納米氧化鋅線的制備方法技術

本發明專利技術公開了一種用固體核徑跡技術制備納米氧化鋅線的方法。該方法以孔徑為100～600nm的穿透型核孔膜為模板，先在核孔膜的一面鍍110～200nm的金層，再在金層上電化學沉積一層10～40μm厚的銅層。接著以鉑絲作陽極，以金銅襯作陰極，電化學沉積氧化鋅，生成氧化鋅納米線，其中電解液是0.05～0.2mol/L?KCl、2～7mmol/L?ZnCl2、3～8mmol/L?H2O2的混合溶液，pH值為6.5～7.5，電解電壓為0.8～1.5V，電化學沉積時間為1～5小時。生產的是氧化鋅納米線直徑為100～600nm，長度為5～8μm。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
１．一種氧化鋅納米線制備方法，是以孔徑為１００～６００ｎｍ的穿透型核孔膜為模板，先在核孔膜的一面鍍１１０～２００ｎｍ的金層，再在金層上電化學沉積一層１０－４０μｍ厚的銅層，做支撐襯底材料和電陰極材料；接著以鉑絲作陽極，以金銅襯作陰極，電化學沉積氧化鋅，生成氧化鋅納米線，其中電解液是０．０５～０．２ｍｏｌ／Ｌ　ＫＣｌ、２～７ｍｍｏｌ／Ｌ　ＺｎＣｌ２、３～８ｍｍｏｌ／Ｌ　Ｈ２Ｏ２的混合溶液，ｐＨ值為６．５～７．５，電解電壓為０．８～１．５Ｖ，電化學沉積時間為１～５小時。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：倪邦發，劉存兄，劉超，
申請(專利權)人：中國原子能科學研究院，
類型：發明
國別省市：11