晶閘管控制輸電線電容補償電路制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種輸電線電容補償電路，特別涉及一種晶閘管控制輸電線電容補償電路，屬于電力系統(tǒng)領(lǐng)域。該晶閘管控制輸電線電容補償電路，包括相串聯(lián)的發(fā)電機、升壓變壓器、輸電線路和變電所，其特征是：所述輸電線路與變電所之間串聯(lián)有L支路上串聯(lián)晶閘管的補償LC并聯(lián)電路，晶閘管由雙向可控硅組成；所述輸電線路上標示有等效輸電線電容的等效電感，因此，本發(fā)明專利技術(shù)采用晶閘管控制串聯(lián)電容補償，以電容的容抗補償輸電線路的感抗，縮短電氣距離，從而提高系統(tǒng)運行的穩(wěn)定性及輸電能力的晶閘管控制輸電線電容補償電路。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及一種輸電線電容補償電路，特別涉及一種晶閘管控制輸電線電容補償電路，屬于電力系統(tǒng)領(lǐng)域。
技術(shù)介紹
作為一種新型的電能，風(fēng)力發(fā)電能主要集中在西北、華北和東北“三北地區(qū)”，而電力負荷主要集中在東南沿海和中部地區(qū)，必然導(dǎo)致輸電距離長、輸送規(guī)模大。因此，怎樣提高電網(wǎng)輸電能力為急待解決的技術(shù)問題，提高輸電線路輸電能力主要是提高電力系統(tǒng)穩(wěn)定水平，包括提高靜態(tài)穩(wěn)定和暫態(tài)穩(wěn)定水平，提高靜態(tài)穩(wěn)定水平主要是加強電網(wǎng)聯(lián)系，減小送、受端的聯(lián)系電抗，提高運行電壓；提高暫態(tài)穩(wěn)定水平的措施，除增加系統(tǒng)承受擾動能力外，還必須減少擾動量及縮短擾動時間。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)為了彌補現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種晶閘管控制串聯(lián)電容補償，以電容的容抗補償輸電線路的感抗，縮短電氣距離，從而提高系統(tǒng)運行的穩(wěn)定性及輸電能力的晶閘管控制輸電線電容補償電路。本專利技術(shù)是通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)的一種晶閘管控制輸電線電容補償電路，包括相串聯(lián)的發(fā)電機、升壓變壓器、輸電線路和變電所，其特征是所述輸電線與變電所之間串聯(lián)有L支路上串聯(lián)晶閘管的補償LC并聯(lián)電路，晶閘管由雙向可控硅組成。為了便于表示、理解，所述輸電線路上標示有等效輸電線電感的等效電感。本專利技術(shù)的有益效果是通過串聯(lián)一個由固定電容器(C)和晶閘管控制可變電抗器 (L)相并聯(lián)的補償LC并聯(lián)電路，從而補償輸電線路的感抗，縮短電氣距離，進而提高系統(tǒng)運行的穩(wěn)定性及輸電能力。附圖說明下面結(jié)合附圖對本專利技術(shù)作進一步的說明。附圖1為本專利技術(shù)并聯(lián)LC電路模型接線示意圖；附圖2為本專利技術(shù)補償LC并聯(lián)電路接線示意圖；附圖3為本專利技術(shù)電力系統(tǒng)電能傳送示意圖；圖中，1發(fā)電機，2升壓變壓器，3輸電線路，4變電所，5補償LC并聯(lián)電路，6晶閘管， 7等效電感。具體實施例方式附圖為本專利技術(shù)的一種具體實施例。該實施例包括相串聯(lián)的發(fā)電機1、升壓變壓器 2、輸電線路3和變電所4，其特征是所述輸電線路3與變電所4之間串聯(lián)有L支路上串聯(lián)晶閘管6的補償LC并聯(lián)電路5，晶閘管6由雙向可控硅組成；所述輸電線路3上標示有等效輸電線3電感的等效電感7。采用本專利技術(shù)的晶閘管控制輸電線電容補償電路，發(fā)電機1發(fā)出的電能經(jīng)過升壓變壓器2變成高壓電，高壓電通過輸電線路3，傳送到用電端的變電所4，其中在輸電線路3輸送電的過程中，會有電能的損失和電壓的減弱，所以在輸電線路3與變電所4之間加有補償 LC并聯(lián)電路5，起到補償輸電線路3的等效電感7的作用，從而提高電力系統(tǒng)的穩(wěn)定水平， 進而提高輸電能力。其中補償LC并聯(lián)電路5的運行為該補償LC并聯(lián)電路5的等效阻抗Zeq可以表達^zeq = (-^) Il J^l=-J^l—r為 JfoccoC- —0)L如果(coC-l/coL) >0，則表示固定電容器(C)的電抗值比與之并聯(lián)的可變電抗器 (L)的電抗值小，整個并聯(lián)電路呈現(xiàn)為可變的容性電抗。如果(coC-l/coL) = 0，會產(chǎn)生諧振，導(dǎo)致無窮大阻抗。如果(coC-l/coL) <0，則表示補償LC并聯(lián)電路5的等效電感值大于固定電抗器本身的值，這種情況對應(yīng)于運行方式中的感性微調(diào)模式。經(jīng)分析可知，串聯(lián)晶閘管6的補償LC并聯(lián)電路5電路模型有四種運行方式①可控硅閉鎖模式可控硅閉鎖，不導(dǎo)通。此時電路等值容抗為Xc，對應(yīng)的容抗值稱之為基本容抗值，電路投入前必然先運行于此模式，所以該模式是運行的最基本模式。②容性微調(diào)模式，可控硅觸發(fā)角大于臨界角度，且低于180°，電路等值容抗在 Xc Xcmax(最大允許容抗)范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。③旁路模式，即可控硅連續(xù)導(dǎo)通，串聯(lián)電容器被旁路，電路的等效電抗為XJc/ (Xc-Xl)。通常是在系統(tǒng)故障期間運行于該模式，以降低故障電流。④感性微調(diào)模式，可控硅觸發(fā)角大于90°，且低于臨界角度。電路等值電抗在最大允許電抗范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。晶閘管6控制的補償LC并聯(lián)電路5的四種運行方式，包括晶閘管6關(guān)斷模式、晶閘管6旁路運行模式、容性微調(diào)模式、感性微調(diào)模式。晶閘管6由雙向可控硅組成，通過控制調(diào)節(jié)晶閘管6觸發(fā)角，電感支路的電流隨之改變，整個模塊的等效電抗連續(xù)變化，使其在模塊單元的四種運行方式下靈活切換，可以有效的改變補償LC并聯(lián)電路5電容值，以補償LC并聯(lián)電路5的電容補償輸電線路產(chǎn)生的感抗，從而縮短遠距離輸電系統(tǒng)的電氣距離，達到提高輸電能力的目的。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
１．一種晶閘管控制輸電線電容補償電路，包括相串聯(lián)的發(fā)電機（１）、升壓變壓器（２）、輸電線路（３）和變電所（４），其特征是：所述輸電線路（３）與變電所（４）之間串聯(lián)有Ｌ支路上串聯(lián)晶閘管（６）的補償ＬＣ并聯(lián)電路（５），晶閘管（６）由雙向可控硅組成。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種晶閘管控制輸電線電容補償電路，包括相串聯(lián)的發(fā)電機(1)、升壓變壓器O)、 輸電線路⑶和變電所G)，其特征是所述輸電線路⑶與變電所⑷之間串聯(lián)有L支路上串聯(lián)晶閘管(6)的補償...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：孫凱祺，
申請(專利權(quán))人：孫凱祺，
類型：發(fā)明
國別省市：88