一種用于石英晶體諧振器或振蕩器的封裝體的制造方法技術

本發明專利技術是一種石英晶體諧振器或振蕩器的封裝體的制造方法，其特征在于該方法主要包括選材、覆膜、切膜、噴砂、去膜步驟，采用普通的陶瓷片作為制造陶瓷基座或外蓋的基材，利用保護膜和噴砂技術進行加工，從而使普通的陶瓷片也能夠作為石英晶體諧振器和振蕩器的封裝體，不再使用日本所壟斷短缺的材料，能夠快速、有效地大批量生產低成本的陶瓷基座和外蓋，可大大降低陶瓷基座和外蓋的生產成本。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種用于表面貼裝石英晶體諧振器或振蕩器的封裝體的制造方法。更具體一點，本專利技術涉及陶瓷基座或外蓋的的制造方法。
技術介紹
石英晶體諧振器和振蕩器由于其頻率的準確性及穩定性、出色的可靠性、小體積以及低成本等特點，在現代電子行業如通訊、電腦、娛樂設備、工業控制及其它我們所涉及的領域中都是一種不可缺少的非常重要的電子元器件。要使石英晶體諧振器和振蕩器正常工作，必須將石英晶體諧振片牢固地安裝在由基座和外蓋所形成的密封空間內，以便盡量減少石英晶體諧振片受到外界環境的負面影響。所以作為封裝體的基座和外蓋是石英晶體諧振器和振蕩器的重要組成部分。到目前為止，我國表面貼裝石英晶體諧振器和振蕩器用封裝中的陶瓷基座是由多層薄氧化鋁陶瓷材料制作而成。在這些層疊式結構中，厚的金屬膜被選擇性地鍍在了一些陶瓷層上。這些層疊式的結構要求非常精確的生產和鍍膜。這些層疊式的結構綜合應用了金屬過火沉積、金屬混合及陶瓷金屬封合等技術，此類陶瓷基座需要高技術進行生產，而此類高技術為日本壟斷，目前這類基座在全球范圍內被三家日本公司壟斷控制，此類陶瓷基座也必須依賴日本進口，成本高而且缺少自主性。由于層疊式結構的復雜性，這類陶瓷基座的制造成本高昂并且占據了標準石英晶體諧振器或者通用時鐘振蕩器生產成本的一半以上。如同上述，此類陶瓷基座的生產技術被三家日本公司控制，這也增加了供應鏈的風險。在此情況下，如果能夠擺脫日本對此類技術的壟斷，提供一種簡單易行的生產技術，以便運用現有材料生產構造簡單、成本低、有效耐用和功能等同的表面貼裝石英晶體諧振器或振蕩器的基座及外蓋，則為表面貼裝石英晶體諧振器或振蕩器的制造迫切需要。
技術實現思路
針對上述的問題，本專利技術提出了對表面貼裝石英晶體諧振器或振蕩器封裝體的一種制造方法，該方法不再使用通常短缺的材料，并且該方法能夠快速、有效地大批量生產低成本的陶瓷基座和外蓋，可滿足在低成本陶瓷基座和外蓋方面的需求。本專利技術的另一個目的在于提供，該方法具有生產成本低、易實現等特點，且所制造的封裝體……包括陶瓷基座和外蓋與現有層疊式結構的陶瓷基座和外蓋具有同等技術指標、同等可靠性，還可形成更小體積的陶瓷基座和外蓋等特點。此陶瓷基座的基本結構是一個有適當形狀的陶瓷片和通過真空濺射和化鍍鍍上的一些金屬膜，外蓋不用鍍金屬膜和化鍍。為實現上述目地，本專利技術是這樣實現的一種石英晶體諧振器或振蕩器的封裝體的制造方法，其特征在于該方法主要包括如下步驟A、選材，選取適當形狀的陶瓷片作為封裝體；B、覆膜，將陶瓷片上覆蓋保護膜；C、切膜，將保護膜按照加工要求進行切除；D、噴砂，將砂噴砂到具有保護膜的陶瓷片上，砂撞擊在沒有保護膜的陶瓷片表面，形成凹部；E、去膜，去除剩余的保護膜；F、進行下一步處理。所述的封裝體，為陶瓷基座或外蓋的任意一種。所述的加工要求，是陶瓷基座或外蓋需要形成凹部的尺寸及位置。具體地說，首先，本專利技術選取一片陶瓷片作為表面貼裝石英晶體諧振器或振蕩器陶瓷基座或外蓋的基本結構。其次，為了在一般的符合基座或外蓋外形尺寸的陶瓷片上加工制造成陶瓷基座或外蓋，一般的陶瓷片一個表面需要緊密地貼上一層保護膜，通常情況下，此類保護膜可以是塑料材料制作的并且要經受住后續高速噴砂的沖擊。保護膜也可以是橡膠或其它可承受高速噴砂沖擊的材料制作的，只要這種保護膜在以后的過程中比較容易被去除掉就行。保護膜可用一般的膠粘在陶瓷片上并且這種膠可在以后的過程中去掉。切膜，是指通過激光去掉保護膜上不需要的部分，采用激光去掉保護膜上不需要的部分可以直接采用激光進行切除，也可在保護膜上蓋一片具有孔的工裝或者其它具有孔的保護性的部件，再用激光進行切除，孔是具有一定形狀和尺寸的，工裝和保護性的部件防護住保護膜的周緣，暴露在外的保護膜就是被切除的部分。去掉保護膜上不需要的部分對應于陶瓷基座或外蓋的凹部，去掉保護膜的面積的形狀和尺寸由陶瓷基座或外蓋的設計要求和產品的規格要求來決定，或者由孔的工裝來決定，而孔工的裝的開孔形狀和尺寸又由陶瓷基座或外蓋的設計要求和產品的規格要求來決定。產生激光的激光機可以是通用的型號，只要其激光能量足夠強大來去掉保護膜上不需要的部分。再用噴砂噴射具有保護膜的陶瓷基座或外蓋，使去掉保護膜后沒有受到保護的那部分陶瓷片表面成形為凹部。噴砂采用噴砂機進行高速噴砂，使砂撞擊在沒有保護膜的陶瓷片表面，直到形成陶瓷基座或外蓋要求形狀和深度的凹部。較粗的砂可以較快地形成凹部，但較細的砂形成的凹部的精度要高一些。較高速度的噴砂可以較快地形成凹部，但較低速度的噴砂形成的凹部的精度要高一些。通過控制砂的粗細和噴砂的速度可以在凹部形成的速度和精度方面找到個取舍平衡點，這可以通過進一步的試驗來確定，如選用砂一般約為100-1000目之間，噴砂機的進料速度一般約為基座2(T50mm/分鐘，外蓋5 30mm/分鐘，噴砂壓力一般約為基座1. (Γ4. Opa,外蓋1. 5^5. Opa，噴砂的速度和粗細還要結合具體的保護膜進行確定，因此，這些數據只是一些具體情況下的控制參數，但在實際的生產中并不局限于這些控制參數。通常情況下，砂要干砂，這些砂都可在市面上找到。所述的凹部的形狀和深度，可由基座或外蓋的設計要求和產品的規格要求來決定。噴砂完成后，再去掉保護膜，去掉保護膜的方法可以是機械法、熱力法、溶劑法的任意一種。然后進行進一步處理，清洗掉陶瓷片表面的殘余砂，通常用水或有機溶劑進行清洗，清洗掉殘余砂后可以獲得外蓋，外蓋無需使用濺射以及化鍍技術進行進一步加工。如果制造陶瓷基座，則在清洗了表面的殘余砂后，使用真空濺射金屬和化鍍技術在此一般的陶瓷片上形成陶瓷基座上的金屬電路、金屬晶片安裝盤和金屬焊盤，金屬電路將諧振片和振蕩IC在功能方面連接在一起，金屬焊盤將這類諧振器或振蕩器和外部的應用電路連接在一起。這些金屬電路、金屬晶片安裝盤和金屬焊盤都是基座的重要組成部分。所用金屬可以是鉻、鈦、鋁、銅、銅合金、鎳、鎳合金、銀、銀合金、金、金合金或任何以上金屬或其它金屬的組合。金屬電路和金屬盤的尺寸由設計要求來決定，金屬層的厚度也由設計要求來決定。所述的基座或外蓋的外形尺寸也由產品的規格來決定。通常的基座或外蓋外形尺寸可以是 5mm χ 3. 2mm, 3. 2mm χ 2. 5mm，2. 5mm χ 2. 0mm，2. Omm χ 1.6mm 等。本專利技術采用普通的陶瓷片作為制造陶瓷基座或外蓋的基材，利用保護膜和噴砂技術進行加工，從而使普通的陶瓷片也能夠作為石英晶體諧振器和振蕩器的封裝體，不再使用日本所壟斷短缺的材料，能夠快速、有效地大批量生產低成本的陶瓷基座和外蓋，可大大降低陶瓷基座和外蓋的生產成本。本專利技術還具有易實現的特點，且所制造的封裝體，包括陶瓷基座和外蓋與現有層疊式結構的陶瓷基座和外蓋具有同等技術指標和可靠性，更進一步，本專利技術的制造方法避免了層疊式陶瓷基座的結構，陶瓷基座和外蓋形成一體化，使陶瓷基座可保持足夠的強度， 能夠形成更小體積的陶瓷基座和外蓋。附圖說明圖1為本專利技術實施的控制流程圖。圖2為本專利技術實施的基座形成圖。圖3為本專利技術實施的外蓋形成圖。具體實施例方式下面結合附圖所示，對本專利技術的實施作更進一步地說明。圖1所示，結合圖2和圖3，將陶瓷基座和外蓋的制造方法的主要流程綜合描述如下。1.本文檔來自技高網...

【技術保護點】
１．一種石英晶體諧振器或振蕩器的封裝體的制造方法，其特征在于該方法主要包括如下步驟：Ａ、選材，選取適當形狀的陶瓷片作為封裝體；所述的封裝體，為陶瓷基座或外蓋的任意一種；Ｂ、覆膜，將陶瓷片上覆蓋保護膜；Ｃ、切膜，將保護膜按照加工要求進行切除；所述的加工要求，是陶瓷基座或外蓋需要形成凹部的尺寸及位置；Ｄ、噴砂，將砂噴砂到具有保護膜的陶瓷片上，砂撞擊在沒有保護膜的陶瓷片表面，形成凹部；Ｅ、去膜，去除剩余的保護膜；Ｆ、進行下一步處理。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：威廉比華，劉青健，趙敏，蔣振聲，仇竹浩，
申請(專利權)人：應達利電子深圳有限公司，
類型：發明
國別省市：94