【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
１．一種銦鎵氮基光電極的表面處理方法，其特征在于，把ＩｎｘＧａ１－ｘＮ光電極作為陽極，浸在０．１～５Ｍ ＨＣｌ水溶液中，在無光照條件下從０Ｖ到５Ｖ用循環伏安法掃描至少１個循環，其中０＜ｘ＜１。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：鄒志剛，羅文俊，李朝升，李明雪，劉斌，陳敦軍，于濤，謝自力，張榮，
申請(專利權)人：南京大學，
類型：發明
國別省市：84
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