一種硅片生產用噴嘴以及一種硅片生產系統技術方案

本發明專利技術提供了一種硅片生產用噴嘴，包括：用于輸送砂漿的噴嘴腔體，設置于所述噴嘴腔體外表面上的第一擋板和第二擋板；設置于所述第一擋板與所述第二擋板之間的用于噴出砂漿的噴口；設置于噴嘴腔體一端用于與NTC442DM切片機固定的固定片。本發明專利技術提供的噴嘴能夠有效的防止砂漿飛濺破壞砂簾的穩定性，提高硅片的質量。本發明專利技術還提供了一種硅片生產系統。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種硅片生產領域，尤其涉及一種硅片生產用噴嘴以及一種硅片生產系統。
技術介紹
近幾年我國太陽能產業不斷擴大，現在的市場及社會促使光伏行業中的經營單位必須要優勢的經營戰略；先進的生產技術、生產成本最低化、產出率最大化、合理利用資源成為太陽能光伏企業目前面臨的最大問題。單晶硅片廣泛應用于微電子或太陽能電池領域，是硅料經直拉法制成的單晶棒， 把單晶硅棒切斷成硅塊或硅棒后，通過多線切割機切割而得到單晶硅片，切片是一個直接影響單晶硅片質量的一個重要環節，在切片過程中影響切片質量的因素有很多種，其中在切割過程中供應砂漿的砂簾穩定性對整個切割過程帶來的影響也是相當大。目前硅片的切割主要使用的是NTC442DM切片機，其切割原理是使用鋼絲帶作為砂漿的載體，砂漿主要是由SiC與切割液混合而成的漿料組成，砂漿由NTC442DM切片機輸料系統進入噴嘴，從噴嘴中噴出砂漿包覆在高速旋轉的鋼絲帶上，形成一層SiC層，SiC具有菱形的晶體形狀，硬度高，耐磨性好，從而，所述SiC層對硅塊或硅棒進行磨削，起到切割的效果。在切割過程中，由噴嘴噴出的漿料會形成像窗簾一樣的砂漿流，本領域人員稱其為砂簾。在切割過程中，由于噴嘴和鋼絲帶之間的距離很小，而鋼絲帶在快速運轉，砂漿接觸到鋼絲帶的瞬間會有少量的砂漿以無規律的方向飛濺，飛濺的砂漿會打到砂簾，影響了砂簾的穩定性，而砂簾不穩定，就會導致在切割過程中出現切削力不均，硅片表面因切削力不足產生線痕和色差，鋼絲帶磨損嚴重，甚至斷線報廢，
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題在于提供一種硅片生產用噴嘴以及一種硅片生產系統， 減少飛濺砂漿對砂簾穩定性的影響，保證了砂簾穩定性，從而提高了硅片的生產質量。為了達到以上目的，本法明提供了一種硅片生產用噴嘴，包括用于輸送砂漿的噴嘴腔體，設置于所述噴嘴腔體外表面上的第一擋板和第二擋板；設置于所述第一擋板與所述第二擋板之間的用于噴出砂漿的噴口 ；設置于噴嘴腔體一端用于與NTC442DM切片機固定的固定片。優選的，所述擋板距所述噴口中心的距離為5 10mm。優選的，所述擋板的長度與所述噴口的長度之比為1 1.0-1.1。優選的，所述擋板的垂直高度為12 14mm。本專利技術還提供了一種硅片生產系統，包括通過所述固定片固定在切片機上的噴嘴；設置于所述噴嘴下方的鋼絲帶；所述鋼絲帶通過轉輪帶動旋轉；設置于鋼絲帶上方與所述噴嘴平行的硅塊；其中所述噴嘴包括用于輸送砂漿的噴嘴腔體，設置于所述噴嘴腔體外表面上的第一擋板和第二擋板；設置于所述第一擋板與所述第二擋板之間的用于噴出砂漿的噴口 ； 設置于噴嘴腔體一端用于與NTC442DM切片機固定的固定片。優選的，所述鋼絲帶的數量為800-1000根，且相互平行并處于同一平面。優選的，所述噴嘴與所述鋼絲帶呈90°角。優選的，所述噴嘴的個數為3 5個。優選的，所述噴嘴上的噴口距離鋼絲帶15 20mm。優選的，所述所述擋板距所述噴口中心的距離為5 10mm。本法明提供了一種硅片生產用噴嘴，包括用于輸送砂漿的噴嘴腔體，設置于所述噴嘴腔體外表面上的第一擋板和第二擋板；設置于所述第一擋板與所述第二擋板之間的用于噴出砂漿的噴口 ；設置于噴嘴腔體一端用于與NTC442DM切片機固定的固定片。本專利技術提供的噴嘴在噴口兩邊設置了擋板，能夠有效的阻擋飛濺的砂漿碰撞砂簾，穩定了砂簾的供給，提高了砂簾的穩定性，從而提高了硅片的質量。本專利技術還提供了一種硅片生產系統，包括通過所述固定片固定在切片機上的噴嘴；設置于所述噴嘴下方的鋼絲帶；所述鋼絲帶通過轉輪帶動旋轉；設置于鋼絲帶上方與所述噴嘴平行的硅塊；其中所述噴嘴包括用于輸送砂漿的噴嘴腔體，設置于所述噴嘴腔體外表面上的第一擋板和第二擋板；設置于所述第一擋板與所述第二擋板之間的用于噴出砂漿的噴口 ； 設置于噴嘴腔體一端用于與NTC442DM切片機固定的固定片。本專利技術提供的硅片生產系統使用噴口兩邊設置有擋板的噴嘴作為砂漿噴嘴，砂漿從噴嘴中噴出，形成砂簾，砂簾流在高速旋轉的鋼絲帶上，所述砂漿包覆在鋼絲帶上形成SiC切割層，在鋼絲帶的擠壓和摩擦切割作用下將硅塊切割成硅片。使用本專利技術提供的硅片生產系統，砂漿流動順暢，砂簾穩定性高，生產的硅片表面光滑色差小，線痕少，厚度更均勻。附圖說明圖1本專利技術提供的噴嘴的立體結構示意圖；圖2本專利技術提供的噴嘴的主視圖；圖3本專利技術提供的噴嘴的側視圖；圖4本專利技術實施例1提供的硅片生產系統示意圖；圖5 2010年9月份與往年同期相比生產產品的成品率和出片率對比圖；圖6 2010年9月份與往年同期相比生產硅片的線痕率，色差率以及產品厚度的對比圖；圖7 2010年10月份與往年同期相比生產產品的成品率和出片率對比圖；圖8 2010年10月份與往年同期相比生產硅片的線痕率，色差率以及產品厚度的對比圖。具體實施例方式為了進一步了解本專利技術，下面結合實施例對本專利技術的優選實施方案進行描述，但是應當理解，這些描述只是為進一步說明本專利技術的特征和優點而不是對本專利技術專利要求的限制。本專利技術提供了一種硅片生產用噴嘴，包括用于輸送砂漿的噴嘴腔體，設置于所述噴嘴腔體外表面上的第一擋板和第二擋板；設置于所述第一擋板與所述第二擋板之間的用于噴出砂漿的噴口 ；設置于噴嘴腔體一端用于與NTC442DM切片機固定的固定片。按照圖1所示，本專利技術提供的硅片生產用噴嘴包括噴嘴腔體1、第一檔板2、第二擋板3、噴口 4、固定片5。圖2、圖3中的標號所指的部分與圖1相同。按照本專利技術，噴嘴腔體1可選長方體、圓柱體或外表面為多邊形的中空管，本專利技術優選使用圓柱體中空管，所述噴嘴腔體的材料優選為不銹鋼管、所述不銹鋼管的內徑優選為^mm 30mm，壁厚優選為 6mm 8mm。所述噴嘴腔體用于輸送SiC砂漿。在所述噴嘴墻體1上設置有用于噴出砂漿的噴口 4，在所述噴口 4兩邊分別對稱設置有2 4個擋板，優選2個擋板，即第一擋板2和第二檔板3，所述擋板在硅片切割時可以阻擋飛濺的砂漿，使其不能碰觸砂漿形成的砂簾， 使砂漿流動穩定形成穩定性較好的砂簾，使切割硅塊的力更加均勻，提高了硅片的成品率。按照本專利技術，所述噴口 2寬度優選為18 士0. 005mm，所述第一檔板和第二檔板距噴口中心距離優選為5 10mm，更優選為6 8mm。所述擋板的垂直高度為12 14mm，所述噴口與所述擋板的長度之比優選為1 1.0-1.1。按照本專利技術，所述固定片5可以為焊接在噴嘴腔體上也可以是與噴嘴腔體一起成型，本專利技術優選一體成型。固定片上有2個U形缺口用于固定在切片機上，固定方式優選為螺栓固定。本專利技術還提供了一種硅片生產系統，包括本專利技術還提供了一種硅片生產系統，包括通過所述固定片固定在切片機上的噴嘴；設置于所述噴嘴下方的鋼絲帶；所述鋼絲帶通過轉輪帶動旋轉；設置于鋼絲帶上方與所述噴嘴平行的硅塊；其中所述噴嘴包括用于輸送砂漿的噴嘴腔體，設置于所述噴嘴腔體外表面上的第一擋板和第二擋板；設置于所述第一擋板與所述第二擋板之間的用于噴出砂漿的噴口 ； 設置于噴嘴腔體一端用于與NTC442DM切片機固定的固定片。按照本專利技術所述系統中噴嘴個數優選為3 5個，更優選為3個，噴嘴與鋼絲帶呈 90°角。如圖4所示，本專利技術提供的硅片生產系統優選包括1#噴嘴1、2#噴嘴2、3#噴嘴3、 4#噴嘴4、5本文檔來自技高網...

【技術保護點】
１．一種硅片生產用噴嘴，其特征在于，包括：用于輸送砂漿的噴嘴腔體，設置于所述噴嘴腔體外表面上的第一擋板和第二擋板；設置于所述第一擋板與所述第二擋板之間的用于噴出砂漿的噴口；設置于噴嘴腔體一端用于與ＮＴＣ４４２ＤＭ切片機固定的固定片。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：楊長劍，呂健，張小茂，關長波，蔡龍，喬曉東，
申請(專利權)人：浙江昱輝陽光能源有限公司，
類型：發明
國別省市：33