裝置，其監(jiān)控在晶片上執(zhí)行的彎液面處理。由處理器接收的當(dāng)前處理的監(jiān)控數(shù)據(jù)表明該晶片和處理頭之間的空隙的特征。該處理器被配置為響應(yīng)方位監(jiān)控信號形式的該數(shù)據(jù)并響應(yīng)當(dāng)前配方。該處理器產(chǎn)生彎液面監(jiān)控信號以允許在進(jìn)一步彎液面處理中允許該彎液面保持穩(wěn)定。該監(jiān)控是對當(dāng)前彎液面處理的監(jiān)控以確定當(dāng)前空隙是否：（１）不同于該當(dāng)前配方的期望空隙，及（２）對應(yīng)于穩(wěn)定的彎液面。如果是這樣，校準(zhǔn)配方被認(rèn)定為指定該當(dāng)前空隙。該校準(zhǔn)配方指定用該當(dāng)前空隙進(jìn)行該晶片表面的彎液面處理的參數(shù)。使用由該認(rèn)定的校準(zhǔn)配方繼續(xù)該晶片表面的彎液面處理。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)大體涉及晶片處理工藝和用于處理晶片的設(shè)備，尤其涉及用于關(guān)聯(lián)由配方控制的(recipe-controlled)彎液面(meniscus)對晶片表面處理的過程中空隙值與彎液面穩(wěn)定性的方法和裝置。
技術(shù)介紹
在半導(dǎo)體芯片制造行業(yè)中，在制造操作之后必須清潔和干燥晶片(例如，襯底)， 如果例如該操作在該襯底表面上留下不想要的殘留物的話。這種制造操作的例子包括等離子體蝕刻和化學(xué)機械拋光(CMP)，其中每個都會在該襯底表面上留下不想要的殘留物。不幸的是，如果不想要的殘留物留在該襯底上的話，可能導(dǎo)致從該襯底制造的器件的缺陷，在一些情況下使得該器件無法工作。在制造操作后清潔該襯底是為了除去不想要的殘留物。在濕法清潔襯底之后， 該襯底必須被有效干燥以阻止水或其它處理流體(下面稱為“流體”)殘余物也在該襯底上留下不想要的殘留物。如果允許該襯底表面上的流體蒸發(fā)(正如液滴形成時通常發(fā)生的那樣)，前面溶解在該流體中的殘留物或污染物在蒸發(fā)后會留在該襯底表面上并形成污點。為了阻止發(fā)生蒸發(fā)，清潔流體必須被盡快除去，而不在該襯底表面上形成液滴。在實現(xiàn)這個的努力中，可以使用一些不同的干燥技術(shù)之一，比如旋轉(zhuǎn)干燥、IPA或馬蘭戈尼干燥 (Marangoni drying) 0所有這些干燥技術(shù)都利用在襯底表面上某種形式的移動液體/氣體界面，其只有被適當(dāng)保持時，才會帶來襯底表面的干燥而不形成液滴。不幸的是，如果該移動液體/氣體界面崩潰(這在前述各干燥方法中經(jīng)常發(fā)生)，液滴形成，液滴蒸發(fā)發(fā)生而污染物會留在該襯底表面上。鑒于上文，需要能夠提供高效襯底清潔，同時減少來自干燥的流體液滴的污染物留在襯底表面上的可能性的更好的清潔系統(tǒng)和方法。
技術(shù)實現(xiàn)思路
大體上說，通過監(jiān)控由配方控制的彎液面對晶片表面的處理，各實施方式滿足了上述需要。處理器被配置為響應(yīng)方位監(jiān)控信號以允許保持彎液面穩(wěn)定性。通過將彎液面外形保持在處理監(jiān)控射線間在一個連續(xù)長度上并跨越臨近頭的流體放射器表面和該晶片表面間的空隙連續(xù)延伸的彎液面外形，該方位監(jiān)控信號允許這種彎液面穩(wěn)定性。限定對應(yīng)于穩(wěn)定彎液面的配方的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)一步滿足了這種需要。在使用當(dāng)前配方的彎液面處理中， 不想要的認(rèn)定與該校準(zhǔn)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)以允許彎液面處理保持(即，繼續(xù))有穩(wěn)定的彎液面。應(yīng)當(dāng)理解，本專利技術(shù)可以用多種方式實現(xiàn)，包括方法、處理、裝置或系統(tǒng)。下面描述本專利技術(shù)的幾個創(chuàng)新性實施方式。在一個實施方式中，提供用于監(jiān)控晶片表面的彎液面處理以保持彎液面的穩(wěn)定性的裝置。該處理響應(yīng)配方。處理器被配置為響應(yīng)方位監(jiān)控信號并響應(yīng)當(dāng)前配方以產(chǎn)生允許保持該彎液面穩(wěn)定性的彎液面監(jiān)控信號。在另一個實施方式中，提供用于監(jiān)控使用彎液面對晶片表面進(jìn)行的處理的裝置， 該監(jiān)控通過保持該處理過程中該彎液面穩(wěn)定而避免彎液面分離。該處理響應(yīng)配方。彎液面監(jiān)控器被配置為分別從晶片載具的每個各自的相對側(cè)面接收回波激光束以產(chǎn)生表示在各自的側(cè)面該晶片表面和流體放射器表面的相對方位的獨立的方位監(jiān)控信號。處理器被配置為響應(yīng)該方位監(jiān)控信號并響應(yīng)當(dāng)前配方以產(chǎn)生允許在進(jìn)一步的彎液面處理過程中保持穩(wěn)定彎液面的彎液面監(jiān)控信號。在另一個實施方式中，提供一種監(jiān)控晶片表面的彎液面處理以穩(wěn)定彎液面的方法。該處理響應(yīng)當(dāng)前配方，該當(dāng)前配方限定該晶片表面和鄰近頭之間的期望空隙。一個操作監(jiān)控當(dāng)前彎液面處理以確定當(dāng)前空隙不同于期望空隙。校準(zhǔn)配方被認(rèn)定并指定該當(dāng)前空隙。該晶片表面的繼續(xù)的彎液面處理使用由該認(rèn)定的校準(zhǔn)配方指定的處理參數(shù)。在另一個實施方式中，提供一種監(jiān)控晶片表面的彎液面處理以將彎液面保持在穩(wěn)定狀態(tài)的方法，該處理響應(yīng)指定該晶片表面和鄰近頭之間的期望空隙的當(dāng)前配方。該當(dāng)前配方進(jìn)一步指定用于該彎液面處理的處理參數(shù)。執(zhí)行一個操作以監(jiān)控當(dāng)前彎液面處理以確定當(dāng)前空隙不同于期望空隙并被配置有允許該彎液面被保持在穩(wěn)定狀態(tài)的空隙值。如果確定該當(dāng)前空隙不同于該期望空隙并且被如此配置，那么一個操作認(rèn)定指定該當(dāng)前空隙的校準(zhǔn)配方和校準(zhǔn)的處理參數(shù)以用于跨越該當(dāng)前空隙建立穩(wěn)定的彎液面。完成將該當(dāng)前配方的該處理參數(shù)自動調(diào)整為該認(rèn)定的校準(zhǔn)配方的該處理參數(shù)的操作，并使用由該認(rèn)定的校準(zhǔn)配方指定的該處理參數(shù)繼續(xù)該晶片表面的該彎液面處理。通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)說明，本專利技術(shù)的其他方面和優(yōu)點會變得顯而易見， 其中附圖是用示例的方式對本專利技術(shù)的原理進(jìn)行說明。附圖說明通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)說明，可以很容易地理解本專利技術(shù)，且同類的參考標(biāo)號代表同類的結(jié)構(gòu)元件。圖1是一個根據(jù)本專利技術(shù)的實施方式的圖表，顯示了曲線定義的空隙和跨越晶片的位置的相對值，該相對值是鄰近頭和晶片表面間的，該曲線將該相對值與彎液面的穩(wěn)定性聯(lián)系起來。圖2A是顯示在本專利技術(shù)的實施方式中在晶片處理過程中移動晶片經(jīng)過鄰近頭的載具的透視圖。圖2B是顯示根據(jù)本專利技術(shù)的實施方式正在用彎液面處理的晶片的俯視圖。圖2C是顯示用本專利技術(shù)的實施方式處理晶片的過程中該彎液面的透視圖。圖2D和2E是顯示晶片處理過程中穩(wěn)定彎液面的放大正視圖。圖3A是顯示該頭的平面在相對于該晶片表面的不想要的傾斜方位(tilted orientation)的正視圖。圖:3B是顯示該頭的平面在相對于該晶片表面的不想要的間距方位(pitched orientation)的正視圖。圖4A和4B分別是顯示通過所述實施方式避免的彎液面中的示例性的不想要的中斷的正視圖和俯視圖。圖5是顯示被配置為響應(yīng)方位監(jiān)控信號并響應(yīng)限定彎液面處理參數(shù)的配方的處理器的示意圖。圖6A是被配置有用于相對于載具進(jìn)行調(diào)整的物理參數(shù)的鄰近頭的俯視圖。圖6B是被配置有用于相對于該載具進(jìn)行手動調(diào)整的物理參數(shù)的鄰近頭的一個實施方式的正視圖。圖6C是被配置有用于相對于該載具進(jìn)行自動調(diào)整的物理參數(shù)的鄰近頭的另一個實施方式的正視圖。圖7是顯示該處理器的CPU的示意圖，其執(zhí)行關(guān)聯(lián)模塊以訪問存儲配方的矩陣 (matrix)的數(shù)據(jù)庫以協(xié)助允許保持該彎液面的穩(wěn)定性。圖8A和8B描繪了在該關(guān)聯(lián)模塊的控制下允許保持該彎液面的穩(wěn)定性的方法的流程圖。圖8C描繪了自動將彎液面保持在穩(wěn)定狀態(tài)的監(jiān)控彎液面處理的方法的流程圖。 具體實施例方式公開一些示例性實施方式，其限定監(jiān)控晶片表面的彎液面處理的示例。該監(jiān)控是針對鄰近頭和該晶片之間的空隙的。該空隙是彎液面跨越的空隙。在處理過程中空隙值和該空隙值的變化關(guān)聯(lián)于該處理過程中的彎液面穩(wěn)定性。彎液面穩(wěn)定性是就該彎液面的連續(xù)外形(continuous configuration)而言的，該連續(xù)外形是該彎液面沒有間隔(也就是說， 沒有彎液面缺口)。因此，該監(jiān)控可以通過允許保持連續(xù)外形而帶來對晶片表面的延續(xù)的彎液面處理。在一個實施方式中，裝置監(jiān)控晶片表面的彎液面處理以保持彎液面穩(wěn)定性，而該處理是根據(jù)一個配方(recipe)的。安裝在鄰近頭上的彎液面監(jiān)控系統(tǒng)響應(yīng)當(dāng)前配方在處理過程中產(chǎn)生代表晶片表面和鄰近頭的相對方位的多個方位監(jiān)控信號。處理器被配置為響應(yīng)該方位監(jiān)控信號并響應(yīng)當(dāng)前配方以產(chǎn)生彎液面監(jiān)控信號以允許保持彎液面穩(wěn)定性。在另一個實施方式中，有一種監(jiān)控晶片表面的彎液面處理以穩(wěn)定該彎液面的方法。該處理是根據(jù)當(dāng)前配方的，該當(dāng)前配方限定了該晶片表面和鄰近頭之間的期望空隙。 該方法的一個操作監(jiān)控當(dāng)前彎液面處理以確定當(dāng)前空隙不同于期望空隙。另一個操作認(rèn)定指定當(dāng)前空隙的校準(zhǔn)配本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
１．用于監(jiān)控晶片表面的彎液面處理以保持彎液面的穩(wěn)定性的裝置，該處理響應(yīng)配方，該裝置包含：鄰近頭，其被配置有流體放射器表面以供應(yīng)和收集用于限定跨越該流體放射器表面和該晶片表面之間的空隙延伸的該彎液面的流體，彎液面穩(wěn)定性的特征在于該彎液面的連續(xù)外形，彎液面不穩(wěn)定性的特征在于該彎液面的間斷的外形；載具，其被配置為裝載該晶片以相對于該頭移動以進(jìn)行該彎液面處理，在該移動過程中，該晶片表面和該流體放射器表面相對于彼此的期望方位可以改變到不想要的相對方位；彎液面監(jiān)控系統(tǒng)，其安裝在該頭上并包含被配置為將第一監(jiān)控射線跨越該空隙導(dǎo)向該彎液面的第一位置的第一彎液面監(jiān)控器，該彎液面操作系統(tǒng)進(jìn)一步包含被配置為將第二監(jiān)控射線跨越該空隙導(dǎo)向該彎液面的第二位置并獨立于該第一射線的第二彎液面監(jiān)控器，每一個彎液面監(jiān)控器被配置為獨立地接收各自的監(jiān)控射線的回波生成獨立的方位監(jiān)控信號，該獨立的方位監(jiān)控信號表示響應(yīng)當(dāng)前配方在處理過程中在各自的彎液面位置處該晶片表面和該流體放射器表面的相對方位；以及處理器，其被配置為響應(yīng)該方位監(jiān)控信號并響應(yīng)該當(dāng)前配方以產(chǎn)生允許保持該彎液面穩(wěn)定性的彎液面監(jiān)控信號。
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：格蘭特·彭·G，
申請(專利權(quán))人：朗姆研究公司，
類型：發(fā)明
國別省市：US
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