒸鍍源3，在其上方配置有基 板支架4。蒸鍍源3如圖2所示具有蒸發(fā)容器9、加熱裝置10、和水冷護罩13。加熱裝置10為環(huán)狀，具有將高導熱率的物質形成為環(huán)狀的均熱體17。均熱體17 在真空槽2內，將其中心軸線作為大致垂直而配置。蒸發(fā)容器9在將開口 35朝向上方(真空槽2的頂側)的狀態(tài)下鉛直地插入到均熱體17的環(huán)內，均熱體17環(huán)裝于蒸發(fā)容器9的外周側面。在均熱體17的內部，設置有與均熱體17同心卷繞的加熱線18，蒸發(fā)容器9被加熱 線18所卷繞。均熱體17的鉛直方向(高度方向)的長度與蒸發(fā)容器9的鉛直方向的長度(高 度)相比被縮短。在蒸發(fā)容器9的上端(開口 35的周圍)為了加強而形成有凸緣36(開 口 35的緣部分)，均熱體17的上端與凸緣36接觸，將凸緣36載置于均熱體17。因此，蒸 發(fā)容器9在底面部分從加熱裝置10突出的狀態(tài)下，懸掛于加熱裝置10。即，蒸發(fā)容器9的 與均熱體17的下端相比為下方的部分不被均熱體17覆蓋而露出于真空槽2的內部環(huán)境。在真空槽2的外部配置有加熱電源7，加熱線18連接于該加熱電源7。通過加熱 電源7對加熱線18通電，當加熱線18發(fā)熱時，在蒸發(fā)容器9的外周側面中，與均熱體17面 對的部分通過來自均熱體17的導熱被加熱而升溫。蒸發(fā)容器9是通過銅薄板，或銅/鈹合金薄板的拉延加工而形成，底面與側壁的厚 度被作為0. 3mm以上0. 7mm以下。由于蒸發(fā)容器9壁的厚度薄，所以坩堝的重量輕，由于熱容小，所以升溫速度或降 溫速度快，在進行溫度控制的情況下追隨性高在蒸發(fā)容器9的內部，到與均熱體17的下端相比較低的位置配置有粉體的有機材 料21，蒸發(fā)容器9中的有機材料21的上端與均熱體17的下端之間的部分是與均熱體17及 有機材料21均不接觸的無接觸部分14，當從均熱體17通過熱傳導而加熱蒸發(fā)容器9的上 部時，在無接觸部分14中從上方至下方傳導熱而加熱有機材料21。因此，蒸發(fā)容器9側面的熱的上流側的上部與熱的下流側的下部相比溫度變高， 因此即使令蒸發(fā)容器9的配置了有機材料21的部分降溫至蒸發(fā)溫度附近，也能夠將溫度容 易下降的蒸發(fā)容器9的開口 35的部分的溫度維持在蒸發(fā)溫度以上。在露出于蒸發(fā)容器9的內部空間的底面與內周面(露出面27)，形成有反應防止膜 41。反應防止膜41例如將鎳、鎳鈀合金、白金、銠，鈀等作為主成分，以電鍍法形成。有機材料21不與銅接觸而與反應防止膜41接觸，即使有機材料21被升溫至蒸發(fā) 溫度以上，也不與銅進行反應。水冷護罩13為環(huán)狀，與蒸發(fā)容器9及均熱體17以同心的方式包圍均熱體17的外 周而配置。水冷護罩13不與均熱體17接觸，從均熱體17的外周側面放射的熱線被水冷護 罩13遮蔽，真空槽2的壁面不被加熱。水冷護罩13的鉛直方向的長度比均熱體17的鉛直方向的長度短，水冷護罩13的 下端與均熱體17的下端高度相同，或配置于其下方，水冷護罩13的上端與均熱體17的上 端相比位于下方。因此，均熱體17的外周本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種蒸鍍源，其構成為，具有：環(huán)狀的加熱裝置；以及被插入上述加熱裝置，并配置有機材料的蒸發(fā)容器，當上述加熱裝置發(fā)熱時，上述有機材料被加熱，從上述蒸發(fā)容器釋放上述有機材料的蒸氣，其中，上述蒸發(fā)容器是由銅、銅／鈹合金、Ｔｉ或Ｔａ的任一種金屬材料構成，側壁與底壁被成形為０．３ｍｍ以上０．７ｍｍ以下的厚度。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：永田純一，
申請(專利權)人：株式會社愛發(fā)科，
類型：發(fā)明
國別省市：JP[日本]
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