壓印平版印刷術系統(tǒng)和方法技術方案

使用可控的基底和／或模板的變形來壓印基底的系統(tǒng)、方法和過程。在壓印平版印刷術過程中，基底和／或模板可定位成單波形態(tài)或雙波形態(tài)。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】相關申請的交互參照本申請根據U.S. C § 119(e) (1)要求以下專利的優(yōu)先權2008年10月23日提交的美國臨時專利申請No.61/107，729 ；2008年10月27日提交的美國臨時專利申請 No. 61/108，640 ；以及2009年10月20日提交的美國專利申請No. 12/582，091，本文援引這些專利的全部內容作為參考。本申請還包含有關2007年5月17日提交的美國專利系列No. 11/749，909 的信息；該專利要求以下專利的優(yōu)先權2006年5月18日提交的美國臨時專利申請 No. 60/801, 265 ；美國臨時專利申請No. 60/827，128，本文援引這些專利的全部內容作為參考。
技術介紹
毫微級加工包括量級特征在100毫微米或更小的非常小結構的加工。毫微級加工具有重大影響的一種應用就是集成電路的加工。盡管基底上形成的每單位面積的電路在增多，但半導體加工工業(yè)還在繼續(xù)努力提高產量，因此，毫微級加工變得越來越重要。毫微級加工提供更大的加工控制，同時允許繼續(xù)減小所形成結構的最小特征的尺寸。已經采用毫微級加工的其它開發(fā)領域包括有生物技術、光學技術、機械系統(tǒng)等。當今所用示范性毫微級加工技術通常被稱之為平版印刷術壓印平版印刷術 (imprint lithography).示范性壓印平版印刷術工藝在許多出版物中都有詳細描述，諸如美國專利出版物No. 2004/0065976、美國專利出版物No. 2004/0065252以及美國專利 No. 6，936，194，本文援引全部這些專利作為參考。上述各個美國專利出版物和專利中揭示的壓印平版印刷技術包括在聚合物化層上形成凹凸圖案(relief pattern)，并將對應于凹凸圖案的圖案轉移到下層基底內。基底可以接合到運動臺以獲得要求的定位而便于進行圖案形成過程。此外，基底可連接到基底卡盤。圖案形成過程使用與基底間隔開的模板和涂覆在模板和基底之間的可成形液體。該可成形液體固化而形成堅硬層，該堅硬層的圖案符合于與可成形液體接觸的模板表面的形狀。固化之后，模板與堅硬層分離，使得模板和基底間隔開。然后，基底和固化層經受附加的過程，以將凹凸圖像轉移入對應于固化層內圖案的基底。附圖說明于是，參照附圖所示的實施例，可詳細地理解本專利技術的特征和優(yōu)點，并可更加詳細地描述本專利技術的實施例。然而，應該指出的是，附圖僅示出了本專利技術的典型實施例，因此不應看作限制本專利技術的范圍，因為本專利技術可有其它同樣有效的實施例。圖1是壓印平版印刷術系統(tǒng)的簡化側視圖，該系統(tǒng)具有與基底間隔開的圖案形成裝置，該圖案形成裝置包括模板和模具；圖2是圖1所示基底的俯視圖，該基底具有內半徑、中間半徑和外半徑；圖3是連接到基底卡盤的圖1所示基底的側視圖4是圖3所示基底卡盤的仰視平面圖；圖5是圖1所示模板的俯視圖，該模板具有連接到其上的模具；圖6是連接到模板卡盤的圖1所示模板的側視圖；圖7是圖6所示模板卡盤的仰視平面圖；圖8是俯視圖，顯示定位在圖1所示基底區(qū)域上的壓印材料液滴的陣列；圖9是圖1所示基底的簡化側視圖，該基底具有定位在其上的圖案層；圖10是第一實施例的流程圖，顯示圖1所示基底形成圖案的方法；圖11是具有變化形狀的圖1所示圖案形成裝置的側視圖；圖12是圖11所示圖案形成裝置的側視圖，其與圖8所示壓印材料的一部分液滴接觸；圖13-15是諸顯示使用圖12所示模板的變化形狀壓迫圖8所示的液滴；圖16是第二實施例的流程圖，顯示形成圖1所示使基底區(qū)域形成圖案的方法；圖17是具有變化形狀的圖1所示基底的側視圖；圖18是將力作用在圖1所示圖案形成裝置上的銷的側視圖，以改變圖案形成裝置的形狀；圖19是圖1所示系統(tǒng)的側視圖，氣體引入到圖案形成裝置和模具之間；圖20是示范性基底卡盤的簡化側視圖，其提供單波形態(tài)的基底；圖21A-21C是示范性基底卡盤的簡化側視圖，其提供多種示范形態(tài)的基底；圖22A和22B是示范性基底卡盤的簡化側視圖，該基底卡盤具有示范性外凸臺 (land)；圖23是示范性模板卡盤和示范性基底卡盤的簡化側視圖，它們提供壓印平版印刷術模板和單波形態(tài)的基底；圖24A-24D是另一示范性模板卡盤和示范性基底卡盤的簡化側視圖，它們提供雙波形態(tài)的壓印平版印刷術模板和單波形態(tài)的基底；圖25是經受力作用的基底的俯視圖；圖沈是處于第一位置中的示范性保持系統(tǒng)的簡化側視圖，在模板與基底分離過程中，該第一位置約束住基底；圖27是處于第二位置中的圖沈所示的保持系統(tǒng)的簡化側視圖，該第二位置使保持系統(tǒng)與基底具有間距；圖觀示出模板與基底分離過程中用于約束基底的示范性方法的流程圖。 具體實施例方式參照圖1和2，示出了在基底12上形成凹凸圖案的系統(tǒng)10。基底12可具有圓形的形狀；然而，在另一實施例中，基底12可具有任何幾何形狀。在本實例中，基底12可具有內半徑T1和外半徑r2的盤形，其中，半徑r2大于半徑r10此外，中間半徑r3形成在內半徑 Γι和外半徑r2之間，其中，中間半徑r3定位在離內半徑Γι和外半徑r2的大致等距離處。參照圖1，基底12可連接到基底卡盤14。如圖所示，基底卡盤14是真空式卡盤， 然而，基底卡盤14可以是任何型式的卡盤，包括但不限于真空式、銷型、槽型或電磁式，就如題為“用于壓印平版印刷術工藝的高精度定向對齊和氣體控制平臺(High-PrecisionOrientation Alignment and Gap Control Stages for Imprint Lithography Processes)，，的美國專利6，873，087中所述的那樣，本文援引該專利作為參考。基底12和基底卡盤14可支承在平臺16上。此外，基底12、基底卡盤14和平臺16可定位在底座(未示出)上。平臺16可提供圍繞第一和第二軸線的運動，第一和第二軸線彼此正交，即為χ 和y軸。參照圖1、3和4，基底卡盤14包括相對的第一側18和第二側20。側表面或邊緣表面22在第一側18第二側20之間延伸。第一側18包括第一凹陷20、第二凹陷22和第三凹陷對，形成彼此間距開的第一支承區(qū)域沈、第二支承區(qū)域觀、第三支承區(qū)域30和第四支承區(qū)域32。第一支承區(qū)域沈環(huán)繞第二支承區(qū)域觀、第三支承區(qū)域30和第四支承區(qū)域32 以及第一凹陷20、第二凹陷22和第三凹陷M。第二支承區(qū)域觀環(huán)繞第三支承區(qū)域30和第四支承區(qū)域32以及第二凹陷22和第三凹陷M。第三支承區(qū)域30環(huán)繞第四支承區(qū)域32 以及第三凹陷對。第三凹陷M環(huán)繞第四支承區(qū)域32。在另一實施例中，第一支承區(qū)域沈、 第二支承區(qū)域觀、第三支承區(qū)域30和第四支承區(qū)域32可由順應材料形成。第一支承區(qū)域 26、第二支承區(qū)域觀、第三支承區(qū)域30和第四支承區(qū)域32可具有圓形的形狀；然而，在另一實施例中，第一支承區(qū)域沈、第二支承區(qū)域觀、第三支承區(qū)域30和第四支承區(qū)域32可包括任何要求的幾何形狀。形成在基底卡盤14內的是通路34和36，然而，基底12可包括任何數量的通路。 通路34置第一和第三凹陷20和M與側面18流體連通，然而，在另一實施例中，應該理解到，通路34可置第一和第三凹陷20和M與基底卡盤14的任何表面流體連通。通路36置第二凹陷22與側面18流體連通，然而，在另一實施例中，應該理解到，通路36可置本文檔來自技高網...

【技術保護點】
１．一種裝置，包括：適于支承基底的真空卡盤，所述真空卡盤具有：適于支承所述基底的外直徑的外凸臺，所述外凸臺具有第一高度；以及適于支承所述基底的內直徑的內凸臺，所述內凸臺具有第二高度；其中，確定所述第一高度和所述第二高度以提供單波形態(tài)的基底。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：M·加納帕斯蘇伯拉曼尼安，
申請(專利權)人：分子制模股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：US