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    金屬氧化物上的有機(jī)官能硅樹脂層制造技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):5496876 閱讀:204 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
    本發(fā)明專利技術(shù)披露一種改性粒狀金屬氧化物,該粒狀金屬氧化物利用具有通式(Y-(CH↓[2])↓[v])↓[w]Si(R↑[1])↓[x](OR↑[2])↓[y]O↓[z/2]的有機(jī)官能硅樹脂層表面改性,其中R↑[1]表示任選取代的Si-C-連接的C↓[1]-C↓[20]烴基,R↑[2]表示氫原子或具有與R↑[1]相同的含義的烴基,Y表示官能團(tuán)-NR↑[2]↓[2]、-OC(O)C(R)=CH↓[2](R=H,C↓[1]-YC↓[15]烴基,v=1、2或3,w+x+y+z=4,w、x、y和z為任何小于4的數(shù)字,也為非整數(shù)。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    【國外來華專利技術(shù)】
    本專利技術(shù)涉及在具有大的比表面積的粒狀金屬氧化物上的有機(jī)官能 樹脂層的制備、改性的粒狀金屬氧化物及它們的用途。
    技術(shù)介紹
    有機(jī)官能化的粒狀固體(即用有機(jī)官能團(tuán)表面改性的固體以改進(jìn) 如油漆或面漆的涂料或粘合劑和密封劑的機(jī)械性能)的用途是已知的。 粒狀固體的有機(jī)官能化的目的是通過化學(xué)交聯(lián)將所述粒子摻入到涂料或粘合劑和密封劑的聚合物基體中。利用通過交聯(lián)的化學(xué)摻入結(jié)合高 含量的粒子,有可能改進(jìn)涂料或粘合劑和密封劑的機(jī)械性能,如耐劃 痕性、拉伸強(qiáng)度、撓曲強(qiáng)度、抗壓強(qiáng)度、彈性模量或抗沖擊性。然而,由于高粒子含量,未交聯(lián)的涂料材料、粘合劑材料和密封 化合物具有高粘度或甚至粘彈性固態(tài)性能。這可能對(duì)材料的性能特性 具有不利的影響,或者甚至能使得材料完全不可使用。借助粒子的表 面改性,能降低如高粘度或粘彈性固態(tài)性能的不利影響的程度,如例如EP 1199337中所述,如果所用的表面改性的粒子另外通過球磨機(jī)變 構(gòu),則只能獲得足夠低的粘性。然而,發(fā)現(xiàn)根據(jù)公開的現(xiàn)有技術(shù)改性 的粒子導(dǎo)致較低的粘度,但這些粘度仍然常常過高,使得在例如涂層 應(yīng)用中出現(xiàn)不利影響,例如,涂層的較差均勻性和相關(guān)的表面缺陷。 此外,粒子的變構(gòu),特別是在相對(duì)較高粘度的粘合劑中,導(dǎo)致不足的 分散質(zhì)量并因此導(dǎo)致所得涂料的差的透明度。DE 10207401 Al描述了用有機(jī)硅化合物原位改性粒子。然而,由 于未連接的有機(jī)硅化合物,發(fā)現(xiàn)有機(jī)硅化合物對(duì)粒子表面的常常不足 的粘接導(dǎo)致不利影響。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    本專利技術(shù)的目標(biāo)是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),特別是提供對(duì)液體介質(zhì)的4粘度和粘彈性能僅具有很小影響的粒狀金屬氧化物。 本專利技術(shù)實(shí)現(xiàn)了該目標(biāo)。具體實(shí)施例方式本專利技術(shù)涉及改性的粒狀金屬氧化物,其特征在于該粒狀金屬氧化 物用具有如下通式I的有機(jī)官能硅樹脂層表面改性(Y誦(CH2)v)wSi(R、(OR2)yOw (I),其中R1為任選取代的Si-C-連接的d-C2o烴基, f為氫原子或具有與Ri相同的含義的烴基, Y為官能團(tuán)-NR22、 —OC(0)C(R)=CH2 (R = H, C廣Cu烴基, v為1、 2或3,w + x + y + z = 4, w、 x、 y和z可為任何〈4的數(shù)字,包括非整數(shù)。 令人驚訝地且本領(lǐng)域技術(shù)人員絕不會(huì)預(yù)見地,對(duì)液體的粘度和粘彈性能僅具有很小影響的粒子能通過足夠持久地在粒子表面固定具有特定組成和足夠厚度的有機(jī)官能硅樹脂層而獲得。本專利技術(shù)的金屬氧化物用具有如下通式I的有機(jī)官能硅樹脂層表面改性(Y-(CH2)v)wSi(R!)x(OR2)yOz/2 (I),其中由通式I描述的樹脂層可由根據(jù)式QsTpDkMg的Q基團(tuán)、T基 團(tuán)、D基團(tuán)和M基團(tuán)組成,且該樹脂層的組成能由如下通式II描述(Si(OR2)uOt/2)s((Y-(CH2)v)Si(OR2)rOq/2)p((Y-(CH2)v)。Si(R!)n(OR2)mOv2)k((Y隱(CH2)v萍、CMh (n),所述基團(tuán)根據(jù)如下組成Q = (Si(OR2)uOt/2):(Si(OR2)301/2)g(Si(OR2)202/2)f(Si(OR2)03/2)e(Si04/2)d T = ((Y-(CH2)v)Si(OR2)rOq/2): ((Y-(CH2)v)Si(OR2)201/2)c ((Y-(CH2)V) Si(OR2)02/2)b((Y-(CH2)v)Si03/2)aD - ((Y陽(CH2)v)。Si(R"n(OR2)nA/2: ((Y-(CH2)v)oSi(R!)n(OR2)0"z,((Y-(CH2)v)oSi(R1)^》M = ((Y-(CH2)v)jSi(R"A,2): ((Y-(CH2)v)jSi(R"A/2)其中Ri為任選由—CN、 -NCO、 —NR22、 -COOH、 —COOR2、-鹵素、—丙烯?;?、-環(huán)氧基、-SH、 -OH或-CONR、取代的Si-C連接的C廣C2o烴基,優(yōu)選為CVQ烴基,特別優(yōu)選為d-C3烴基,或芳基,或d-C^烴氧基,優(yōu)選為CpC8烴氧基,特別優(yōu)選為d-C4烴氧基,其中在每種情 況下一個(gè)或多個(gè)不相鄰亞甲基單元能由基團(tuán)一O一、 —co-、 —COO-、-oco-或-ocoo-、 -s-或-nrL代替,且其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰次甲基單元能由基團(tuán)-N、 -N-N-或-P-代替, R2為氫原子或具有與W相同的含義的烴基,Y為官能團(tuán)-NR22、 -OC(0)C(R)=CH2 (R = H, d-C15烴基,優(yōu)選為 CrQ烴基,特別優(yōu)選為d-C3烴基、-乙烯基、-羥基、-鹵素、磷酸基 (phosphonato)、 -NCO、 -NH-C(O)-OR (R = C廣d5烴基,優(yōu)選為C廣Q 烴基,特別優(yōu)選為d-C3烴基)、保護(hù)的異氰?;?N(H)C(O)-G (其特 征在于保護(hù)基團(tuán)G在熱負(fù)載下作為化合物H-G被消除)、-環(huán)氧丙氧基、 -SH、如琥珀酸酐的酸酐,其前提是v為l、 2或3, 4尤選為1或3, w + x + y + z = 4, w、 x、 y和z可為任何〈4的數(shù)字,包括非整數(shù),u + t = 4, u和t可為任何〈4的數(shù)字,包括非整數(shù),且u二3g + 2f+e禾Bt-g + 2f+3e + 4d,且此外r + q = 3, r禾口q可為^f壬^K3的數(shù)字,包f舌^^整數(shù),且r二2c + b禾口q二c + 2b + 3a,且此夕卜o + n + m + l = 4, o、 n、 m、 l可為任何〈4的數(shù)字,包括非整數(shù),且o + n-2, o和n可為任何S2的數(shù)字,包括非整數(shù),當(dāng)Ri為甲基時(shí)o優(yōu)選為0, n^z,且l-z, + 2y,,且此外1+〗=3, i和j可為任何^3的數(shù)字,包括非整數(shù),當(dāng)Ri為甲基時(shí)j優(yōu)選為0。系數(shù)s、 p、 k和h可分別得自例如本專利技術(shù)的金屬氧化物的提取物的"Si-NMR譜的Q、 T、 D和M的積分強(qiáng)度,或者分別得自固體金屬氧化物的"Si-CPMAS-NMR譜的T、D和M的積分強(qiáng)度。系數(shù)g(= Q1)、f (=Q2)、 k (=Q3)、 h (=Q4)、 c (=T)、b (=T2)、 a (=T3)、 z,(=D1)和y' (= D2)可分別得自例如本專利技術(shù)的金屬氧化物的提取物的"Si-NMR譜的Qi至Q4、 f至T3、 01至02和1^基團(tuán)的積分強(qiáng)度,或者得自在利用本專利技術(shù)的固體金屬氧化物的29Si-CPMAS-NMR的高斯或洛倫茲擬合的峰去褶合之后的上述基團(tuán)的面積。根據(jù)通常的常規(guī)慣例, 縮寫具有如下含義Q=四甲硅氧基,具有Q1 = (Si(OR)301/2) Q2 = (Si(OR)202/2) Q3 = (Si(OR)03/2) Q4 = (Si。4/2)T=三甲硅氧基,具有T^RSi(OR)2Ch/2)T2 = RSi(OR)02/2)T3 = RSi03/2)D= 二甲硅氧基,具有-D1 = 2)01/2)或D2 = R2Si02/2)在上述式中的基團(tuán)R通常為垸基,也任選取代烷基,以表示Si原 子的取代程度,且R不構(gòu)成對(duì)專利上下文的限制。在本專利的上下文中D基團(tuán)的例子為,例如, D1 = ((Y-(CH2)v)Si(RiXOR2)Ch/2)或(Ri)2Si(OR2)0^) D2 = ((Y-(CH2)v)Si(R"02,2)或(R、本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    一種改性粒狀金屬氧化物,其特征在于該粒狀金屬氧化物用具有如下通式I的有機(jī)官能硅樹脂層表面改性: (Y-(CH↓[2])↓[v])↓[w]Si(R↑[1])↓[x](OR↑[2])↓[y]O↓[z/2]?。á瘢?, 其中?。? ↑[1]為任選取代的Si-C-連接的C↓[1]-C↓[20]烴基, R↑[2]為氫原子或具有與R↑[1]相同的含義的烴基,?。贋楣倌軋F(tuán)-NR↑[2]↓[2]、-OC(O)C(R)=CH↓[2](R=H,C↓[1]-C↓[15]烴 基,?。鰹椋薄ⅲ不颍?,?。鳎剑矗?、x、y和z可為任何<4的數(shù)字,包括非整數(shù)。

    【技術(shù)特征摘要】
    【國外來華專利技術(shù)】...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:T戈特沙爾克高迪希,
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:瓦克化學(xué)有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:DE[德國]

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