下沉基島露出型及埋入型基島無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及一種下沉基島露出型及埋入型基島無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，包括基島（１）、引腳（２）、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)（６）、芯片（７）、金屬線（８）和有填料塑封料（９），所述基島（１）有二組，一組為第一基島（１．１），另一組為第二基島（１．２），在引腳（２）與引腳（２）之間或引腳（２）與基島（１）之間跨接有無(wú)源器件（１０），所述第一基島（１．１）正面中央?yún)^(qū)域下沉，在所述引腳（２）外圍的區(qū)域、引腳（２）與第一基島（１．１）之間的區(qū)域、第二基島（１．２）背面、第二基島背面（１．２）與第一基島（１．１）之間的區(qū)域以及第二基島（１．２）背面與引腳（２）之間的區(qū)域嵌置無(wú)填料塑封料（３），且使所述第一基島（１．１）和引腳（２）背面尺寸小于第一基島（１．１）和引腳（２）正面尺寸。本實(shí)用新型專利技術(shù)塑封體與金屬腳的束縛能力大。（*該技術(shù)在2020年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種下沉基島露出型及埋入型基島無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)。屬于半導(dǎo) 體封裝

技術(shù)介紹
傳統(tǒng)的封裝結(jié)構(gòu)主要有二種第一種采用金屬基板的正面進(jìn)行化學(xué)蝕刻及表面電鍍層后，在金屬基板的背面 貼上一層耐高溫的膠膜形成可以進(jìn)行封裝過(guò)程的引線框載體(如圖3所示)；第二種采用金屬基板的正面進(jìn)行化學(xué)蝕刻及表面電鍍層后，即完成引線框的制 作(如圖4所示)。而引線框的背面則在封裝過(guò)程中再進(jìn)行背面蝕刻。而上述的二種引線框在封裝過(guò)程中存在了以下的不足點(diǎn)第一種1)此種的引線框架因背面必須要貼上一層昂貴可抗高溫的膠膜。所以直接增加了 高昂的成本。2)也因?yàn)榇朔N的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過(guò) 程中的裝片工藝只能使用導(dǎo)電或是不導(dǎo)電的樹(shù)脂工藝，而完全不能采用共晶工藝以及軟焊 料的工藝進(jìn)行裝片，所以可選擇的產(chǎn)品種類就有較大的局限性。3)又因?yàn)榇朔N的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過(guò)程 中的球焊鍵合工藝中，因?yàn)榇丝煽垢邷氐哪z膜是軟性材質(zhì)，所以造成了球焊鍵合參數(shù)的不 穩(wěn)定，嚴(yán)重的影響了球焊的質(zhì)量與產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性。4)再因?yàn)榇朔N的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過(guò)程 中的塑封工藝過(guò)程，因?yàn)樗芊獾母邏宏P(guān)系很容易造成引線框架與膠膜之間滲入塑封料，而 將原本應(yīng)屬金屬腳是導(dǎo)電的型態(tài)因?yàn)闈B入了塑封料反而變成了絕緣腳(如圖5所示)。第二種此種的引線框架結(jié)構(gòu)在金屬基板正面進(jìn)行了半蝕刻工藝，雖然可以解決第一種引 線框架的問(wèn)題，但是因?yàn)橹辉诮饘倩逭孢M(jìn)行了半蝕刻工作，而在塑封過(guò)程中塑封料只 有包覆住半只腳的高度，所以塑封體與金屬腳的束縛能力就變小了，如果塑封體貼片到PCB 板上不是很好時(shí)，再進(jìn)行返工重貼，就容易產(chǎn)生掉腳的問(wèn)題(如圖6所示)。尤其塑封料的種類是采用有填料時(shí)候，因?yàn)椴牧显谏a(chǎn)過(guò)程的環(huán)境與后續(xù)表面貼 裝的應(yīng)力變化關(guān)系，會(huì)造成金屬與塑封料產(chǎn)生垂直型的裂縫，其特性是填料比例越高則越 硬越脆越容易產(chǎn)生裂縫。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于克服上述不足，提供一種降低封裝成本、可選擇的產(chǎn)品種 類廣、球焊的質(zhì)量與產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性好、塑封體與金屬腳的束縛能力大的下沉基島露 出型及埋入型基島無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)。本技術(shù)的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種下沉基島露出型及埋入型基島無(wú)源器件 封裝結(jié)構(gòu)，包括基島、引腳、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)、芯片、金屬線和有填料塑封料，所述基 島有二組，一組為第一基島，另一組為第二基島，所述第一基島正面中央?yún)^(qū)域下沉，在所述 第二基島和引腳的正面設(shè)置有第一金屬層，在所述第一基島和引腳的背面設(shè)置有第二金屬 層，在第一基島正面中央下沉區(qū)域和第二基島正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)設(shè)置有芯 片，芯片正面與引腳正面第一金屬層之間以及芯片與芯片之間均用金屬線連接，在引腳與 引腳之間或引腳與基島之間跨接有無(wú)源器件，在所述基島和引腳的上部以及芯片、金屬線 和無(wú)源器件外包封有填料塑封料，在所述引腳外圍的區(qū)域、引腳與第一基島之間的區(qū)域、第 二基島背面、第二基島與第一基島之間的區(qū)域以及第二基島與引腳之間的區(qū)域嵌置無(wú)填料 塑封料，所述無(wú)填料塑封料將引腳下部外圍、引腳與第一基島下部、第二基島背面、第二基 島背面與第一基島下部以及第二基島背面與引腳下部連接成一體，且使所述第一基島和引 腳背面尺寸小于第一基島和引腳正面尺寸，形成上大下小的第一基島和引腳結(jié)構(gòu)。本技術(shù)的有益效果是1)此種的引線框的背面不須要貼上一層昂貴可抗高溫的膠膜。所以直接降低了高 昂的成本。2)也因?yàn)榇朔N的引線框架的背面不須要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過(guò) 程中的裝片工藝除了能使用導(dǎo)電或是不導(dǎo)電的樹(shù)脂工藝外，還能采用共晶工藝以及軟焊料 的工藝進(jìn)行裝片，所以可選擇的產(chǎn)品種類就廣。3)又因?yàn)榇朔N的引線框架的背面不須要貼上一層可抗高溫的膠膜，確保了球焊鍵 合參數(shù)的穩(wěn)定性，保證了球焊的質(zhì)量與產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性。4)再因?yàn)榇朔N的引線框架不須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過(guò)程中的塑 封工藝過(guò)程，完全不會(huì)造成引線框與膠膜之間滲入塑封料。5)由于在所述金屬腳(引腳)與金屬腳間的區(qū)域嵌置無(wú)填料軟性填縫劑，該無(wú)填 料的軟性填縫劑與在塑封過(guò)程中的常規(guī)有填料塑封料一起包覆住整個(gè)金屬腳的高度，所以 塑封體與金屬腳的束縛能力就變大了，不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問(wèn)題。6)由于采用了正面與背面分開(kāi)蝕刻作業(yè)的方法，所以在蝕刻作業(yè)中可形成背面基 島的尺寸稍小而正面基島尺寸稍大的結(jié)構(gòu)，而同個(gè)基島的上下大小不同尺寸在被無(wú)填料塑 封料所包覆的更緊更不容易產(chǎn)生滑動(dòng)而掉腳。附圖說(shuō)明圖1為本技術(shù)下沉基島露出型及埋入型基島無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1的俯視圖。圖3為以往在金屬基板的背面貼上一層耐高溫的膠膜圖作業(yè)。圖4為以往采用金屬基板的正面進(jìn)行化學(xué)蝕刻及表面電鍍層作業(yè)圖。圖5為以往形成絕緣腳示意圖。圖6為以往形成的掉腳圖。圖中附圖標(biāo)記基島1、第一基島1. 1、第二基島1. 2、引腳2、無(wú)填料塑封料3、第一金屬層4、第二 金屬層5、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6、芯片7、金屬線8、有填料塑封料9、無(wú)源器件10。具體實(shí)施方式參見(jiàn)圖1 2，圖1為本技術(shù)下沉基島露出型及埋入型基島無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu) 示意圖。圖2為圖1的俯視圖。由圖1和圖2可以看出，本技術(shù)下沉基島露出型及埋 入型基島無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，包括基島1、引腳2、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6、芯片7、金屬線 8和有填料塑封料9，所述基島1有二組，一組為第一基島1. 1，另一組為第二基島1.2，所述 第一基島1. 1正面中央?yún)^(qū)域下沉，在所述第二基島1.2和引腳2的正面設(shè)置有第一金屬層 4，在所述第一基島1. 1和引腳2的背面設(shè)置有第二金屬層5，在第一基島1. 1正面中央下沉 區(qū)域和第二基島1. 2正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6設(shè)置有芯片7，芯片7正面與引腳2 正面第一金屬層4之間以及芯片7與芯片7之間均用金屬線8連接，在引腳2與引腳2之 間或引腳2與基島1之間跨接有無(wú)源器件10，在所述基島1和引腳2的上部以及芯片7、金 屬線8和無(wú)源器件10外包封有填料塑封料9，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與第一基島 1. 1之間的區(qū)域、第二基島1. 2背面、第二基島1. 2與第一基島1. 1之間的區(qū)域以及第二基 島1. 2與引腳2之間的區(qū)域嵌置無(wú)填料塑封料3，所述無(wú)填料塑封料3將引腳下部外圍、引 腳2與第一基島1. 1下部、第二基島1. 2背面、第二基島1. 2背面與第一基島1. 1下部以及 第二基島1. 2背面與引腳2下部連接成一體，且使所述第一基島1. 1和引腳2背面尺寸小 于第一基島1. 1和引腳2正面尺寸，形成上大下小的第一基島和引腳結(jié)構(gòu)。權(quán)利要求一種下沉基島露出型及埋入型基島無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，包括基島(1)、引腳(2)、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)、芯片(7)、金屬線(8)和有填料塑封料(9)，所述基島(1)有二組，一組為第一基島(1.1)，另一組為第二基島(1.2)，所述第一基島(1.1)正面中央?yún)^(qū)域下沉，在所述第二基島(1.2)和引腳(2)的正面設(shè)置有第一金屬層(4)，在所述第一基島(1.1)和引腳(2)的背面設(shè)置有第二金屬層(5)，在第一基島(1.1)正面中央下沉區(qū)域和第二基島(1.2)正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種下沉基島露出型及埋入型基島無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，包括基島（１）、引腳（２）、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)（６）、芯片（７）、金屬線（８）和有填料塑封料（９），所述基島（１）有二組，一組為第一基島（１．１），另一組為第二基島（１．２），所述第一基島（１．１）正面中央?yún)^(qū)域下沉，在所述第二基島（１．２）和引腳（２）的正面設(shè)置有第一金屬層（４），在所述第一基島（１．１）和引腳（２）的背面設(shè)置有第二金屬層（５），在第一基島（１．１）正面中央下沉區(qū)域和第二基島（１．２）正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)（６）設(shè)置有芯片（７），芯片（７）正面與引腳（２）正面第一金屬層（４）之間以及芯片（７）與芯片（７）之間均用金屬線（８）連接，在引腳（２）與引腳（２）之間或引腳（２）與基島（１）之間跨接有無(wú)源器件（１０），在所述基島（１）和引腳（２）的上部以及芯片（７）、金屬線（８）和無(wú)源器件（１０）外包封有填料塑封料（９），其特征在于：在所述引腳（２）外圍的區(qū)域、引腳（２）與第一基島（１．１）之間的區(qū)域、第二基島（１．２）背面、第二基島背面（１．２）與第一基島（１．１）之間的區(qū)域以及第二基島（１．２）背面與引腳（２）之間的區(qū)域嵌置無(wú)填料塑封料（３），所述無(wú)填料塑封料（３）將引腳下部外圍、引腳（２）與第一基島（１．１）下部、第二基島（１．２）、第二基島（１．２）與第一基島（１．１）下部以及第二基島（１．２）背面與引腳（２）下部連接成一體，且使所述第一基島（１．１）和引腳（２）背面尺寸小于第一基島（１．１）和引腳（２）正面尺寸，形成上大下小的第一基島和引腳結(jié)構(gòu)。...

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王新潮，梁志忠，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：32[中國(guó)|江蘇]