本發明專利技術屬于輕工造紙領域,涉及一種一種帶有井字凹槽結構的防粘紙制備方法。本方法將聚乙烯與改性聚烯烴按質量比為1∶0.1~0.2的比例混合均勻,加熱熔融,淋膜至電暈預處理后的底紙上,淋膜量為10-20g/m2,冷卻后得到淋膜紙;將淋膜紙經過帶有凸型模塊的滾軸碾壓后,表面呈現出凹槽;采用涂布機將硅油以1.0~2.0g/m2的干硅涂量均勻地涂敷在淋膜紙表面上;而后于100℃~200℃的分三級溫度段進行烘干,冷卻后得到防粘紙。采用本發明專利技術方法,防粘紙壓碾成凹槽后,防粘紙的凹狀部分沒有涂上防粘劑,從而降低了硅油的使用量,減少了有機溶劑用量,降低了生產成本,而且符合環保節能要求。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于輕工造紙領域,涉及一種防粘紙的制備方法,特別是一種帶有井字凹槽結構的防粘紙制備方法。
技術介紹
防粘紙主要貼覆在膠帶的上膠表面用于保護膠帶表面的膠粘劑層。防粘紙是由底紙、隔離層和防粘層組成,制備工藝是在底紙的整個表面淋膜一層隔離劑(采用的隔離劑主要有聚乙烯),然后再在淋膜層的表面涂布一層防粘劑(采用的防粘劑主要為硅油)得到防粘紙。硅油一般是無色或淡黃色、無味、無毒、不易揮發的液體。硅油不溶于水、甲醇、二醇和-乙氧基乙醇,可與苯、二甲醚、甲基乙基酮、四氯化碳或煤油互溶,稍溶于丙酮、二惡烷、乙醇和丁醇。它具有很小的蒸汽壓、較高的閃點和燃點、較低的凝固點。硅油具有卓越的耐熱性、電絕緣性、耐候性、疏水性、生理惰性和較小的表面張力,此外還具有低的粘溫系數、較高的抗壓縮性。在現有防粘紙的生產工藝中,由于在底紙的整個表面都涂布一層具有防粘作用的硅油,而硅油的原料價格昂貴,增加生產成本,而且硅油大多采用有機溶劑稀釋,這些有機溶劑易揮發、難以完全回收利用,生產過程不僅有毒性,還不利于環境保護。同時貼覆在膠帶的上膠面全部與底紙全結合,難以分離,使用時極不方便。為此,本專利技術采用。
技術實現思路
本專利技術的目的主要是為了解決現有的防粘紙硅油用量大、制造成本高的問題,提供一種新的生產工藝來制備防粘紙。本專利技術的防粘紙制造方法,包括以下步驟 1、對底紙進行電暈預處理采用電暈處理機對底紙表面以800 W的功率進行處理1 00 s。2、制備淋膜紙將聚乙烯與改性聚烯烴按質量比為1 0. 1 — 0.2的比例混合均勻,加熱熔融,淋膜至電暈預處理后的底紙上,淋膜量為10-20g/m2,冷卻后得到淋膜紙;3、壓槽將淋膜紙經過帶有凸型模塊的滾軸碾壓后,表面呈現出均勻排列的凹槽,其形狀中間呈方正凹陷,側邊呈井字型;4、防粘紙的涂硅采用涂布機將硅油均勻地涂敷在淋膜紙凹槽側邊的井字型表面上;而后于100°C 200 0C的分三級溫度段進行烘干,冷卻后得到防粘紙。所述防粘紙的制備方法,步驟2中所述的改性聚烯烴為異氰酸酯改性聚乙烯或異氰酸酯改性聚丙烯。所述的防粘紙的制備方法,步驟2中所述的聚乙烯與改性聚烯烴混合物,先經過溫度為150 250°C加熱架橋,然后再將溫度提高至觀0 400°C,熔融后再施加IOMpa 20Mpa的壓力將其擠出,淋膜時保持溫度在300 400°C之間。所述的防粘紙的制備方法,步驟3中所述的凹槽大小為15mmX 15mm,凹槽深度為 0. 6 1. 2mm,側邊的井字型邊寬度為10 12mm。由此,淋膜紙表面井字側邊的面積僅占淋膜紙表面積的1/3 1/2。所述的防粘紙的制備方法,步驟2中淋膜紙經凸型模塊的滾軸壓碾速度,即傳送帶走紙速度為50 100m/min。所述的防粘紙的制造方法,步驟4中硅油以1 2g / m2的干硅涂量均勻地涂在淋膜紙凸狀面上。由于淋膜紙表面井字型邊面積僅占淋膜紙表面積的1/3 1/2,大大減少了硅油的使用量,節約了生產成本。所述的防粘紙的制造方法,步驟4中所述的烘干為分三級溫度段,其頭端溫度段的溫度區間為100 150°C,中間溫度段的溫度區間為150 200°C,尾端溫度段的溫度區間為150 IOO0C0所述的防粘紙的制造方法,步驟4中涂了硅油的淋膜紙烘干時,采用傳送帶方式, 將淋膜紙送入烘干箱,傳送帶走紙速度為100 140m / Hiin0所述的防粘紙的制造方法,步驟4中硅油是指甲基硅油、乙基硅油、苯基硅油、甲基含氫硅油、甲基苯基硅油、甲基氯苯基硅油、甲基乙氧基硅油、甲基三氟丙基硅油、甲基乙烯基硅油或甲基羥基硅油。采用本專利技術的有益結果是將防粘紙壓碾成凹槽后,防粘紙的凹槽部分不與防粘劑接觸即凹狀部分沒有涂上防粘劑,從而降低了硅油的使用量,減少了有機溶劑用量,而且生產出來的離型紙防粘性能好;此工藝不僅降低了生產成本,而且符合環保節能要求,具有極大的發展潛力和市場需求。附圖說明圖1是本專利技術所述的帶有凹槽的防粘紙局部放大示意圖。圖2是帶有凸型模塊的滾軸截面示意圖。具體實施例方式下面用實施例給出了本專利技術更詳細的說明,有助于理解本專利技術。然而,不應將此解釋為對本專利技術范圍的限制。實施例1(1)采用電暈處理機對防粘紙的底紙表面以600 W的功率進行處理10 0s。(2)按聚乙烯與異氰酸酯改性聚乙烯按質量比1 0.1的比例混合均勻,先經過溫度為180°C加熱架橋,然后再將溫度提高至280°C,熔融后再施加IOMpa的壓力將其擠出,淋膜時保持溫度在320°C左右。淋膜后得到淋膜紙,淋膜量為10g/m2。(3)傳送帶將淋膜紙以60m/min的傳送速度,送入帶有凸型模塊的滾軸碾壓。碾壓后,淋膜紙表面呈現出凹槽。凹槽大小為15mmX 15mm,凹槽深度為1. 8mm,側邊的井字型邊寬度為12mm。冷卻得帶凹槽的淋膜紙。(4)將甲基硅油按1. Og / m2的干硅涂量均勻地涂在淋膜紙面上。(5)最后將涂了硅油的淋膜紙于烘箱中分區段烘干,頭端溫度段的溫度區間為 110-120°C,中間區段的溫度為170-180°C,尾端溫度段的溫度區間為140_130°C。烘干速度按防粘紙在傳送帶上的傳送速度計,為60m / min0實施例2(1)采用電暈處理機對防粘紙的底紙表面以800 W的功率進行處理10 0s。(2)按聚乙烯與異氰酸酯改性聚丙烯按質量比1 0.2的比例混合均勻,先經過溫度為250°C加熱架橋,然后再將溫度提高至300°C,熔融后再施加20Mpa的壓力將其擠出,淋膜時保持溫度在380°C左右。淋膜后得到淋膜紙,淋膜量為6g/m2。(3)傳送帶將淋膜紙以lOOm/min的傳送速度,送入帶有凸型模塊的滾軸碾壓。碾壓后,淋膜紙表面呈現出凹槽。凹槽大小為15mmX 15mm,凹槽深度為0. 6mm,側邊的井字型邊寬度為10mm。冷卻得帶凹槽的淋膜紙。(4)將甲基含氫硅油按1. 5g / m2的干硅涂量均勻地涂在淋膜紙面上。(5)最后將涂了甲基含氫硅油的淋膜紙于烘箱中分區段烘干,制成防粘紙。頭端溫度段的溫度區間為100-110°c,中間區段的溫度為150-160°c,尾端溫度段的溫度區間為 150-140°C。烘干速度按防粘紙在傳送帶上的傳送速度計,為IOOm / min。實施例3(1)采用電暈處理機對防粘紙的底紙表面以800 W的功率進行處理10 0s。(2)按聚乙烯與異氰酸酯改性聚乙烯按質量比1 0. 15的比例混合均勻,先經過溫度為200°C加熱架橋,然后再將溫度提高至350°C,熔融后再施加16Mpa的壓力將其擠出, 淋膜時保持溫度在330°C左右。淋膜后得到淋膜紙。淋膜量為20g/m2。(3)傳送帶將淋膜紙以SOm/min的傳送速度,送入帶有凸型模塊的滾軸碾壓。碾壓后,淋膜紙表面呈現出凹槽。凹槽大小為15mmX 15mm,凹凸槽深度為1.5mm, 側邊的井字型邊寬度為11mm。冷卻得帶凹槽的淋膜紙。(4)將甲基乙烯基硅油按2g / m2的干硅涂量均勻地涂在淋膜紙面上。(5)最后將涂了甲基乙烯基硅油的淋膜紙于烘箱中分區段烘干制成防粘紙。頭端溫度段的溫度區間為130-140°C,中間區段的溫度為160-170°C,尾端溫度段的溫度區間為 130-120°C。烘干速度按防粘紙在傳送帶上的傳送速度計,為8本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種井字凹槽結構的防粘紙制備方法,在對底紙進行電暈預處理后,還包括如下特征: 1)制備淋膜紙將聚乙烯與改性聚烯烴按質量比為1∶0.1-0.2的比例混合均勻,加熱熔融,淋膜至電暈預處理后的底紙上,淋膜量為10-20g/m2,冷卻后得到淋膜紙;2)壓槽將淋膜紙經過帶有凸型模塊的滾軸碾壓后,表面呈現出凹槽;3)防粘紙的涂敷采用涂布機將硅油均勻地涂敷在淋膜紙表面的壓紋的凸面上;而后于100℃~200℃的分三級溫度段進行烘干,冷卻后得到防粘紙。
【技術特征摘要】
1.一種井字凹槽結構的防粘紙制備方法,在對底紙進行電暈預處理后,還包括如下特征1)制備淋膜紙將聚乙烯與改性聚烯烴按質量比為1 0. 1 — 0.2的比例混合均勻,加熱熔融,淋膜至電暈預處理后的底紙上,淋膜量為10-20g/m2,冷卻后得到淋膜紙;2)壓槽將淋膜紙經過帶有凸型模塊的滾軸碾壓后,表面呈現出凹槽;3)防粘紙的涂敷采用涂布機將硅油均勻地涂敷在淋膜紙表面的壓紋的凸面上;而后于100°C 200°C 的分三級溫度段進行烘干,冷卻后得到防粘紙。2.根據權利要求1所述的一種井字凹槽結構的防粘紙制備方法,其特征在于所述的改性聚烯烴為異氰酸酯改性聚乙烯或聚丙烯。3.根據權利要求1所述的一種井字凹槽結構的的防粘紙制備方法,其特征在于所述聚乙烯與改性聚烯烴混合物,先經過溫度為150 250°C加熱架橋,然后再將溫度提高至280 400°C,熔融后再施加IOMpa 20Mpa的壓力將其擠出,淋膜時保持溫度在300 400°C之間。4.根據權利要求1所述的一種井字凹槽結構的防粘紙制備方法,其特征在于所述所述的凹槽大小為15mmX 15mm,凹槽深度為0. 6...
【專利技術屬性】
技術研發人員:陳登龍,吳欽緣,
申請(專利權)人:福建師范大學,
類型:發明
國別省市:35
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