公開了對物體（如半導體晶圓或基板）進行濕處理（如清潔和蝕刻）的設備和方法、以及其中所用的流體擴散板和筒體。該設備包括：處理槽，其中容納并處理待被處理的物體；多個物體支撐桿，可旋轉地安裝在處理槽中且具有形成在其表面中的多個溝槽，以支撐物體，使得物體在垂直于處理槽底面的方向上直立；以及連接至物體支撐桿的旋轉裝置，用來通過旋轉物體支撐桿而在周向方向上旋轉物體。用于將處理流體噴射至物體的處理流體噴射孔和用于將處理流體供應至處理流體噴射孔的處理流體通道形成在物體支撐桿中。因此，消除了處理槽中的盲區，并且處理流體可均勻且平穩地流出，這提高了處理效率和處理均勻性。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及用于物體(諸如晶圓)的濕處理(例如，清潔或者蝕刻)的設備和方法。
技術介紹
一般，包括切片工藝、研磨工藝、精研工藝、蝕刻工藝和拋光工藝的一些列工藝被執行，以生產用于制造半導體器件的晶圓。在以上工藝期間，晶圓的表面被各種污染物污染。代表性污染物為微粒、金屬污染物、有機污染物等。這些污染物損害了晶圓的質量。另外，污染物成為造成半導體器件的物理缺陷和特性惡化的因素，這導致半導體器件產品收益率的惡化。為清除這些污染物，普遍采用采用利用酸性或堿性蝕刻流體或者去離子水的濕法清潔工藝。另外，在晶圓或半導體器件的生產過程中，包括各種蝕刻工藝。例如，晶圓被放入蝕刻槽中并利用蝕刻溶液進行濕法蝕刻。隨著現在設計規則正在變得越來越嚴格，對于晶圓的整個表面要求更高的清潔度和平面度。另外，在一片晶圓中需要均勻的清潔度和平面度。而且，在將多個晶圓放入清潔或蝕刻槽中然后在槽中進行批量處理的情況下，在晶圓之間同樣需要均勻的清潔度和平面度。就此而言，韓國未決專利公開號2005-0002532和日本未決專利公開號2006-032640公開了一種通過將晶圓支撐在條形支撐體上并且旋轉支撐體來旋轉晶圓的同時清潔或蝕刻晶圓的方法。韓國未決專利公開號2005-0059895公開了一種通過安裝單獨的超去離子水噴射管來清潔晶圓的方法。另外，韓國未決專利公開號2003-0054732公開了一種通過在一托架下面布置具有排氣孔的管道來供應氣體的同時蝕刻晶圓的蝕刻裝置，多個晶圓被支撐在托架上以直立于其上。韓國未決專利公開號2003-0056702公開了一種包括氣體供應管道和多個擴散板的蝕刻裝置，所述擴散板具有多個孔并且以擴散板之間具有間隙的方式布置在上、下位置，使得從處理槽的內部底面供應的蝕刻溶液擴散至處理槽中的全部區域。然而，根據傳統技術，處理槽中可能產生盲區，在盲區，清潔或蝕刻流體不能容易地流動或者停止。在盲區中，可能存在清潔或蝕刻過程中產生的雜質或副產品。這些雜質或副產品可能成為污染源，其再次被晶圓吸收而污染晶圓。特別地，在快速蝕刻過程中，雜質或副產品可能成為產生很多不規則晶圓的主要因素。現在隨著設計規則變得更嚴格，此問題已經變得更嚴重。特別地，在超去離子水噴射管圍繞晶圓安裝的情況下，超去離子水僅在一個方向上噴射，并且因此，與噴射方向相反的方向上可能存在盲區。為防止發生此問題，應當將幾個噴射管安裝在清潔槽內，而這又導致了裝置變得巨大且復雜的問題并且還成為另一污染源。而且，在氣體供應管道或管路安裝在托架下面的情況下，氣體不能充分地供應至遠距離處的區域。這可以損害清潔或蝕刻的均勻性，特別是在處理大尺寸晶圓的情況下。另外，在安裝多個擴散板的情況下，裝置的體積增大，并且蝕刻流體可能被氣流干擾，這會擾亂蝕刻流體和氣體的平穩且均勻的流動。
技術實現思路
技術問題設計本專利技術以解決現有技術的問題，并且因此本專利技術的一個目的是提供一種流體擴散板和筒體(barrel)，通過消除處理槽中的盲區并且允許處理流體平穩和均勻地流動而具有改進的處理效率和均勻度。本專利技術還在于提供一種使用所述流體擴散板或筒體對物體進行濕處理的設備和方法。技術解決方案一方面，本專利技術提供了一種在對物體進行濕處理的設備中使用的流體擴散板，該流體擴散板包括由上表面、下表面和側表面限定的內部空間；以及用于將處理流體供應至內部空間的流體供應單元，其中貫穿上表面和下表面形成有多個通孔，從而所述通孔通過隔板(barrier)與內部空間隔離，并且其中，在上表面的未形成通孔的部分中形成有穿過上表面與內部空間連通的多個流體排放孔。另一方面，本專利技術提供了一種筒體，其包括互相平行布置的多個物體支撐桿，多個溝槽形成在物體支撐桿的表面上，使得具有平板形狀的待被處理的物體安裝成在垂直于溝槽的長度方向的方向上直立在溝槽上；兩個側板，分別用于可旋轉地安裝多個物體支撐桿的兩端；以及旋轉裝置，用于通過旋轉物體支撐桿來旋轉物體，其中，在物體支撐桿中形成有用于將處理流體噴射至物體的處理流體噴射孔和用于將處理流體供應至處理流體噴射孔的處理流體通道。再一方面，本專利技術提供了一種用于對物體進行濕處理的設備，其包括處理槽，在處理槽中容納并處理待被處理的物體；用于容納并支撐待被處理的物體的物體支撐裝置； 用于從處理槽下面的位置供應處理流體的處理流體供應裝置；以及權利要求1中限定的流體擴散板，該流體擴散板布置在物體支撐裝置與處理流體供應裝置之間。又一方面，本專利技術提供了一種用于對物體進行濕處理的設備，其包括處理槽，在處理槽中容納并處理具有平板形狀的待被處理的物體；上面限定的筒體，該筒體起到物體支撐裝置的作用，用于容納并支撐待被處理的物體；以及用于在處理槽的下部供應處理液的處理液供應裝置。另一方面，本專利技術提供了一種用于對晶圓進行濕處理的設備，其包括處理槽，在處理槽中容納并處理待被處理的晶圓；可旋轉地安裝在處理槽中的多個晶圓支撐桿，并且所述晶圓支撐桿具有形成在其表面中的用以支撐晶圓的多個溝槽，使得晶圓在垂直于處理槽底面的方向上直立；以及連接至晶圓支撐桿的旋轉裝置，用以通過旋轉晶圓支撐桿來使晶圓在周向方向上旋轉，其中，在晶圓支撐桿中形成有用于將處理流體噴射至晶圓的處理流體噴射孔和用于將處理流體供應至處理流體噴射孔的處理流體通道。再一方面，本專利技術提供了一種用于在處理槽中對物體進行濕處理的方法，其中，處理液和處理流體在處理槽中的物體下面擴散，并且然后被供應，使得正在擴散的處理液的流動與正在擴散的處理流體的流動不干涉。又一方面，本專利技術提供了一種用于對晶圓進行濕處理的方法，其包括將多個晶圓安裝至多個晶圓支撐桿，所述晶圓支撐桿可旋轉并互相平行地布置在處理槽中，使得晶圓在晶圓支撐桿的長度方向上互相平行；以及在通過旋轉晶圓支撐桿使晶圓在周向方向上旋轉的同時，將處理流體噴射至晶圓，以便處理晶圓，其中，在處理晶圓的步驟中，通過形成于晶圓支撐桿中的處理流體通道供應處理流體，并通過形成于晶圓支撐桿的表面中的處理流體噴射孔將處理流體噴射至晶圓。有益效果根據本專利技術，可從處理槽中的被處理物體下方的位置擴散和供應處理液和處理流體，使得處理液和處理流體互不干涉。因此，消除了處理槽中的盲區并且流體的流動變得均勻。為此，可以防止雜質或蝕刻副產品再次被處理后的物體吸收，并且確保了均勻的處理。 另外，根據本專利技術，處理液和處理流體可僅通過一個擴散板一起擴散和供應。為此，用于濕處理的設備可以以緊湊的設計制造。附圖說明通過以下參照附圖對實施方式的描述，本專利技術的其它目的和方面將變得顯而易見，附圖中圖1是示出了根據本專利技術的一個實施方式用于對晶圓進行濕處理的設備的示意圖；圖2是示出了圖1的設備中的晶圓支撐桿的示意圖，晶圓安裝于該晶圓支撐桿上；圖3是示出了圖2的一部分的局部放大圖；圖4是根據一個實例的沿圖2中的線A-A'剖開的剖面圖；圖5是根據另一實例的沿圖2中的線A-A'剖開的剖面圖；圖6是示出了圖5的一部分的局部放大圖；圖7是示出了根據本專利技術的一個實施方式的用于對晶圓進行濕處理的設備的示意圖，該設備在噴射處理流體的同時處理晶圓；圖8是示出了根據本專利技術的另一實施方式的對晶圓進行濕處理的設備的示意圖；圖9是示出了圖8的設備中的筒體的示意圖，晶圓安裝于該筒體上；圖10是示出了圖9中的筒體的左側視圖；圖本文檔來自技高網...
【技術保護點】
１．一種在對物體進行濕處理的設備中使用的流體擴散板，所述流體擴散板包括：內部空間，其由上表面、下表面和側表面限定；以及流體供應單元，其用于將處理流體供應至所述內部空間，其中，貫穿所述上表面和所述下表面形成有多個通孔，使得所述通孔通過隔板與所述內部空間隔離，并且其中，在所述上表面的未形成所述通孔的部分形成有穿過所述上表面與所述內部空間連通的多個流體排放孔。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...
【專利技術屬性】
技術研發人員：崔恩碩，
申請(專利權)人：LG矽得榮株式會社，
類型：發明
國別省市：KR
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