真空處理設備和真空處理方法技術

真空處理設備和真空處理方法。本發明專利技術涉及一種真空處理設備(1)，其包括交替地串聯連接的兩個處理室(PC1，PC2)和三個裝載鎖定室(LL1，LL2，LL3)、以及轉移裝置，所述轉移裝置僅在彼此相鄰的處理室(PC1或PC2)和裝載鎖定室(LL1和LL2或者LL2和LL3)之間轉移多個托架。當托架通過轉移裝置定位在處理室(PC1或PC2)中時對襯底進行沉積處理，而當托架通過轉移裝置定位在裝載鎖定室(LL1，LL2，LL3)中時更換襯底。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種適于真空處理大量襯底的。
技術介紹
傳統上采用一種其中一個裝載鎖定室LL連接到一個處理室PC的沉積設備在諸如襯底的靶材料上沉積大約一至三層(例如，參見日本專利特開No. 9-27297)。在這種包括僅一個處理室PC和一個裝載鎖定室LL的沉積設備中，在裝載鎖定室 LL中更換襯底的同時不能在處理室PC中進行沉積，所以存在一極限，超出該極限就無法進一步提高實質的生產能力利用率，并且難以提高沉積處理的生產率(吞吐量)。而且，在包括僅一個處理室PC和一個裝載鎖定室LL的沉積設備中，經常使用在將襯底保持在托架上的同時轉移真空容器的裝置。在這種裝置中，經常在從真空容器去除托架之后附裝/拆卸襯底，所以需要大量的處理步驟來附裝/拆卸襯底，從而阻礙生產率提尚ο在這種情況下，為了縮短裝載鎖定室LL中的操作時間，采用了一種分別在處理室 PC的上游側和下游側上布置裝載鎖定室LL，并且沿著一個方向傳遞襯底的方法(例如，參見日本專利特開No. 7-243037和No. 11-22915)。例如，日本專利特開No. 7-243037中公開的技術使用一種真空處理設備，在所述真空處理設備中多個處理室PC布置在裝載室和卸載室之間。該真空處理設備可以在將襯底保持在托架上的同時轉移所述襯底，并且因此可以在襯底(靶材料)上連續地形成多層膜。然而，日本專利特開No. 7-243037中說明的技術要求復雜的機構，以用于在真空容器內轉移保持襯底的托架(或保持器)。這使得難以減少沉積設備的成本。而且，如果僅少量的層堆疊在襯底上，則裝載室LC和卸載室UL中的操作時間變得相對較長，并且必須準備相當多的托架以提高處理室PC的運行率。這也使得難以減少沉積設備的成本。
技術實現思路
本專利技術是考慮到上述問題而作出的，并且實現了一種可以提高沉積處理的生產率且有助于減少成本的。為了解決上述問題，本專利技術提供一種真空處理設備，所述真空處理設備包括不少于一個的處理單元；裝載鎖定室，所述裝載鎖定室比處理單元多一個；托架，所述托架比處理單元多不少于一個；和轉移裝置，所述轉移裝置在彼此相鄰的處理單元和裝載鎖定室之間轉移托架，其中，處理單元和裝載鎖定室交替地串聯連接，所述裝載鎖定室至少包括在一側與所述處理單元相鄰的第一裝載鎖定室和在另一側與所述處理單元相鄰的第二裝載鎖定室，所述托架至少包括在所述第一裝載鎖定室與所述處理單元之間往復運動的第一托架以及在所述第二裝載鎖定室與所述處理單元之間往復運動的第二托架，并且所述轉移裝置沿著相同的方向同步地轉移所述第一托架和所述第二托架。本專利技術還提供一種使用如上限定的真空處理設備的真空處理方法，所述方法包括將襯底附裝到定位在所述裝載鎖定室中的托架的附裝步驟；將在所述附裝步驟中安裝了襯底的托架轉移到與所述裝載鎖定室相鄰的處理單元的轉移步驟；在所述轉移步驟中轉移到所述處理單元中的托架上所安裝的襯底上執行真空處理的真空處理步驟；在所述真空處理步驟之后將安裝有所述襯底的托架轉移到所述裝載鎖定室的第二轉移步驟；將另一襯底附裝到位于另一裝載鎖定室中的另一托架的第二附裝步驟，所述另一裝載鎖定室在另一側與所述處理單元相鄰；和將在所述第二附裝步驟中安裝有所述另一襯底的所述另一托架轉移到所述處理單元的第三轉移步驟，其中，在所述真空處理步驟期間執行所述第二附裝步驟。本專利技術還提供一種使用如上限定的真空處理設備的真空處理方法，所述方法包括將襯底附裝到定位在所述裝載鎖定室中的托架的附裝步驟；將在所述附裝步驟中安裝了襯底的托架轉移到與所述裝載鎖定室相鄰的第一處理室的轉移步驟；在所述轉移步驟中轉移到所述第一處理室中的托架上所安裝的襯底上執行真空處理的真空處理步驟；將安裝有所述襯底的托架轉移到與所述裝載鎖定室相鄰的第二處理室的第二轉移步驟，所述襯底已經在所述真空處理步驟中經受了真空處理；在所述第二轉移步驟中轉移到所述第二處理室中的托架上所安裝的襯底上執行真空處理的第二真空處理步驟；在所述第二真空處理步驟之后將安裝有所述襯底的托架轉移到所述第一處理室的第三轉移步驟；將另一襯底附裝到位于另一裝載鎖定室中的另一托架的第二附裝步驟，所述另一裝載鎖定室在另一側與所述第二處理室相鄰；和將在所述第二附裝步驟中安裝有所述另一襯底的所述另一托架轉移到所述第二處理室的第四轉移步驟，其中，在所述第二真空處理步驟期間執行所述第二附裝步驟。根據本專利技術，能夠提供一種真空處理設備，所述真空處理設備盡管使用少量托架， 仍然可以提高處理室(處理單元)的運行率。而且，甚至當例如考慮到這些托架的修理和維護時，該真空處理設備也可以使用少量托架來執行連續的生產。本專利技術的其它特征將從以下參照附圖的示例性實施例的說明而變得清楚。附圖說明圖1是根據本專利技術的第一實施例中的真空處理設備的外部透視圖；圖2是第一實施例中的真空處理設備的側視圖；圖3是第一實施例中的真空處理設備的俯視圖；圖4是第一實施例中的真空處理設備的示意圖；圖5A和5B是用于解釋第一實施例的真空處理設備中的處理步驟的視圖；圖6A和6B是用于解釋第一實施例的真空處理設備中的處理步驟的視圖；圖7是第一實施例中的真空處理設備的各室中的處理的時序圖；圖8是第一實施例中的真空處理設備的各室中的處理的時序圖；圖9A和9B是用于解釋第二實施例的真空處理設備中的處理步驟的視圖；圖IOA至IOD是用于解釋第三實施例的真空處理設備中的處理步驟的視圖；圖IlA至IlC是用于解釋第四實施例的真空處理設備中的處理步驟的視圖；圖12A至12D是用于解釋第五實施例的真空處理設備中的處理步驟的視圖。具體實施例方式以下將參照附圖說明本專利技術的實施例。應注意到，以下將說明的構件、布置和其它特征僅給出實施本專利技術的示例，而不限制本專利技術，所以當然可以在不脫離本專利技術范圍的情況下進行多種修改和改變。雖然將采用沉積DLC(類金剛石)的CVD沉積設備(真空處理設備1)作為本專利技術的說明書中的真空處理設備的示例，但是本專利技術不限于此。本專利技術也可適當地應用到例如濺射設備、其它的PVD設備以及其它的CVD設備。本專利技術此外可適當地應用到除了沉積設備以外的處理設備，例如，干法刻蝕設備、灰化設備和熱處理設備。而且，根據本專利技術的真空處理設備可以適當地用作燃料電池制造設備、面板制造設備、半導體制造設備以及存儲器制造設備。在本說明書中，“處理單元”不但包括圖4和5中示出的處理室PC，而且還包括一系列區域(例如，諸如圖10和11中示出的處理室PCl和PC2的連續的室)，在所述區域中真空處理設備執行真空處理。與此不同，“處理室”指諸如處理室PCI的單獨的處理室。在本說明書中，在一側與任意處理室相鄰的裝載鎖定室定義為第一裝載鎖定室， 而在另一側與該處理室相鄰的裝載鎖定室定義為第二裝載鎖定室。第一托架和第二托架指在托架Cal至Ca6之中彼此并置的兩個任意的托架。(第一實施例)圖1至8是示出根據本專利技術第一實施例的真空處理設備的視圖，其中圖1是真空處理設備的外部透視圖；圖2是真空處理設備的側視圖；圖3是真空處理設備的俯視圖；圖 4是真空處理設備的構造的示意圖；圖5A、5B、6A和6B是示出真空處理設備中的處理步驟的解釋性視圖；而圖7和圖8是真空處理設備的各室中的處理的時序圖。應注意到，這些附圖中沒有示出某些元件以避免附圖的復本文檔來自技高網...

【技術保護點】
１．一種真空處理設備，所述真空處理設備包括：不少于一個的處理單元；裝載鎖定室，所述裝載鎖定室比所述處理單元多一個；托架，所述托架比所述處理單元多不少于一個；和轉移裝置，所述轉移裝置在彼此相鄰的處理單元和裝載鎖定室之間轉移所述托架，其中，所述處理單元和所述裝載鎖定室交替地串聯連接，所述裝載鎖定室至少包括在一側與所述處理單元相鄰的第一裝載鎖定室和在另一側與所述處理單元相鄰的第二裝載鎖定室，所述托架至少包括在所述第一裝載鎖定室與所述處理單元之間往復運動的第一托架以及在所述第二裝載鎖定室與所述處理單元之間往復運動的第二托架，并且所述轉移裝置沿著相同的方向同步地轉移所述第一托架和所述第二托架。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：佐長谷肇，渡邊直樹，徐舸，
申請(專利權)人：佳能安內華股份有限公司，
類型：發明
國別省市：JP