在制備光電器件中使用的組合物,它包括可溶液加工的三嗪主體材料和發(fā)磷光部分。
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及在制備磷光光電器件中使用的含三嗪主體化合物的組合物,和使用這些組合物制備光電器件的方法。
技術介紹
一類光電器件是使用用于發(fā)光或檢測的有機材料。這些器件的基本結(jié)構是夾在注入負電荷載流子(電子)到有機層內(nèi)的陰極和注入正電荷載流子(空穴)到有機層內(nèi)的陽極之間的發(fā)光有機層,例如聚(對亞苯基亞乙烯基)(“PPV”)或聚芴膜。電子和空穴在有機層內(nèi)重組,從而生成光子。在WO90/13148中,有機發(fā)光材料是聚合物。在US4539507中,有機發(fā)光材料是稱為小分子材料的一類材料,例如(8-羥基喹啉)鋁(“Alq3”)。在實際的器件中,電極之一透光,以允許光子從該器件逸出。 在用透明的第一電極,例如氧化銦錫(“ITO”)涂布的玻璃或塑料基底上制備典型的有機發(fā)光器件(“OLED”)。至少一種電致發(fā)光的有機材料的薄膜層覆蓋第一電極。最后,陰極覆蓋電致發(fā)光有機材料層。陰極典型地為金屬或合金且可包括單層,例如鋁,或者多層,例如鈣和鋁。其他層可添加到器件上,例如改進電荷從電極注入到電致發(fā)光材料上。例如,可在陽極和電致發(fā)光材料之間提供空穴注入層,例如聚(亞乙基二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸鹽(PEDOT-PSS)或聚苯胺。當在電極之間由電源施加電壓時,電極之一充當陰極和另一個充當陽極。 在操作中,空穴通過陽極注入到器件內(nèi),和電子通過陰極注入到器件內(nèi)。空穴和電子在有機電致發(fā)光層內(nèi)結(jié)合,形成激子,激子然后經(jīng)歷輻射衰變,發(fā)出光。 對于有機半導體來說,重要的特征是結(jié)合能,所述結(jié)合能相對于電子能級的真空能級,尤其是“最高占據(jù)分子軌道”(HOMO)和“最低未占據(jù)分子軌道”(LUMO)能級來測量。這些可由測量光發(fā)射和尤其測量氧化和還原的電化學電勢來估計。本領域公知的是,這一能量受許多因素影響,例如界面周圍的局部環(huán)境,和在數(shù)值由其測量的曲線(峰)上的點。因此,使用這些數(shù)值是定性而不是定量的。 有機半導體的光學和電學性能高度依賴于前述HOMO和LUMO能級的能量。而且,這些能級高度依賴于有機半導體的化學結(jié)構。通過選擇合適的材料,或材料的結(jié)合物,可改進器件的性能。 例如,改進器件效率的一種方式是提供空穴和電子傳輸材料。WO99/48610公開了共混空穴傳輸聚合物,電子傳輸聚合物,和電致發(fā)光聚合物。這一文獻中公開了1:1的二辛基芴和三苯胺的共聚物作為空穴傳輸聚合物。最有效的電荷傳輸材料的類型依賴于器件內(nèi)其他組分的HOMO和LUMO。 盡管在使用電荷傳輸材料時器件效率顯著改進,但總是希望開發(fā)新的電荷傳輸材料,以便當與已有的器件相比時,進一步改進效率。 WO02/083760公開了在有機光電器件中用作電荷傳輸材料和熒光發(fā)射材料的共聚物。該共聚物包括可以是式(a)所示的三嗪單元的第一重復單元 其中R``選自氫、支鏈或直鏈C1-C20烷基或烷氧基。 該共聚物包括可選自任選取代的亞苯基、芴、雜芳基和三芳胺中的第二重復單元。 在WO2004/077885中公開了三嗪作為藍色電致發(fā)光器件組分。 US6821643公開了通過蒸發(fā)沉積的芳基化三嗪,以形成OLED的藍色熒光發(fā)光層或電子傳輸層。 US6352791公開了通過蒸發(fā)沉積的芳基化三嗪,以形成OLED的電子傳輸層。 WO2005/105950公開了用作OLED的藍色熒光發(fā)光層的一些三取代的三嗪。 EP1385221公開了一種發(fā)光器件,它包括含蒽衍生物化合物和三嗪衍生物化合物的發(fā)光區(qū)域。 發(fā)磷光材料也是有用的,且在一些應用中,可比熒光材料更優(yōu)選。一類發(fā)磷光材料包括主體和在主體內(nèi)的磷光發(fā)射體(emitter)。發(fā)射體可結(jié)合到主體上或以共混物內(nèi)的單獨組分形式提供。 在現(xiàn)有技術中公開了用于磷光發(fā)射體的許多主體,其中包括在Ikai等人(Appl.Phys.Lett.,79,no.2,2001,156)中公開的“小分子”主體,例如4,4`-雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(稱為CBP),和(4,4`,4``-三(咔唑-9-基)三苯胺)(稱為TCTA);和三芳胺,例如三-4-(N-3-甲基苯基-N-苯基)苯胺(稱為MTDATA)。均聚物也已知作為主體,尤其在例如Appl.Phys.Lett.2000,77(15),2280中公開的聚(乙烯基咔唑);在Synth.Met.2001,116,379,Phys.Rev.B 2001,63,235206和Appl.Phys.Lett.2003,82(7),1006中的聚芴;Adv.Mater.1999,11(4),285中的聚[4-(N-4-乙烯基芐氧基乙基,N-甲基氨基)-N-(2,5-二叔丁基苯基萘二酰亞胺)];和J.Mater.Chem.2003,13,50-55中的聚(對亞苯基)。 已知的主體-磷光體體系的問題是主體可猝滅來自磷光體的發(fā)射。一般地,主體的三線態(tài)能級越低(相對于磷光體),則越可能發(fā)生猝滅。聚合通過降低三線態(tài)能級到低于當形成主體聚合物時單體的能級,可加劇這一問題。因此,需要生產(chǎn)具有高三線態(tài)能級的材料以供在發(fā)磷光體系中用作主體。 JP2005071983公開了三咔唑基取代的三嗪作為Irppy的主體,例如 在Chemistry of Materials(2004),16(7),1285-1291中,公開了三咔唑基化合物和其他芳氨基取代的三嗪作為OLED內(nèi)Irppy的主體,例如 WO2005029923公開了三苯并咪唑基取代的三嗪作為紅色磷光體,Ir(piq)的主體 US2005/0287393公開了光發(fā)射組合物,它包括發(fā)磷光摻雜劑和含咔唑化合物與小分子三嗪化合物的主體。以2,4,6-三(二芳氨基)-1,3,5-三嗪、2,4,6-三(二苯基氨基)-1,3,5-三嗪、2,4,6-三咔唑基-1,3,5-三嗪、2,4,6-三(N-苯基-2-萘基氨基)-1,3,5-三嗪、2,4,6-三(N-苯基-1-萘基氨基)-1,3,5-三嗪或2,4,6-三聯(lián)苯基-1,3,5-三嗪形式給出了例舉的三嗪化合物。 在發(fā)磷光組合物中用作主體的所有以上列出的小分子三嗪是在US2005/0287393的實例列舉中給出的氨基衍生物,除最后的實例,2,4,6-三聯(lián)苯基-1,3,5-三嗪以外。氨基衍生物全部具有直接鍵合芳基取代基到中心三嗪環(huán)上的氮原子。然而,申請人提出了這一氮鍵并不完全穩(wěn)定,它可降低這些組合物的壽命。而且,以上提出的小分子化合物其溶解性無一是足夠容易溶液加工的,相反這些化合物更加適合于真空熱沉積。 主體-發(fā)射體體系不限于發(fā)磷光器件。寬泛范圍的熒光低分子量金屬絡合物是已知的且在有機發(fā)光器件中得到證明[參見,例如Macromol.Sym.125(1997)1-48,US-A-5150006,US-A6083634和US-A5432014]。 關于發(fā)磷光體系來說,已知的主體-熒光發(fā)射體體系的問題是,主體可猝滅來自磷光發(fā)射體的發(fā)射。有利的是提供LUMO高于發(fā)射體的主體,以注入電子到發(fā)射體內(nèi)。有利的是提供HOMO低于發(fā)射體的主體,以注入空穴到發(fā)射體內(nèi)。因此,需要生產(chǎn)HOMO和LUMO之間帶隙大的材料用作熒光體系的主體。 影響光電器件性能的另一因素是構成該器件的膜的形態(tài)。對于半導有機材料來說,有利的是本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
在制備光電器件中使用的組合物,它包括可溶液加工的三嗪主體材料和發(fā)磷光部分。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】GB 2006-8-31 0617167.21.在制備光電器件中使用的組合物,它包括可溶液加工的三嗪主體材料和發(fā)磷光部分。2.權利要求1的組合物,其中三嗪主體材料是小分子三嗪化合物。3.權利要求1的組合物,其中可溶液加工的三嗪主體材料是含三嗪重復單元的聚合物。4.前述任何一項權利要求的組合物,其中三嗪包括C4-C20烷基鏈增溶取代基。5.前述任何一項權利要求的組合物,其中中心三嗪環(huán)被至少一個芳基取代。6.權利要求5的組合物,其中芳基直接鍵合到中心三嗪環(huán)上。7.權利要求6的組合物,其中芳基借助碳原子直接鍵合到中心三嗪環(huán)上。8.權利要求7的組合物,其中芳基是苯環(huán)。9.前述任何一項權利要求的組合物,其中三嗪化合物是三芳基三嗪,其中至少一個芳基具有鍵合到其上的至少一個增溶取代基。10.前述權利要求9的組合物,其中兩個或三個芳基具有鍵合到其上的增溶取代基。11.前述任何一項權利要求的組合物,其化學式為其中R基是增溶取代基,所述取代基可以相同或不同。12.權利要求11的組合物,其具有下式之一13.前述任何一項權利要求的組合物,其中所述至少一個增溶取代基包括...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員:N梅爾,J皮洛,
申請(專利權)人:CDT牛津有限公司,薩美甚株式會社,
類型:發(fā)明
國別省市:GB[英國]
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