發(fā)光裝置及發(fā)光裝置制造方法制造方法及圖紙

本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)提供了能解決由于第一發(fā)光元件與第二發(fā)光元件之間的接合而導(dǎo)致的脆弱性的發(fā)光裝置，以及該發(fā)光裝置的制造方法。在支撐基體上設(shè)置有彼此重疊的芯片狀第一發(fā)光元件和第二發(fā)光元件。在該支撐基體的頂面上設(shè)有四個(gè)島狀凸部，并且這四個(gè)島狀凸部支撐著所述第二發(fā)光元件。所述凸部是通過(guò)對(duì)支撐基體進(jìn)行濕式蝕刻或干式蝕刻而形成的，并且在所述凸部的頂面上設(shè)置有焊盤(pán)電極。所述焊盤(pán)電極與所述第二發(fā)光元件電連接，還與導(dǎo)線電連接。根據(jù)本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的發(fā)光裝置以及發(fā)光裝置制造方法，能精確地形成凸部，并且這些凸部的高度沒(méi)有差異。因此，不可能出現(xiàn)由于第一發(fā)光元件與第二發(fā)光元件之間的接合而引起的脆弱性。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專(zhuān)利技術(shù)涉及具有多個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光裝置以及該發(fā)光裝置的制造方法。
技術(shù)介紹
近年來(lái)，在半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域中，正在積極地開(kāi)發(fā)在同一基板(或基體)上具有發(fā) 光波長(zhǎng)互不相同的多個(gè)發(fā)光部的多波長(zhǎng)激光器。多波長(zhǎng)激光器例如被用作光盤(pán)裝置的光 源。在該光盤(pán)裝置中，700nm波段的激光束用于再生⑶(壓縮光盤(pán))，并且還用于記錄/ 再生諸如⑶-R(可記錄⑶)、⑶-RW(可擦寫(xiě)⑶)或者M(jìn)D (小型光盤(pán))等可記錄光盤(pán)。600nm 波段的激光束用于記錄/再生DVD (數(shù)字化多用途光盤(pán))。通過(guò)在光盤(pán)裝置上安裝多波長(zhǎng)激 光器，就可以記錄或再生現(xiàn)有的多種光盤(pán)中的任何一種。此外，已實(shí)現(xiàn)了具有短波長(zhǎng)(400nm 波段)的激光器，該激光器使用由GaN、AlGaN和GaInN代表的氮化物基III-V族化合物半 導(dǎo)體(下文稱作GaN基化合物半導(dǎo)體)，該激光器實(shí)際上被用作較高密度光盤(pán)的光源。另 夕卜，通過(guò)將多波長(zhǎng)也用在短波長(zhǎng)激光器上，可以進(jìn)一步擴(kuò)大應(yīng)用。通常推薦的是具有這種GaN基激光振蕩器的3波長(zhǎng)激光裝置(發(fā)光裝置)，它例如 通過(guò)下面的方法制造而成。具體地，首先，在GaN基板上生長(zhǎng)GaN基化合物半導(dǎo)體，以便形 成波長(zhǎng)在400nm波段的第一發(fā)光元件。在同一 GaN基板上，通過(guò)生長(zhǎng)AlGaInP基化合物半 導(dǎo)體來(lái)提供600nm波段的元件并且還通過(guò)生長(zhǎng)AlGaAs基化合物半導(dǎo)體來(lái)提供700nm波段 的元件，由此形成第二發(fā)光元件。把第一發(fā)光元件和第二發(fā)光元件按照此順序重疊地設(shè)置 在支撐基體上。以此方式，通常就制造出3波長(zhǎng)激光裝置。在通常的3波長(zhǎng)激光裝置中，第 二發(fā)光元件中產(chǎn)生的熱量從具有極好導(dǎo)熱性的GaN基板和支撐基體中釋放出去，從而得到 高的散熱效率。這種發(fā)光裝置例如通過(guò)如下方法予以形成在支撐基體上安裝第一發(fā)光元件，在 該支撐基體上形成多個(gè)金凸塊，并在這些金凸塊和上述第一發(fā)光元件上安裝第二發(fā)光元件 (參照日本專(zhuān)利公開(kāi)公報(bào)特開(kāi)2007-234643號(hào))。這些金凸塊具有如下功能其作為使第二 發(fā)光元件中產(chǎn)生的熱量釋放出去的散熱器(heat sink)，還用于從支撐基體側(cè)向第二發(fā)光 元件提供電力。在該制造過(guò)程中，在設(shè)置第二發(fā)光元件之前，不容易將全部金凸塊的高度調(diào)整成 同一高度，因此這些金凸塊的高度是有差異的。所以，在金凸塊的高度略大于所需高度的情 況下，在設(shè)置第二發(fā)光元件時(shí)金凸塊會(huì)被第二發(fā)光元件擠壓而發(fā)生變形。當(dāng)金凸塊受到擠 壓而發(fā)生變形時(shí)，意味著在金凸塊中會(huì)出現(xiàn)脆弱性(weakness)。這樣導(dǎo)致的問(wèn)題是根據(jù)脆弱性的程度，就可能出現(xiàn)故障。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
因此，本專(zhuān)利技術(shù)的目的是期望提供一種能夠解決由于第一發(fā)光元件與第二發(fā)光元件 之間的接合而引起的脆弱性的發(fā)光裝置、以及該發(fā)光裝置的制造方法。本專(zhuān)利技術(shù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置包括支撐基體，在它的頂面上具有凸部；第一發(fā) 光元件，它設(shè)置在所述頂面中的沒(méi)有形成所述凸部的區(qū)域內(nèi)；以及第二發(fā)光元件，它設(shè)置在 所述第一發(fā)光元件和所述凸部上。所述發(fā)光裝置還包括引出電極以及一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)電 極。所述引出電極形成在所述頂面中的沒(méi)有形成所述凸部的區(qū)域內(nèi)，并與所述第一發(fā)光元 件電連接。所述一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)電極中的每一者都具有與所述第二發(fā)光元件電連接的第一 連接面和與外部導(dǎo)電部件電連接的第二連接面，并且每個(gè)所述焊盤(pán)電極都形成在所述凸部 的頂面上。本專(zhuān)利技術(shù)另一實(shí)施例的發(fā)光裝置包括導(dǎo)電性支撐基體，在它的頂面上具有凸部； 第一發(fā)光元件，它設(shè)置在所述頂面中的沒(méi)有形成所述凸部的區(qū)域內(nèi)；以及第二發(fā)光元件，它 設(shè)置在所述第一發(fā)光元件和所述凸部上。所述發(fā)光裝置還具有引出電極以及一個(gè)或多個(gè)焊 盤(pán)電極。所述弓I出電極形成在所述導(dǎo)電性支撐基體的背面上，并與所述導(dǎo)電性支撐基體電 連接。所述一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)電極中的每一者都具有與所述第二發(fā)光元件電連接的第一連接 面和與外部導(dǎo)電部件電連接的第二連接面，并且每個(gè)所述焊盤(pán)電極都形成在所述凸部的頂 面上。本專(zhuān)利技術(shù)又一實(shí)施例的發(fā)光裝置制造方法包括如下步驟準(zhǔn)備頂面上具有凸部的支 撐基體、第一發(fā)光元件以及水平寬度比所述第一發(fā)光元件的水平寬度大的第二發(fā)光元件； 在所述凸部的頂面上形成一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)電極，每個(gè)所述焊盤(pán)電極都具有與所述第二發(fā)光 元件電連接的第一連接面和與外部導(dǎo)電部件電連接的第二連接面；在所述支撐基體頂面中 的沒(méi)有形成所述凸部的區(qū)域內(nèi)，形成用于安裝所述第一發(fā)光元件的安裝電極和與所述安裝 電極電連接的引出電極；以及將所述第一發(fā)光元件設(shè)置在所述安裝電極上，并將所述第二 發(fā)光元件設(shè)置在所述第一發(fā)光元件和所述第一連接面上。本專(zhuān)利技術(shù)再一實(shí)施例的發(fā)光裝置制造方法包括如下步驟準(zhǔn)備頂面上具有凸部的導(dǎo) 電性支撐基體、第一發(fā)光元件以及水平寬度比所述第一發(fā)光元件的水平寬度大的第二發(fā)光 元件；在所述凸部的頂面上形成一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)電極，每個(gè)所述焊盤(pán)電極都具有與所述第 二發(fā)光元件電連接的第一連接面和與外部導(dǎo)電部件電連接的第二連接面；在所述導(dǎo)電性 支撐基體頂面中的沒(méi)有形成所述凸部的區(qū)域內(nèi)，形成用于安裝所述第一發(fā)光元件的安裝電 極；在所述導(dǎo)電性支撐基體的背面上形成與所述導(dǎo)電性支撐基體電連接的引出電極；以及 將所述第一發(fā)光元件設(shè)置在所述安裝電極上，并將所述第二發(fā)光元件設(shè)置在所述第一發(fā)光 元件和所述第一連接面上。在本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的發(fā)光裝置以及發(fā)光裝置制造方法中，在第一發(fā)光元件以及形成 在凸部頂面上的焊盤(pán)電極的第一連接面上設(shè)置著第二發(fā)光元件。利用這種結(jié)構(gòu)，例如，在通 過(guò)對(duì)支撐基體進(jìn)行濕式蝕刻或干式蝕刻來(lái)形成上述凸部的情況下以及在用凸塊形成上述 凸部的情況下，精確地形成了上述凸部，并且這些凸部的高度沒(méi)有差異。在本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的發(fā)光裝置以及發(fā)光裝置制造方法中，精確地形成了凸部，并且這些凸部的高度沒(méi)有差異。因此，不可能出現(xiàn)由于第一發(fā)光元件與第二發(fā)光元件之間的接 合引起的脆弱性。從下面的說(shuō)明能更全面地顯示出本專(zhuān)利技術(shù)的其他及進(jìn)一步目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。 附圖說(shuō)明圖1是本專(zhuān)利技術(shù)第一實(shí)施例的發(fā)光裝置的立體圖。圖2是沿圖1中發(fā)光裝置的線A-A得到的截面圖。圖3是沿圖1中發(fā)光裝置的線B-B得到的截面圖。圖4是圖1的發(fā)光裝置的第一變形例的立體圖。圖5是圖1的發(fā)光裝置的第二變形例的截面圖。 圖6是外殼的平面圖。圖7是圖1的發(fā)光裝置的第三變形例的立體圖。圖8是圖1的發(fā)光裝置的第四變形例的立體圖。圖9是圖1的發(fā)光裝置的第五變形例的截面圖。圖10是圖1的發(fā)光裝置的第六變形例的截面圖。圖11是圖1的發(fā)光裝置的第七變形例的立體圖。圖12是圖1的發(fā)光裝置的第八變形例的截面圖。具體實(shí)施例方式下面參照附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明用于實(shí)現(xiàn)本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施方式。說(shuō)明的順序如下1.實(shí)施例(圖1 圖6)-支撐基體設(shè)有四個(gè)凸部的示例-在支撐基體的頂面上設(shè)有引出電極的示例-設(shè)有兩個(gè)發(fā)光元件的示例2.變形例-支撐基體設(shè)有兩個(gè)凸部的示例(圖7)-支撐基體設(shè)有一個(gè)凸部的示例(圖8)-在支撐基體上的凸部中設(shè)有臺(tái)階的示例(圖9)_在支撐基體的背面上設(shè)有引出電極的示例(圖10)-在發(fā)光元件的后方設(shè)有光接收元件的示例(圖11)-設(shè)有三個(gè)發(fā)光元件的示例(圖12)實(shí)施例發(fā)光裝置圖1是本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的發(fā)光裝置1的立體圖。圖2圖示了沿圖1中發(fā)光裝置1的 線A-A得到的截面結(jié)構(gòu)。圖3圖示了沿圖1中發(fā)光裝置1的線B-B得到的截面結(jié)構(gòu)。發(fā)光 裝置1適于用作對(duì)光盤(pán)進(jìn)行本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種發(fā)光裝置，其包括：支撐基體，在所述支撐基體的頂面上具有凸部；第一發(fā)光元件，它設(shè)置在所述頂面中的沒(méi)有形成所述凸部的區(qū)域內(nèi)；第二發(fā)光元件，它設(shè)置在所述第一發(fā)光元件和所述凸部上；一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)電極，每個(gè)所述焊盤(pán)電極都具有與所述第二發(fā)光元件電連接的第一連接面和與外部導(dǎo)電部件電連接的第二連接面，并且每個(gè)所述焊盤(pán)電極都形成在所述凸部的頂面上；以及引出電極，它形成在所述支撐基體頂面中的沒(méi)有形成所述凸部的區(qū)域內(nèi)，并與所述第一發(fā)光元件電連接。

【技術(shù)特征摘要】
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【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：浜口雄一，伴野紀(jì)之，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：索尼公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：JP[日本]