本發(fā)明專利技術(shù)涉及半導體晶圓制造領(lǐng)域，公開了一種超潔凈微環(huán)境裝置，包括裝置本體、風機、氣孔層和過濾板，所述氣孔層上布置有多個氣孔，所述風機設(shè)置在所述裝置本體內(nèi)部的側(cè)壁上，所述氣孔層設(shè)置在所述裝置本體的內(nèi)部，所述過濾板設(shè)置在所述裝置本體的底面上。本發(fā)明專利技術(shù)將風機設(shè)置于裝置本體的側(cè)面，使得進風方式為側(cè)面進風，因此裝置適合于在雙層或多層工藝腔室半導體晶圓制造設(shè)備中使用；通過特殊的氣孔形狀及排布設(shè)計，使得裝置能夠為半導體晶圓制造設(shè)備提供穩(wěn)定、均勻的垂直層流。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導體晶圓制造領(lǐng)域，具體涉及一種用于半導體晶圓制造設(shè)備中的超潔凈微環(huán)境裝置。
技術(shù)介紹
超潔凈微環(huán)境裝置用于為半導體晶圓制造設(shè)備提供垂直層流，現(xiàn)有技術(shù)中的超潔凈微環(huán)境裝置全部為上進風方式，其中的風機都是設(shè)置在超潔凈微環(huán)境裝置的上表面。這種裝置適合于上進風口無障礙物的情況，適合用于半導體晶圓制造設(shè)備單層工藝腔室的設(shè)備，而對于雙層或多層工藝腔室的設(shè)備則不適用?；谶@種現(xiàn)狀，半導體晶圓制造設(shè)備的單位面積產(chǎn)量受到了一定的影響。
技術(shù)實現(xiàn)思路
(一)要解決的技術(shù)問題本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題是如何提供一種適合于雙層或多層工藝腔室半導體晶圓制造設(shè)備的超潔凈微環(huán)境裝置。( 二 )技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)提供了一種超潔凈微環(huán)境裝置，包括裝置本體、風機、氣孔層和過濾板，所述氣孔層上布置有多個氣孔，所述風機設(shè)置在所述裝置本體內(nèi)部的側(cè)壁上，所述氣孔層設(shè)置在所述裝置本體的內(nèi)部，所述過濾板設(shè)置在所述裝置本體的底面上。優(yōu)選地，所述裝置本體為長方體形狀的腔室，且所述氣孔層位于所述風機的下方， 所述過濾板位于所述氣孔層的下方。優(yōu)選地，所述風機設(shè)置在所述裝置本體內(nèi)部的一個側(cè)壁上。優(yōu)選地，所述氣孔層上氣孔的大小及排布方式為從設(shè)置風機的一側(cè)至相對的另一側(cè)，氣孔的大小由小變大，且氣孔密度由密變疏。優(yōu)選地，所述風機分布在所述裝置本體內(nèi)部的兩個相對的側(cè)壁上。優(yōu)選地，所述氣孔層上氣孔的大小及排布方式為從設(shè)置風機的兩側(cè)至氣孔層的中間，氣孔大小由小變大，且氣孔密度由密變疏。(三)有益效果本專利技術(shù)將風機設(shè)置于裝置本體的側(cè)面，使得進風方式為側(cè)面進風，因此裝置適合于在雙層或多層工藝腔室半導體晶圓制造設(shè)備中使用；通過特殊的氣孔形狀及排布設(shè)計， 使得裝置能夠為半導體晶圓制造設(shè)備提供穩(wěn)定、均勻的垂直層流。附圖說明圖1是本專利技術(shù)實施例一的裝置的單側(cè)出風口軸側(cè)視圖； 圖2是本專利技術(shù)實施例一的裝置的單側(cè)出風口視圖3是本專利技術(shù)實施例二的裝置的雙側(cè)出風口軸側(cè)視圖；圖4是本專利技術(shù)實施例二的裝置的雙側(cè)出風口視圖。其中，101、201裝置本體；102,202風機；103,203過濾板；104,204氣孔層。具體實施例方式下面對于本專利技術(shù)所提出的一種超潔凈微環(huán)境裝置，結(jié)合附圖和實施例詳細說明。實施例1如圖1所示，一種超潔凈微環(huán)境裝置包括裝置本體101、風機102，過濾板103、氣孔層 104。該裝置不同于傳統(tǒng)的上進風裝置，本專利技術(shù)為側(cè)面進風，風機102附于裝置本體101 內(nèi)部一側(cè)壁上，將外部空氣帶入裝置本體內(nèi)部，形成正壓；裝置本體101內(nèi)部的空氣再由位于裝置本體101下部的氣孔層104上的氣孔排出(如圖2所示)，形成穩(wěn)定、均勻的垂直層流，再經(jīng)過濾板103進行過濾(包含分子過濾和顆粒過濾等，過濾板的材料為現(xiàn)有技術(shù))，形成穩(wěn)定、均勻、符合所要求潔凈等級的垂直層流。如圖2所示，右側(cè)為進風口，出風氣孔從右向左，氣孔大小由小變大，氣孔密度由密變疏，此種特殊設(shè)計，可保證氣體從裝置本體101內(nèi)部排出之后，各部分排氣量均勻，從而形成穩(wěn)定、均勻的垂直層流。實施例2如圖3所示，此裝置可拓展為雙向進風口。包括裝置本體201、風機202、過濾板 203、氣孔層204。風機202附于裝置本體201內(nèi)部相對的兩個側(cè)壁，將外部空氣帶入裝置本體內(nèi)部， 形成正壓；裝置本體內(nèi)部空氣再由裝置本體下部不規(guī)則氣孔排出(如圖4所示)，形成穩(wěn)定、均勻的垂直層流，再經(jīng)過濾板203進行過濾(包含分子過濾和顆粒過濾等)，形成穩(wěn)定、 均勻、符合潔凈等級的垂直層流。如圖4所示，兩側(cè)為進風口，出風氣孔從兩側(cè)向中間，氣孔大小由小變大，氣孔密度由密變疏，此種特殊設(shè)計，可保證氣體從裝置本體201內(nèi)部排出之后，各部分排氣量均勻，從而形成穩(wěn)定的均勻的垂直層流。以上實施方式僅用于說明本專利技術(shù)，而并非對本專利技術(shù)的限制，有關(guān)
的普通技術(shù)人員，在不脫離本專利技術(shù)的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本專利技術(shù)的范疇，本專利技術(shù)的專利保護范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。權(quán)利要求1.一種超潔凈微環(huán)境裝置，其特征在于，包括裝置本體、風機、氣孔層和過濾板，所述氣孔層上布置有多個氣孔，所述風機設(shè)置在所述裝置本體內(nèi)部的側(cè)壁上，所述氣孔層設(shè)置在所述裝置本體的內(nèi)部，所述過濾板設(shè)置在所述裝置本體的底面上。2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置本體為長方體形狀的腔室，且所述氣孔層位于所述風機的下方，所述過濾板位于所述氣孔層的下方。3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述風機設(shè)置在所述裝置本體內(nèi)部的一個側(cè)壁上。4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述氣孔層上氣孔的大小及排布方式為從設(shè)置風機的一側(cè)至相對的另一側(cè)，氣孔的大小由小變大，且氣孔密度由密變疏。5.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述風機分布在所述裝置本體內(nèi)部的兩個相對的側(cè)壁上。6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述氣孔層上氣孔的大小及排布方式為從設(shè)置風機的兩側(cè)至氣孔層的中間，氣孔大小由小變大，且氣孔密度由密變疏。全文摘要本專利技術(shù)涉及半導體晶圓制造領(lǐng)域，公開了一種超潔凈微環(huán)境裝置，包括裝置本體、風機、氣孔層和過濾板，所述氣孔層上布置有多個氣孔，所述風機設(shè)置在所述裝置本體內(nèi)部的側(cè)壁上，所述氣孔層設(shè)置在所述裝置本體的內(nèi)部，所述過濾板設(shè)置在所述裝置本體的底面上。本專利技術(shù)將風機設(shè)置于裝置本體的側(cè)面，使得進風方式為側(cè)面進風，因此裝置適合于在雙層或多層工藝腔室半導體晶圓制造設(shè)備中使用；通過特殊的氣孔形狀及排布設(shè)計，使得裝置能夠為半導體晶圓制造設(shè)備提供穩(wěn)定、均勻的垂直層流。文檔編號H01L21/67GK102347259SQ20111030513公開日2012年2月8日 申請日期2011年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月10日專利技術(shù)者吳儀, 趙宏宇 申請人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
１．一種超潔凈微環(huán)境裝置，其特征在于，包括裝置本體、風機、氣孔層和過濾板，所述氣孔層上布置有多個氣孔，所述風機設(shè)置在所述裝置本體內(nèi)部的側(cè)壁上，所述氣孔層設(shè)置在所述裝置本體的內(nèi)部，所述過濾板設(shè)置在所述裝置本體的底面上。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙宏宇，吳儀，
申請(專利權(quán))人：北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：11
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