本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種耦合電容觸發(fā)可控硅器件，由觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路和帶觸發(fā)端的可控硅構(gòu)成，利用耦合電容電路輸出觸發(fā)信號(hào)提供可控硅足夠的開啟電流，實(shí)現(xiàn)ESD脈沖與電路正常上電信號(hào)的區(qū)別；通過在電容耦合電路增加識(shí)別ESD脈沖的PMOS開關(guān)，實(shí)現(xiàn)只有在ESD的情況下將電容耦合電路接入電源線，從而達(dá)到降低電容耦合電路靜態(tài)漏電的目的。相比傳統(tǒng)電容耦合觸發(fā)SCR結(jié)構(gòu)依靠金屬層電容作為耦合電容，本發(fā)明專利技術(shù)中采用MOS電容管更節(jié)省面積，并且解決了MOS電容管在直流偏壓下的漏電流問題。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于集成電路靜電防護(hù)領(lǐng)域，具體涉及一種耦合電容觸發(fā)可控硅器件。
技術(shù)介紹
自然界的靜電放電(ESD)現(xiàn)象對(duì)集成電路的可靠性構(gòu)成嚴(yán)重的威脅。在工業(yè)界， 集成電路產(chǎn)品的失效30%都是由于遭受靜電放電現(xiàn)象所引起的，而且越來越小的工藝尺 寸，更薄的柵氧厚度都使得集成電路受到靜電放電破壞的幾率大大增加。因此，改善集成電 路靜電放電防護(hù)的可靠性對(duì)提高產(chǎn)品的成品率具有不可忽視的作用。靜電放電現(xiàn)象的模式通常分為四種HBM(人體放電模式)，匪(機(jī)器放電模式)， CDM(組件充電放電模式)以及電場(chǎng)感應(yīng)模式(FIM)。而最常見也是工業(yè)界產(chǎn)品必須通過的 兩種靜電放電模式是HBM和MM。當(dāng)發(fā)生靜電放電時(shí)，電荷通常從芯片的一只引腳流入而從 另一只引腳流出，此時(shí)靜電電荷產(chǎn)生的電流通常高達(dá)幾個(gè)安培，在電荷輸入引腳產(chǎn)生的電 壓高達(dá)幾伏甚至幾十伏。如果較大的ESD電流流入內(nèi)部芯片則會(huì)造成內(nèi)部芯片的損壞，同 時(shí)，在輸入引腳產(chǎn)生的高壓也會(huì)造成內(nèi)部器件發(fā)生柵氧擊穿現(xiàn)象，從而導(dǎo)致電路失效。因 此，為了防止內(nèi)部芯片遭受ESD損傷，對(duì)芯片的每個(gè)引腳都要進(jìn)行有效的ESD防護(hù)，對(duì)ESD 電流進(jìn)行泄放。在集成電路的正常工作狀態(tài)下，靜電放電防護(hù)器件是處于關(guān)閉的狀態(tài)，不會(huì)影響 輸入輸出引腳上的電位。而在外部靜電灌入集成電路而產(chǎn)生瞬間的高電壓的時(shí)候，這個(gè)器 件會(huì)開啟導(dǎo)通，迅速的排放掉靜電電流。ESD防護(hù)設(shè)計(jì)不但要對(duì)內(nèi)部芯片保護(hù)，還要保證不對(duì)芯片的正常工作產(chǎn)生影響，即 僅當(dāng)ESD到來時(shí)，ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)開啟工作，而在電路輸入輸出信號(hào)、正常上電的情況下需要 保證ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)不會(huì)開啟工作，否則就會(huì)發(fā)生閂鎖效應(yīng)。另外，ESD防護(hù)設(shè)計(jì)要盡可能減 少對(duì)電路性能的影響，例如寄生電容的減小，靜態(tài)漏電流的減小等。如圖1所示，作為一種常用的ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)，現(xiàn)有技術(shù)中，耦合電容觸發(fā)的可控硅 由耦合電路和可控硅構(gòu)成，可控硅包括P型襯底和N阱，其中，P型襯底上依次設(shè)有第一 P+ 注入?yún)^(qū)、第一 N+注入?yún)^(qū)和P+觸發(fā)端，N阱上依次設(shè)有第二 P+注入?yún)^(qū)和第二 N+注入?yún)^(qū)，觸 發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路包括一個(gè)電容和一個(gè)電阻串聯(lián)構(gòu)成的耦合電路，以及用于輸出該耦合電路 生成信號(hào)的反應(yīng)器。上述的耦合電容觸發(fā)的可控硅被廣泛的應(yīng)用于集成電路芯片I/O端口 以及電源域的防護(hù)中。耦合電容觸發(fā)的可控硅有著導(dǎo)通均勻、觸發(fā)電壓可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。但是， 由于通常采用的金屬-絕緣層-金屬電容結(jié)構(gòu)作為耦合電容，取得合適的電容值時(shí)面積很 大，不適合集成電路芯片靜電防護(hù)的設(shè)計(jì)。為了減小電容面積，通常采用單位面積電容效率 更高的MOS電容(柵氧電容)作為耦合電容，但是隨著集成電路芯片制造工藝尺寸的不斷 減小，精密程度不斷加大，由于柵氧化層的減薄，導(dǎo)致電容耦合觸發(fā)的可控硅中MOS電容的 靜態(tài)漏電問題越來越嚴(yán)重，需要針對(duì)漏電流問題改進(jìn)現(xiàn)有的電容耦合觸發(fā)結(jié)構(gòu)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供了一種耦合電容觸發(fā)可控硅器件，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，具有低的靜態(tài)漏電，是一 種具有高可靠性和低靜態(tài)功耗的靜電放電防護(hù)器件。一種耦合電容觸發(fā)可控硅器件，由觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路和可控硅構(gòu)成；其中，所述可 控硅為帶觸發(fā)端的可控硅，包括P型襯底和N阱，其中，P型襯底上依次設(shè)有第一 P+注入?yún)^(qū)、 第一 N+注入?yún)^(qū)和P+觸發(fā)端，N阱上依次設(shè)有第二 P+注入?yún)^(qū)和第二 N+注入?yún)^(qū)；所述P+觸發(fā) 端靠近所述P型襯底和N阱的交界，所述第二 P+注入?yún)^(qū)靠近所述P型襯底和N阱的交界； 所述第一 P+注入?yún)^(qū)和第一 N+注入?yún)^(qū)接電學(xué)陰極，所述第二 P+注入?yún)^(qū)和第二 N+注入?yún)^(qū)接 電學(xué)陽(yáng)極；所述觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路由PMOS管、多晶硅電阻、MOS電容、NMOS管、第一反相器和 第二反相器構(gòu)成；其中，PMOS管的源極接電學(xué)陽(yáng)極，PMOS管的漏極接多晶硅電阻的上端和 第一反相器的輸入端，第一反相器的輸出端則接PMOS管的柵極和NMOS管的柵極，多晶硅電 阻的下端分別接MOS電容的陽(yáng)極、第二反相器的輸入端和NMOS管的漏極，NMOS管的源極與 MOS電容的陰極一起接電學(xué)陰極；所述第二反相器的輸出端與所述可控硅中的P+觸發(fā)端相 連。由于ESD脈沖的寬度通常在0. 1 0. 2微秒之間，因此，第二反相器輸出的觸發(fā)信 號(hào)與陽(yáng)極產(chǎn)生的ESD信號(hào)存在0. 1 0. 2微秒的延時(shí)。由于這個(gè)延時(shí)的取值為多晶硅電阻 的阻值與MOS電容的電容值的乘積，因此多晶硅電阻值與MOS電容值的乘積為0. 1 0. 2 微秒。優(yōu)選多晶硅電阻的阻值為20千歐，MOS電容的電容值為5皮法。本專利技術(shù)中，觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路由PMOS管、多晶硅電阻、MOS電容、NMOS管和兩個(gè)反 相器構(gòu)成，其中PMOS管、多晶硅電阻和MOS電容組成電容耦合回路，PMOS管的源極接電學(xué)陽(yáng) 極，MOS電容的陰極接電學(xué)陰極。NMOS管并聯(lián)在MOS電容的兩端，作為電容電荷泄放路徑。 第一反相器的輸出端接PMOS管和NMOS管的柵極，用于控制PMOS管和NMOS管的開啟，PMOS 管和第一反相器組成ESD信號(hào)識(shí)別結(jié)構(gòu)。多晶硅電阻的下端另接第二反相器，第二反相器 的輸出端作為整個(gè)觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路的觸發(fā)信號(hào)輸出端。此外，不同于常用可控硅中通過N阱與P型襯底的PN結(jié)反向擊穿來開啟，本專利技術(shù) 中，可控硅本身帶有觸發(fā)信號(hào)接入端(P+觸發(fā)端)，可控硅通過觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路對(duì)P型襯 底上的P+觸發(fā)端灌入觸發(fā)電流來實(shí)現(xiàn)開啟。本專利技術(shù)的耦合電容觸發(fā)可控硅器件，利用MOS電容作為耦合電容觸發(fā)可控硅的電 容單元，比常規(guī)金屬電容大大減小了面積，同時(shí)針對(duì)MOS電容在小尺寸深亞微米工藝下的 靜態(tài)漏電問題提供了一種ESD識(shí)別機(jī)制，利用觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路輸出觸發(fā)信號(hào)提供足夠的 可控硅開啟電流，實(shí)現(xiàn)ESD脈沖與電路正常上電信號(hào)的區(qū)別；通過在觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路設(shè) 置識(shí)別ESD脈沖的PMOS開關(guān)，在電路正常工作情況下斷開觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路與電源的連 接，而在ESD到來時(shí)將觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路與電源連接并提供足夠的觸發(fā)電流開啟可控硅， 從而達(dá)到降低電容耦合電路靜態(tài)漏電的目的，實(shí)現(xiàn)了 ESD的動(dòng)態(tài)防護(hù)功能。本專利技術(shù)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn) 單，電流均勻，器件強(qiáng)壯性好，穩(wěn)定可靠。相比傳統(tǒng)電容耦合觸發(fā)SCR結(jié)構(gòu)依靠金屬層電容作為耦合電容，本專利技術(shù)中采用 MOS電容管更節(jié)省面積，并且解決了 MOS電容管在電路正常工作偏壓下的漏電流問題。附圖說明圖1為常規(guī)的電容耦合觸發(fā)的可控硅器件的示意圖；圖2為本專利技術(shù)的耦合電容觸發(fā)可控硅器件的示意圖；圖3為圖2中的帶觸發(fā)端的可控硅結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4為本專利技術(shù)的耦合電容觸發(fā)可控硅器件的電路仿真結(jié)果。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例和附圖來詳細(xì)說明本專利技術(shù)，但本專利技術(shù)并不僅限于此。如圖2和圖 3所示，一種耦合電容觸發(fā)可控硅器件，由觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路和可控硅27構(gòu)成。其中，可控硅27為帶觸發(fā)端的可控硅，包括P型襯底31和N阱32，P型襯底31上 依次設(shè)有第一 P+注入?yún)^(qū)33、第一 N+注入?yún)^(qū)34和P+觸發(fā)端37，N阱32上依次設(shè)有第二 P+ 注入?yún)^(qū)35和第二 N+注入?yún)^(qū)36 ；P+觸發(fā)端37靠近P型襯底31和N阱32的交界，第二 P+ 注入?yún)^(qū)35靠近P型襯底31和N阱32的交界；第一 P+注入?yún)^(qū)33和第一 N+注入?yún)^(qū)34接電 學(xué)陰極，第二 P+注入?yún)^(qū)35和第二 N+注入?yún)^(qū)36接電學(xué)陽(yáng)極；其中，觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路由PMOS管21、多晶硅電阻2本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
１．一種耦合電容觸發(fā)可控硅器件，由觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路和可控硅（２７）構(gòu)成，所述可控硅（２７）包括Ｐ型襯底（３１）和Ｎ阱（３２），其中，Ｐ型襯底（３１）上依次設(shè)有第一Ｐ＋注入?yún)^(qū)（３３）、第一Ｎ＋注入?yún)^(qū)（３４）和Ｐ＋觸發(fā)端（３７），Ｎ阱（３２）上依次設(shè)有第二Ｐ＋注入?yún)^(qū)（３５）和第二Ｎ＋注入?yún)^(qū)（３６）；所述Ｐ＋觸發(fā)端（３７）靠近所述Ｐ型襯底（３１）和Ｎ阱（３２）的交界，所述第二Ｐ＋注入?yún)^(qū)（３５）靠近所述Ｐ型襯底（３１）和Ｎ阱（３２）的交界；所述第一Ｐ＋注入?yún)^(qū)（３３）和第一Ｎ＋注入?yún)^(qū)（３４）接電學(xué)陰極，所述第二Ｐ＋注入?yún)^(qū)（３５）和第二Ｎ＋注入?yún)^(qū)（３６）接電學(xué)陽(yáng)極，其特征在于：所述觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生電路由ＰＭＯＳ管（２１）、多晶硅電阻（２２）、ＭＯＳ電容（２３）、ＮＭＯＳ管（２４）、第一反相器（２５）和第二反相器（２６）構(gòu)成；其中，ＰＭＯＳ管（２１）的源極接電學(xué)陽(yáng)極，ＰＭＯＳ管（２１）的漏極接多晶硅電阻（２２）的上端和第一反相器（２５）的輸入端，第一反相器（２５）的輸出端則接ＰＭＯＳ管（２１）的柵極和ＮＭＯＳ管（２４）的柵極，多晶硅電阻（２２）的下端分別接ＭＯＳ電容（２３）的陽(yáng)極、第二反相器（２６）的輸入端和ＮＭＯＳ管（２４）的漏極，ＮＭＯＳ管（２４）的源極與ＭＯＳ電容（２３）的陰極一起接電學(xué)陰極；所述第二反相器（２６）的輸出端與所述可控硅（２７）中的Ｐ＋觸發(fā)端（３７）相連。...
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：苗萌，董樹榮，李明亮，吳健，韓雁，馬飛，宋波，鄭劍鋒，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：浙江大學(xué)，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：86
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