正型抗蝕劑組合物以及微透鏡的制造方法技術

本發明專利技術的課題是提供透明性、耐熱性和折射率優異的、特別適合用于形成微透鏡和形成平坦化膜的正型抗蝕劑組合物，以及由該正型抗蝕劑組合物形成的微透鏡和平坦化膜。作為本發明專利技術的解決課題的方法是，一種正型抗蝕劑組合物，其包含下述成分（Ａ）、成分（Ｂ）和成分（Ｃ）：成分（Ａ）：包含具有聯苯結構的結構單元的堿溶性聚合物；成分（Ｂ）：具有光分解而產生堿溶性基團的有機基團的化合物；成分（Ｃ）：溶劑。還可以是，上述正型抗蝕劑組合物，其中，成分（Ａ）的堿溶性聚合物是包含式（１）所示結構單元的聚合物，且當將構成聚合物（Ａ）的結構單元的總數設為１．０時，構成聚合物（Ａ）的式（１）所示結構單元的比例ｎ１滿足０．３≤ｎ１≤１．０。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】正型抗蝕劑組合物以及微透鏡的制造方法
本專利技術涉及含有具有乙烯基聯苯的共聚物的正型抗蝕劑組合物，以及由該正型抗蝕劑組合物形成的微透鏡和平坦化膜。
技術介紹
電荷耦合器件(CCD)等攝像元件用微透鏡主要能夠通過微細的圖案形成來制作高精細的攝像元件，是使用由光致抗蝕劑形成圖案的方法來制作的。在該方法中，將包含高分子樹脂和感光劑的抗蝕劑組合物在基板上涂布、制膜，然后采用光刻法形成圖案，接著通過顯影來形成一個圖案，從而制作微透鏡。要求所形成的微透鏡圖案具有高透明性以及用于在釬焊工序中暴露于高溫條件的耐熱性。而且，從分辨率的觀點出發，要求微透鏡圖案具有所需的曲率半徑和高折射率。此外，在液晶顯示裝置、LED顯示裝置、固體攝像元件等光器件中，使用將濾色器等的基板表面和固體攝像元件表面平坦化的平坦化膜。要求該平坦化膜具有平坦化性、對基板和元件表面的附著性、以及透光性(透明性)，此外為了防止基板和元件表面在制造工序中暴露于熱，還要求作為具有耐熱性的保護膜的功能。作為用于形成如上所述的微透鏡的抗蝕劑組合物，報導了使用了下述聚合物的抗蝕劑組合物，所述聚合物具有羥基的氫原子的一部分被酸不穩定基團取代了的羥基苯乙烯、羥基乙烯基萘或羥基蒽作為重復單元(例如專利文獻1)。然而，由這樣的抗蝕劑組合物形成的圖案在攝像元件用途中不具有充分的耐熱性。另一方面，作為耐熱性高的光學材料用高折射率樹脂，報導了包含下述共聚物的光學材料用高折射率樹脂，所述共聚物是4-乙烯基聯苯與一種或多種能夠進行自由基聚合的乙烯基系單體共聚而得的(例如專利文獻2)。然而，雖然該光學材料用高折射率樹脂具有高耐熱性、高折射率，但是在攝像元件用途中不具有充分的分辨率。專利文獻1：日本特開2005-114968號專利文獻2：日本特開平8-48725號
技術實現思路
本專利技術是基于以上情況而提出的，其目的是提供透明性、耐熱性和折射率優異的、特別適合用于形成微透鏡和形成平坦化膜的正型抗蝕劑組合物，以及由該正型抗蝕劑組合物形成的微透鏡和平坦化膜。作為第1觀點，本專利技術涉及一種正型抗蝕劑組合物，其包含下述成分(A)、成分(B)和成分(C)：成分(A)：包含具有聯苯結構的結構單元的堿溶性聚合物；成分(B)：具有能夠進行光分解、并在光分解時產生堿溶性基團的有機基團的化合物；成分(C)：溶劑。作為第2觀點，涉及根據第1觀點所述的正型抗蝕劑組合物，其中，成分(A)的堿溶性聚合物是包含式(1)所示結構單元的聚合物，且當將構成聚合物(A)的結構單元的總數設為1.0時，構成聚合物(A)的式(1)所示結構單元的比例n1滿足0.3≤n1≤1.0，式(1)式(1)中，R1表示鹵原子、烷基、烷氧基、巰基、氰基、氨基、酰胺基、烷基羰基、烷硫基或它們的組合，R2表示羧基或羥基，R3表示氫原子或甲基；Q1表示單鍵或2價連接基；m2為0～5的整數，m4為0～4的整數，且(m2+m4)為1～9的整數；m1為滿足0≤m1≤(5-m2)的整數，m3為滿足0≤m3≤(4-m4)的整數。作為第3觀點，涉及根據第1觀點所述的正型抗蝕劑組合物，其中，成分(A)的堿溶性聚合物是包含式(2)所示結構單元和式(3)所示結構單元的聚合物，且當將構成聚合物(A)的全部結構單元的總數設為1.0時，構成聚合物(A)的式(2)所示結構單元的比例n2和式(3)所示結構單元的比例n3滿足0.2≤n2≤0.8、0.1≤n3≤0.7、且0.3≤n2+n3≤1.0，式(2)式(2)中，R1表示鹵原子、烷基、烷氧基、巰基、氰基、氨基、酰胺基、烷基羰基、烷硫基或它們的組合，R2表示羧基或羥基，R3表示氫原子或甲基；Q1表示單鍵或2價連接基；m2為0～5的整數，m4為0～4的整數，且(m2+m4)是0～9的整數；m1為滿足0≤m1≤(5-m2)的整數，m3為滿足0≤m3≤(4-m4)的整數，式(3)式(3)中，R4、R5分別表示氫原子、甲基、羧基或碳原子數為1～3的羧烷基，Q2表示單鍵、碳原子數為1～3的亞烷基或碳原子數為6～20的亞芳基。作為第4觀點，涉及根據第1觀點所述的正型抗蝕劑組合物，其中，成分(A)的堿溶性聚合物是包含權利要求2所述的式(1)所示結構單元、式(4)所示結構單元和/或式(5)所示結構單元的聚合物，且當將構成聚合物(A)的全部結構單元的總數設為1.0時，構成聚合物(A)的式(1)所示結構單元的比例n1、式(4)所示結構單元的比例n4和式(5)所示結構單元的比例n5滿足0.3≤n1≤0.7、0≤n4≤0.4、0≤n5≤0.4、且0.3≤n1+n4+n5≤1.0，式(4)式(4)中，R6和R7分別表示氫原子、甲基、羧基或碳原子數為1～3的羧烷基，R8表示碳原子數為1～10的取代或未取代的烷基、碳原子數為3～6的環氧基、碳原子數為6～20的芳基或它們的組合，Q3表示單鍵、碳原子數為1～3的亞烷基或碳原子數為6～20的亞芳基，式(5)式(5)中，R9和R10分別表示碳原子數為1～10的取代或未取代的烷基、碳原子數為1～6的羥基烷基、羥基、鹵基、羧基或碳原子數為1～10的烷氧基。作為第5觀點，涉及根據第1觀點所述的正型抗蝕劑組合物，其中，成分(A)的堿溶性聚合物是除了包含權利要求3所述的式(2)所示結構單元和權利要求3所述的式(3)所示結構單元以外，還包含權利要求4所述的式(4)所示結構單元和/或權利要求4所述的式(5)所示結構單元的聚合物，且當將構成聚合物(A)的全部結構單元的總數設為1.0時，構成聚合物(A)的式(2)所示結構單元的比例n2、式(3)所示結構單元的比例n3、式(4)所示結構單元的比例n4和式(5)所示結構單元的比例n5滿足0.2≤n2≤0.8、0.1≤n3≤0.7、0≤n4≤0.4、0≤n5≤0.4、且0.3≤n2+n3+n4+n5≤1.0。作為第6觀點，涉及根據第1觀點所述的正型抗蝕劑組合物，其中，成分(B)是具有式(6)所示結構的化合物，式(6)式(6)中，R11表示氫原子或式(7)所示基團，R12表示碳原子數為1～10的取代或未取代的烷基、鹵基或碳原子數為1～10的烷氧基，m5為0或1的整數；當m5為0時，m6為1～5的整數，m7為滿足0≤m7≤(5-m6)的整數，當m5為1時，m6為1～7的整數，m7為滿足0≤m7≤(7-m6)的整數；全部R11中的10～100摩爾％表示式(7)所示基團，式(7)式(7)中，R13表示單鍵或-SO3-基，R14表示碳原子數為1～10的烷基，m8為0～3的整數。作為第7觀點，涉及根據第1觀點所述的正型抗蝕劑組合物，其中，成分(B)是式(8)所示化合物，式(8)中，R11、R12與上述式(6)中所表示的含義相同，R15表示氫原子或碳原子數為1～10的烷基，Q4表示碳原子數為1～10的亞烷基，m10為1～5的整數，m11為滿足0≤m11≤(5-m10)的整數，m14為滿足0≤m14≤(5-m12-m13)的整數，m9為0～10的整數，m12為0～1的整數，m13為0～5的整數；全部R11中的10～100摩爾％表示第6觀點所述的式(7)所示基團。作為第8觀點，涉及根據第1觀點所述的正型抗蝕劑組合物，其包含第2觀點～第5觀點的任一項所述的成分(A)和第6觀點或第7觀點所述的成分(B)。作本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種正型抗蝕劑組合物，其包含下述成分（Ａ）、成分（Ｂ）和成分（Ｃ）：成分（Ａ）：包含具有聯苯結構的結構單元的堿溶性聚合物；成分（Ｂ）：具有能夠進行光分解、并在光分解時產生堿溶性基團的有機基團的化合物；成分（Ｃ）：溶劑。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】JP2008-1845242008年7月16日1.一種正型抗蝕劑組合物，其包含下述成分(A)、成分(B)、成分(C)和成分(D)：成分(A)：包含具有聯苯結構的結構單元的堿溶性聚合物；成分(B)：具有能夠進行光分解、并在光分解時產生堿溶性基團的有機基團的化合物；成分(C)：溶劑；成分(D)：具有2個以上能夠與成分(A)熱交聯的取代基的交聯性化合物，其中，成分(A)的堿溶性聚合物是包含式(2)所示結構單元和式(3)所示結構單元的聚合物(A1)，且當將構成聚合物(A1)的全部結構單元的總數設為1.0時，構成聚合物(A1)的式(2)所示結構單元的比例n2和式(3)所示結構單元的比例n3滿足0.2≤n2≤0.8、0.1≤n3≤0.7、且0.3≤n2+n3≤1.0，式(2)中，R1表示鹵原子、烷基、烷氧基、巰基、氰基、氨基、酰胺基、烷基羰基、烷硫基或它們的組合，R2表示羧基或羥基，R3表示氫原子或甲基；Q1表示單鍵或2價連接基；m2為0～5的整數，m4為0～4的整數，且(m2+m4)是0～9的整數；m1為滿足0≤m1≤(5-m2)的整數，m3為滿足0≤m3≤(4-m4)的整數，式(3)中，R4、R5分別表示氫原子、甲基、羧基或碳原子數為1～3的羧烷基，Q2表示單鍵、碳原子數為1～3的亞烷基或碳原子數為6～20的亞芳基。2.根據權利要求1所述的正型抗蝕劑組合物，其中，成分(B)是具有式(6)所示結構的化合物，式(6)中，R11表示氫原子或式(7)所示基團，R12表示碳原子數為1～10的取代或未取代的烷基、鹵基或碳原子數為1～10的烷氧基，m5為0，m6為...

【專利技術屬性】
技術研發人員：湯川升志郎，
申請(專利權)人：日產化學工業株式會社，
類型：發明
國別省市：JP