本發明專利技術公開了一種單極天線及具有該單極天線的移動通信裝置，單極天線包括耦合部、與耦合部相對設置的接地部、第一輻射體、第二輻射體以及第三輻射體。第一輻射體包括由耦合部的一側延伸出的第一天線部，第二輻射體包括由耦合部的一側延伸出的第二天線部，第一天線部與第二天線部自耦合部同側的不同部位延伸出。第一天線部與第二天線部之間具有第一縫隙。第三輻射體自接地部的一側并朝向第二天線部延伸出。第三輻射體與耦合部、第二天線體之間具有第二縫隙。本發明專利技術通過在接地部的一側延伸出第三輻射體，并且第三輻射體與耦合部、第二天線部之間具有第二縫隙，形成縫隙耦合，從而可以有效的增加頻帶寬度，提高天線增益，達到擴展頻寬的目的。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種天線及通信裝置，尤其涉及一種單極天線及具有該單極天線的移動通信裝置。
技術介紹
隨著移動終端越來越朝向小型化、寬頻帶、多天線發展，尤其是3G時代的到來，對天線的頻帶寬度要求也更高，要求天線的低頻帶寬從850MHz-960MHz，高頻帶寬從1710MHz-2170MHz。 請參閱圖l，其為現有的一種單極天線，包括由在一電路板100'上蝕刻形成的接地部io'，與接地部io'并列設置的耦合部ir以及自耦合部ir同側的不同部位延伸出的第一輻射體12'和第二輻射體13'，所述接地部io'上設置有接地點ior，所述耦合部ir的一例設置有信號饋入部102'。該單極天線接收的低頻帶寬為880MHz-960MHz、高頻帶寬為1710-1880MHz。如此，相對于現有的單極天線所接收信號的帶寬，3G時代使用的天線的高頻帶寬需要在現有帶寬的基礎上擴展290MHz，而現有的單極天線無法滿足3G產品的頻帶要求。 而且傳統的小天線理論認為，天線的相對帶寬要求達到5% 8%。但是根據上述3G手機工作頻段的要求，3G手機在低頻段要求天線的相對帶寬達到15%，高頻段相對帶寬達到23% ，遠遠超過傳統小天線理論所論述的理論限。
技術實現思路
本專利技術主要解決的技術問題是提供一種單極天線及具有該單極天線的移動通信裝置，能增加頻帶寬同時能提高天線增益。 為解決上述技術問題，本專利技術采用的一個技術方案是提供一種單極天線，包括耦合部、與所述耦合部相對設置的接地部、第一輻射體、第二輻射體以及第三輻射體，所述第一輻射體包括由所述耦合部的一側延伸出的第一天線部，所述第二輻射體包括由所述耦合部的一側延伸出的第二天線部，所述第一天線部與所述第二天線部自所述耦合部同側的不同部位延伸出，所述第一天線部與第二天線部之間具有第一縫隙，所述第三輻射體自所述接地部的一側并朝向所述第二天線部延伸出，所述第三輻射體與耦合部、第二天線體之間具有第二縫隙。 其中，所述第三輻射體具有從所述接地部一側豎直延伸出的第一輻射部以及由所述第一輻射部末端朝向所述第二天線部水平延伸出的第二輻射部，所述第二縫隙的寬度在0. 3mm lmm之間。 其中，所述耦合部與接地部之間具有所述第三縫隙，所述第二縫隙呈L形，所述第二縫隙與所述第三縫隙的一端貫通。 其中，所述第一天線部包括由所述耦合部一側水平延伸出的第一輻射橫條以及由所述第一輻射橫條的末端水平延伸出的第二輻射橫條。 其中，所述第一輻射橫條的縱向寬度小于所述第二輻射橫條的縱向寬度。 其中，所述第二天線部包括由所述耦合部一側水平延伸出的第三輻射橫條、由所述第三輻射橫條末端豎直向下延伸出的第一輻射縱條、由所述第一輻射縱條末端水平延伸出的第四輻射橫條、由所述第四輻射橫條末端豎直向上延伸的第二輻射縱條以及由第二輻射縱條末端朝靠近耦合部方向水平延伸出的第五輻射橫條，所述第三輻射橫條、第一輻射縱條、第四輻射橫條、第二輻射縱條以及第五輻射橫條形成一空腔，所述第一天線部位于空腔中。 其中，所述接地部包括與所述耦合部并列設置的第一接地部以及由所述第一接地部的一側彎折向上延伸出的第二接地部，所述第一接地部與所述第二接地部之間具有第四間隙。 其中，所述第二接地部呈L形，所述第一接地部的一端具有接地點。 其中，所述耦合部呈L形，所述耦合部的一端設置有饋電點。 本專利技術提供一種移動通信裝置，包括單極天線，所述單極天線包括耦合部、與所述耦合部相對設置的接地部、第一輻射體、第二輻射體以及第三輻射體，所述第一輻射體包括由所述耦合部的一側延伸出的第一天線部，所述第二輻射體包括由所述耦合部的一側延伸出的第二天線部，所述第一天線部與所述第二天線部自所述耦合部同側的不同部位延伸出，所述第一天線部與第二天線部之間具有第一縫隙，所述第三輻射體自所述接地部的一側并朝向所述第二天線部延伸出，所述第三輻射體與耦合部、第二天線體之間具有第二縫隙。 本專利技術的有益效果是區別于現有技術的單極天線頻帶較窄，無法滿足3G電子產品所需要的頻帶的情況，本專利技術單極天線通過在接地部一側延伸出第三輻射體，并且第三輻射體與耦合部、第二天線部之間具有第二縫隙，形成縫隙耦合，從而可以有效的增加頻帶寬度，提高天線增益，達到擴展頻寬的目的。 本專利技術單極天線結構緊湊，整個單極天線的體積小，置于電子產品中占用空間小，滿足電子產品朝向小型化發展的需求。附圖說明 圖1是現有的一種單極天線的結構示意 圖2是本專利技術單極天線的平面示意 圖3是本專利技術單極天線與支架的組合 圖4是本專利技術單極天線與支架的分解圖。具體實施例方式為詳細說明本專利技術的
技術實現思路
、構造特征、所實現目的及效果，以下結合實施方式并配合附圖詳予說明。 請參閱圖2以及圖3，本專利技術單極天線包括耦合部10、第一輻射體(圖中未標號)、第二輻射體(圖中未標號)、與所述耦合部10相對設置的接地部20以及第三輻射體50。所述第一輻射體包括由所述耦合部10的一側延伸出的第一天線部31，所述第二輻射體包括由所述耦合部10的一側延伸出的第二天線部41。所述第一天線部31與所述第二天線部441自所述耦合部10的同側的不同部位延伸出。所述第一天線部31與第二天線部41之間 具有第一縫隙101，從而形成縫隙耦合。所述第三輻射體50自所述接地部20的一側并朝向 所述第二天線部41彎折延伸出。 所述接地部20包括與所述耦合部10并列設置的第一接地部21以及由所述第一 接地部21的一側彎折向上延伸出的第二接地部22。所述耦合部10、第二天線部41與第三 輻射體50之間具有一呈L形的第二縫隙102，從而形成縫隙耦合。所述第二縫隙102的寬 度在0. 3mm lmm之間。所述耦合部10與所述第一接地部21之間具有第三縫隙103，所述 第二縫隙102與所述第三縫隙103的一端相貫通。所述第一接地部21與所述第二接地部 22之間具有第四間隙104。所述第二接地部22呈L形，所述第一接地部21的一端具有接 地點211。所述耦合部10的一端設置有饋電點210。 所述第一天線部31包括由所述耦合部10 —側水平延伸出的第一輻射橫條311以 及由所述第一輻射橫條311的末端水平延伸出的第二輻射橫條312。所述第一輻射橫條311 的縱向寬度小于所述第二輻射橫條312的縱向寬度。 所述第二天線部41包括由所述耦合部10的一側水平延伸出的第三輻射橫條411 、 由所述第三輻射橫條411末端豎直延伸出的第一輻射縱條412、由所述第一輻射縱條412末 端水平延伸出的第四輻射橫條413、由所述第四輻射橫條413末端豎直向上延伸的第二輻 射縱條414以及由第二輻射縱條414末端朝靠近耦合部IO方向水平延伸出的第五輻射橫 條415，所述第三輻射橫條411與所述第一天線部31的自耦合部10的同側的不同部位水平 延伸出。所述第三輻射橫條411、第一輻射縱條412、第四輻射橫條413、第二輻射縱條414 以及第五輻射橫條415形成一空腔(圖中為標號)，所述第一天線部31位于所述空腔中。 所述第三輻射橫條411的縱向寬度小于所述第一輻射縱條412的縱向長度。 所述第三輻射體50具有從所述接地部20于所述第一接地部21與第二接地部22 相交界的一側豎直延伸出的第一輻射部51，以及由所述第一輻射部51末端朝向所述第二本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種單極天線，其特征在于，包括耦合部、與所述耦合部相對設置的接地部、第一輻射體、第二輻射體以及第三輻射體，所述第一輻射體包括由所述耦合部的一側延伸出的第一天線部，所述第二輻射體包括由所述耦合部的一側延伸出的第二天線部，所述第一天線部與所述第二天線部自所述耦合部同側的不同部位延伸出，所述第一天線部與第二天線部之間具有第一縫隙，所述第三輻射體自所述接地部的一側并朝向所述第二天線部延伸出，所述第三輻射體與耦合部、第二天線體之間具有第二縫隙。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：林少媞，徐甫，朱杰，
申請(專利權)人：深圳市信維通信股份有限公司，
類型：發明
國別省市：94
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。