多個下沉基島露出型單圈引腳無源器件封裝結構制造技術

本實用新型專利技術涉及一種多個下沉基島露出型單圈引腳無源器件封裝結構，包括基島（１）、引腳（２）、導電或不導電粘結物質（６）、芯片（７）、金屬線（８）和有填料塑封料（９），所述基島（１）正面中央區域下沉，在所述引腳（２）的正面設置有第一金屬層（４），在基島（１）和引腳（２）的背面設置有第二金屬層（５），在基島（１）正面中央下沉區域通過導電或不導電粘結物質（６）設置有芯片（７），在引腳（２）與引腳（２）之間或引腳（２）與基島（１）之間跨接有無源器件（１０），所述基島（１）設置有多個，引腳（２）設置有單圈，在所述引腳（２）外圍、基島（１）與基島（１）之間的區域以及基島（１）與引腳（２）之間的區域嵌置無填料塑封料（３），且使所述基島（１）和引腳（２）背面尺寸小于基島（１）和引腳（２）正面尺寸。本實用新型專利技術的有益效果是：塑封體與金屬腳的束縛能力大。（*該技術在2020年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種多個下沉基島露出型單圈引腳無源器件封裝結構。屬于半導 體封裝

技術介紹
傳統的封裝結構主要有二種第一種采用金屬基板的正面進行化學蝕刻及表面電鍍層后，在金屬基板的背面 貼上一層耐高溫的膠膜形成可以進行封裝過程的引線框載體(如圖3所示)；第二種采用金屬基板的正面進行化學蝕刻及表面電鍍層后，即完成引線框的制 作(如圖4所示)。而引線框的背面則在封裝過程中再進行背面蝕刻。而上述的二種引線框在封裝過程中存在了以下的不足點第一種1)此種的引線框架因背面必須要貼上一層昂貴可抗高溫的膠膜。所以直接增加了 高昂的成本。2)也因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過 程中的裝片工藝只能使用導電或是不導電的樹脂工藝，而完全不能采用共晶工藝以及軟焊 料的工藝進行裝片，所以可選擇的產品種類就有較大的局限性。3)又因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程 中的球焊鍵合工藝中，因為此可抗高溫的膠膜是軟性材質，所以造成了球焊鍵合參數的不 穩定，嚴重的影響了球焊的質量與產品可靠度的穩定性。4)再因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程 中的塑封工藝過程，因為塑封的高壓關系很容易造成引線框架與膠膜之間滲入塑封料，而 將原本應屬金屬腳是導電的型態因為滲入了塑封料反而變成了絕緣腳(如圖5所示)。第二種此種的引線框架結構在金屬基板正面進行了半蝕刻工藝，雖然可以解決第一種引 線框架的問題，但是因為只在金屬基板正面進行了半蝕刻工作，而在塑封過程中塑封料只 有包覆住半只腳的高度，所以塑封體與金屬腳的束縛能力就變小了，如果塑封體貼片到PCB 板上不是很好時，再進行返工重貼，就容易產生掉腳的問題(如圖6所示)。尤其塑封料的種類是采用有填料時候，因為材料在生產過程的環境與后續表面貼 裝的應力變化關系，會造成金屬與塑封料產生垂直型的裂縫，其特性是填料比例越高則越 硬越脆越容易產生裂縫。
技術實現思路
本技術的目的在于克服上述不足，提供一種降低封裝成本、可選擇的產品種 類廣、球焊的質量與產品可靠度的穩定性好、塑封體與金屬腳的束縛能力大的多個下沉基 島露出型單圈引腳無源器件封裝結構。本技術的目的是這樣實現的一種多個下沉基島露出型單圈引腳無源器件封 裝結構，包括基島、引腳、導電或不導電粘結物質、芯片、金屬線和有填料塑封料，所述基島 正面中央區域下沉，在所述引腳的正面設置有第一金屬層，在基島和引腳的背面設置有第 二金屬層，在基島正面中央下沉區域通過導電或不導電粘結物質設置有芯片，在引腳與引 腳之間或引腳與基島之間跨接有無源器件，芯片正面與引腳正面第一金屬層之間用金屬線 連接，在所述基島和引腳的上部以及芯片、金屬線和無源器件外包封有填料塑封料，所述基 島設置有多個，引腳設置有單圈，在所述引腳外圍、基島與基島之間的區域以及基島與引腳 之間的區域嵌置無填料塑封料，所述無填料塑封料將引腳下部外圍基島與基島下部以及基 島與引腳的下部連接成一體，且使所述基島和引腳背面尺寸小于基島和引腳正面尺寸，形 成上大下小的基島和引腳結構。本技術的有益效果是1)此種的引線框的背面不須要貼上一層昂貴可抗高溫的膠膜。所以直接降低了高 昂的成本。2)也因為此種的引線框架的背面不須要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過 程中的裝片工藝除了能使用導電或是不導電的樹脂工藝外，還能采用共晶工藝以及軟焊料 的工藝進行裝片，所以可選擇的產品種類就廣。3)又因為此種的引線框架的背面不須要貼上一層可抗高溫的膠膜，確保了球焊鍵 合參數的穩定性，保證了球焊的質量與產品可靠度的穩定性。4)再因為此種的引線框架不須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程中的塑 封工藝過程，完全不會造成引線框與膠膜之間滲入塑封料。5)由于在所述金屬腳(引腳)與金屬腳間的區域嵌置無填料軟性填縫劑，該無填 料軟性填縫劑與在塑封過程中的常規有填料塑封料一起包覆住整個金屬腳的高度，所以塑 封體與金屬腳的束縛能力就變大了，不會再有產生掉腳的問題。6)由于采用了正面與背面分開蝕刻作業的方法，所以在蝕刻作業中可形成背面基 島的尺寸稍小而正面基島尺寸稍大的結構，而同個基島的上下大小不同尺寸在被無填料塑 封料所包覆的更緊更不容易產生滑動而掉腳。附圖說明圖1為本技術多個下沉基島露出型單圈引腳無源器件封裝結構示意圖。圖2為圖1的俯視圖。圖3為以往在金屬基板的背面貼上一層耐高溫的膠膜圖作業。圖4為以往采用金屬基板的正面進行化學蝕刻及表面電鍍層作業圖。圖5為以往形成絕緣腳示意圖。圖6為以往形成的掉腳圖。圖中附圖標記基島1、引腳2、無填料塑封料3、第一金屬層4、第二金屬層5、導電或不導電粘結物 質6、芯片7、金屬線8、有填料塑封料9、無源器件10。具體實施方式參見圖1，圖1為本技術多個下沉基島露出型單圈引腳無源器件封裝結構示 意圖。由圖1可以看出，本技術多個下沉基島露出型單圈引腳無源器件封裝結構，包括 基島1、引腳2、導電或不導電粘結物質6、芯片7、金屬線8和有填料塑封料9，所述基島1正 面中央區域下沉，在所述引腳2的正面設置有第一金屬層4，在基島1和引腳2的背面設置 有第二金屬層5，在基島1正面中央下沉區域通過導電或不導電粘結物質6設置有芯片7， 在引腳2與引腳2之間或引腳2與基島1之間跨接有無源器件10，芯片7正面與引腳2正 面第一金屬層4之間用金屬線8連接，在所述基島1和引腳2的上部以及芯片7、金屬線8 和無源器件10外包封有填料塑封料9，所述基島1設置有多個，引腳2設置有單圈，在所述 引腳2外圍、基島1與基島1之間的區域以及基島1與引腳2之間的區域嵌置無填料塑封 料3，所述無填料塑封料3將引腳2下部外圍基島1與基島1下部以及基島1與引腳2的下 部連接成一體，且使所述基島1和引腳2背面尺寸小于基島1和引腳2正面尺寸，形成上大 下小的基島和引腳結構。權利要求一種多個下沉基島露出型單圈引腳無源器件封裝結構，包括基島(1)、引腳(2)、導電或不導電粘結物質(6)、芯片(7)、金屬線(8)和有填料塑封料(9)，所述基島(1)正面中央區域下沉，在所述引腳(2)的正面設置有第一金屬層(4)，在基島(1)和引腳(2)的背面設置有第二金屬層(5)，在基島(1)正面中央下沉區域通過導電或不導電粘結物質(6)設置有芯片(7)，在引腳(2)與引腳(2)之間或引腳(2)與基島(1)之間跨接有無源器件(10)，芯片(7)正面與引腳(2)正面第一金屬層(4)之間用金屬線(8)連接，在所述基島(1)和引腳(2)的上部以及芯片(7)、金屬線(8)和無源器件(10)外包封有填料塑封料(9)，其特征在于所述基島(1)設置有多個，引腳(2)設置有單圈，在所述引腳(2)外圍、基島(1)與基島(1)之間的區域以及基島(1)與引腳(2)之間的區域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料塑封料(3)將引腳(2)下部外圍基島(1)與基島(1)下部以及基島(1)與引腳(2)的下部連接成一體，且使所述基島(1)和引腳(2)背面尺寸小于基島(1)和引腳(2)正面尺寸，形成上大下小的基島和引腳結構。專利摘要本技術涉及一種多個下沉基島露出型單圈引腳無源器件封裝結構，包括基島(1)本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種多個下沉基島露出型單圈引腳無源器件封裝結構，包括基島（１）、引腳（２）、導電或不導電粘結物質（６）、芯片（７）、金屬線（８）和有填料塑封料（９），所述基島（１）正面中央區域下沉，在所述引腳（２）的正面設置有第一金屬層（４），在基島（１）和引腳（２）的背面設置有第二金屬層（５），在基島（１）正面中央下沉區域通過導電或不導電粘結物質（６）設置有芯片（７），在引腳（２）與引腳（２）之間或引腳（２）與基島（１）之間跨接有無源器件（１０），芯片（７）正面與引腳（２）正面第一金屬層（４）之間用金屬線（８）連接，在所述基島（１）和引腳（２）的上部以及芯片（７）、金屬線（８）和無源器件（１０）外包封有填料塑封料（９），其特征在于：所述基島（１）設置有多個，引腳（２）設置有單圈，在所述引腳（２）外圍、基島（１）與基島（１）之間的區域以及基島（１）與引腳（２）之間的區域嵌置無填料塑封料（３），所述無填料塑封料（３）將引腳（２）下部外圍基島（１）與基島（１）下部以及基島（１）與引腳（２）的下部連接成一體，且使所述基島（１）和引腳（２）背面尺寸小于基島（１）和引腳（２）正面尺寸，形成上大下小的基島和引腳結構。...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：王新潮，梁志忠，
申請(專利權)人：江蘇長電科技股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：32[中國|江蘇]