一種保護元件制造技術

本實用新型專利技術公開一種保護元件，包括PPTC片和熱熔斷體，該PPTC片與熱熔斷體串接相連，并該熱熔斷體的熔點高于PPTC片的熔點，該熱熔斷體具體密封于一個密閉外殼內且表面涂覆有助熔劑。本實用新型專利技術當電氣器件存在本質故障，并電氣器件的溫度或PPTC片溫度到達熱熔斷體的熔點時，該熱熔斷體則會熔化并且在合金助熔劑的作用下，迅速斷開，收縮成兩球附在兩邊引腳上，即使得本實用新型專利技術涉及的保護元件成為非復原型切斷保護元件，從而從根本上切斷電流，進而具有能避免電氣器件安全隱患的功效。（*該技術在2021年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及電路保護裝置領域，更具體的說涉及一種保護元件。
技術介紹
自恢復保險絲 PPTCXPolymer Positive Temperature coefficien t，高分子聚合物正系數溫度電阻，即高分子正溫熱敏電阻)以其自恢復特性，廣泛用于線路、電子設備的過電流保護。但是，對常規的PPTC自恢復保險絲而言，當電路電壓超過它的額定電壓時，或多次反復經受過載電流時，或在負載短路情況下，PPTC元件有可能會過熱而燃燒、爆裂、短路。 因此，特別是在一次回路(市電)保護的應用中，有很大的局限性，只能做輔助保護，不能單獨做最終保護用。故在某種特定情況下，還是需要非復原型的切斷，即實質電路的切斷。有鑒于此，本專利技術人針對現有保護元件的上述缺陷深入研究，遂有本案產生。
技術實現思路
本技術的目的在于提供一種保護元件，其能兼具有復原型切斷和非復原型切斷，以解決現有技術中遇到本質故障時仍存在安全隱患的問題。為了達成上述目的，本技術的解決方案是—種保護元件，其中，包括PPTC片和熱熔斷體，該PPTC片與熱熔斷體串接相連，并該熱熔斷體的熔點高于PPTC片的熔點。進一步，該熱熔斷體的熔點至少比PPTC片的熔點高5°C。進一步，該熱熔斷體包括兩根引線、低熔點合金絲以及包覆在低熔點合金絲外表面的助熔劑層，該低熔點合金絲位于兩根引線之間，該低熔點合金絲的熔點至少比PPTC片的熔點高5°c。進一步，該熱熔斷體還包括外殼，該低熔點合金絲、助熔劑層以及兩根引線均封裝在外殼中，該兩根引線則露出于外殼，并其中的一根引線與PPTC片串接相連。進一步，該PPTC片上形成有沉槽，該熱熔斷體則嵌入設置在PPTC片的沉槽內。進一步，該熱熔斷體貼裝在PPTC片的表面。進一步，該保護元件采用環氧樹脂、硅酮樹脂、聚氨酯或硅橡膠而包封為一體。采用上述結構后，本技術涉及的一種保護元件，其由于設置有PPTC片，故當電路故障引起大電流通過它時，PPTC片溫度會突然升高到“關斷”溫度，即PPTC聚合物材料的熔點溫度，該PPTC片會變成高電阻，從而削弱電路中的電流，進而控制電氣器件的溫度， 以作為復原型切斷保護元件而保護電氣器件；而當電氣器件存在本質故障時，由于在PPTC 片的控制下無法徹底避免溫度的上升，即電氣器件的溫度仍會上升，此時當電氣器件的溫度到達熱熔斷體的熔點時，該熱熔斷體則會熔斷，或者當電路電壓超過PPTC的額定電壓， 使得PPTC損壞，或PPTC多次反復經受過載電流時，或在負載短路情況下，PPTC元件發生過熱而即將燃燒、爆裂、短路時，該熱熔斷體會熔斷，即使得本技術涉及的保護元件成為非復原型切斷保護元件，從而從根本上切斷電流，進而避免電氣器件的安全隱患.附圖說明圖1為本技術涉及一種保護元件第一實施例的正面示意圖；圖2為圖1的反面示意圖；圖3為圖1的剖視圖；圖4為本技術涉及一種保護元件第二實施例的結構示意圖；圖中保護元件100沉槽11引線21助熔劑層23PPTC 片 1 熱熔斷體2 低熔點合金絲22 外殼M。具體實施方式為了進一步解釋本技術的技術方案，下面通過具體實施例來對本技術進行詳細闡述。如圖1至圖3所示，其示出的為本技術涉及一種保護元件100的第一實施例， 該保護元件100包括PPTC片1和熱熔斷體2，該PPTC片1與熱熔斷體2串接相連，并該熱熔斷體2的熔點高于PPTC片1的熔點；具體的，該熱熔斷體2的熔點至少比PPTC片1的熔點高5°C，優選為高出5°C 50°C。這樣，由于設置有PPTC片1，故當電路故障引起大電流通過它時，PPTC片溫度會突然升高到“關斷”溫度，該PPTC片1會變成高電阻，從而削弱電路中的電流，進而控制電氣器件的溫度，以作為復原型切斷保護元件100而保護電氣器件； 而當電氣器件存在本質故障時，由于在PPTC片1的控制下無法徹底避免溫度的上升，或者 PPTC片損壞情況下，即電氣器件的溫度仍會上升，此時當電氣器件的溫度到達熱熔斷體2 的熔點時，該熱熔斷體2則會熔斷，即使得本技術涉及的保護元件100成為非復原型切斷保護元件100，從而從根本上切斷電流，進而避免電氣器件的安全隱患。為了能加速熱熔斷體2的熔化，該熱熔斷體2包括兩根引線21、低熔點合金絲22 以及助熔劑層23，該助熔劑層23包覆在低熔點合金絲22的外表面，該低熔點合金絲22則位于兩根引線21之間，該低熔點合金絲22的熔點至少比PPTC片1的熔點高5°C，優選為高出5°C 50°C。如此，在助熔劑層23中助熔劑的作用下，該低熔點合金絲22會收縮成球狀，以達到快速切斷電路的功效；該熱熔斷體2還包括外殼M，該低熔點合金絲22、助熔劑層23以及兩根引線21均封裝在外殼M中，該兩根引線21則露出于外殼M，并其中的一根引線21與PPTC片1串接相連，通過該外殼M可使得整個熱熔斷體2成全密封結構，具體的，該全密封結構是采用環氧樹脂、硅酮樹脂、聚氨酯或硅橡膠而包封為一體；且低熔點合金絲表面被助熔劑包覆，這樣保證長時間工作不會被氧化，性能更加穩定。具體的，在本實施例中，該PPTC片1形成有沉槽11，該熱熔斷體2則嵌入設置在PPTC片1的沉槽11內，從而使得保護元件100能形成一個整體。如圖4所示，其示出的為本技術涉及一種保護元件100的第二實施例，其結構與第一實施例基本相同，其不同之處在于熱熔斷體2與PPTC片1的外部連接方式不同，在本實施例中，該熱熔斷體2貼裝在PPTC片1的表面。需要說明的是，上述第一實施例和第二實施例僅為PPTC片1和熱熔斷體2之間的兩種設置方式，但并不限于此，比如該PPTC片1與熱熔斷體2之間可以采取完全分離的方式。上述實施例和圖式并非限定本技術的產品形態和式樣，任何所屬
的普通技術人員對其所做的適當變化或修飾，皆應視為不脫離本技術的專利范疇。權利要求1.一種保護元件，其特征在于，包括PPTC片和熱熔斷體，該PPTC片與熱熔斷體串接相連，并該熱熔斷體的熔點高于PPTC片的熔點。2.如權利要求1所述的一種保護元件，其特征在于，該熱熔斷體的熔點至少比PPTC片的熔點高5°c。3.如權利要求1所述的一種保護元件，其特征在于，該熱熔斷體包括兩根引線、低熔點合金絲以及包覆在低熔點合金絲外表面的助熔劑層，該低熔點合金絲位于兩根引線之間， 該低熔點合金絲的熔點至少比PPTC片的熔點高5°C。4.如權利要求3所述的一種保護元件，其特征在于，該熱熔斷體還包括外殼，該低熔點合金絲、助熔劑層以及兩根引線均封裝在外殼中，該兩根引線則露出于外殼，并其中的一根引線與PPTC片串接相連。5.如權利要求1至4任一項所述的一種保護元件，其特征在于，該PPTC片上形成有沉槽，該熱熔斷體則嵌入設置在PPTC片的沉槽內。6.如權利要求1至4任一項所述的一種保護元件，其特征在于，該熱熔斷體貼裝在 PPTC片的表面。7.如權利要求1至4任一項所述的一種保護元件，其特征在于，該保護元件采用環氧樹脂、硅酮樹脂、聚氨酯或硅橡膠而包封為一體。專利摘要本技術公開一種保護元件，包括PPTC片和熱熔斷體，該PPTC片與熱熔斷體串接相連，并該熱熔斷體的熔點高于PPTC片的熔點，該熱熔斷體具體密封于一個密閉外殼內且表面涂覆有助熔劑。本技術本文檔來自技高網...

【技術保護點】
１．一種保護元件，其特征在于，包括ＰＰＴＣ片和熱熔斷體，該ＰＰＴＣ片與熱熔斷體串接相連，并該熱熔斷體的熔點高于ＰＰＴＣ片的熔點。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃恩琳，陳捷，
申請(專利權)人：廈門萊納電子有限公司，
類型：實用新型
國別省市：92