多晶硅薄膜太陽能電池制造技術

本實用新型專利技術公開了一種多晶硅薄膜太陽能電池，包括硅片，硅片是由制絨層和氮化硅膜復合而成，所述的氮化硅膜是具有一層作為制絨阻擋層的氮化硅膜，所述的氮化硅膜的厚度為5nm-200nm。本實用新型專利技術的有益效果是：使通過傳統酸、堿制絨方法進行太陽能電池硅片的單面制絨成為可能，相對于RIE制絨和光刻制絨，節約了成本。（*該技術在2021年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及太陽能電池，尤其是一種多晶硅薄膜太陽能電池。
技術介紹
普通的太陽能電池的制備工藝流程中第一步為清洗制絨，然后再進行后續的工藝，制絨的目的是降低電池表面對光的反射率，從而提高光的吸收率。其傳統的制絨方法包括堿制絨、酸制絨，堿制絨和酸制絨方法為兩面同時制絨，除此之外還有其他高效電池的特殊制絨方法，例如RIE制絨，光刻制絨等，這些方法可以形成一面制絨，但成本相對較高。 堿制絨、酸制絨、RIE制絨，光刻制絨原理如下堿制絨根據Si各個晶面腐蝕的速度不同，用堿溶液將硅片表面腐蝕出金字塔， 硅片正反兩面都形成金字塔，對光的發射率低；酸制絨用硝酸、氫氟酸按照一定的配比配成的溶液來腐蝕硅片表面，形成的絨面為不規則的凹坑，硅片兩面同時形成這樣的絨面，正面和反面的對光的反射率低；RIE制絨在硅片的受光面用反應離子體刻蝕，形成反射率低的絨面，這種方法可以一面制絨，但成本高，后續去損傷層難度較大；光刻制絨先在硅片表面生長一層厚度約為Ium左右的氧化膜，再使用光刻的方法制絨，反射率低，成本高。
技術實現思路
本技術為解決技術問題提供了一種新型的多晶硅薄膜太陽能電池。為了實現上述目的，本技術解決其技術問題所采用的技術方案是多晶硅薄膜太陽能電池，包括硅片，所述的硅片是由制絨層和氮化硅膜復合而成， 所述的氮化硅膜是具有一層作為制絨阻擋層的氮化硅膜。所述的氮化硅膜的厚度為5nm-200nm。本技術的有益效果是使通過傳統酸、堿制絨方法進行太陽能電池硅片的單面制絨成為可能，相對于RIE制絨和光刻制絨，節約了成本。附圖說明圖1是本技術的結構示意圖。具體實施方式如圖所示，多晶硅薄膜太陽能電池，包括硅片1，所述的硅片1是由制絨層2和氮化硅膜3復合而成，所述的氮化硅膜3是具有一層作為制絨阻擋層的氮化硅膜3，所述的氮化硅膜3的厚度為5nm-200nm。實施1 將硅片1放入堿制溶液中，根據硅各個晶面腐蝕的速度不同，堿制溶液對硅片的表面進行腐蝕，硅片1的上表面腐蝕出金字塔形，由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3作為阻擋層，所以就形成了單面制絨的硅片。實施2將硅片1放入酸制溶液中，用硝酸、氫氟酸按照一定的配比配成溶液對硅片1的表面進行腐蝕，在硅片1的上表面形成不規則的凹坑，由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3 作為阻擋層，所以就形成了單面制絨的硅片。單面制絨后的硅片再經過常規擴散、去磷硅玻璃及刻邊、印刷電極、燒結和電性能測試等步驟就可以形成成品。權利要求1.多晶硅薄膜太陽能電池，包括硅片(1)，其特征在于所述的硅片(1)是由制絨層(2)和氮化硅膜C3)復合而成，所述的氮化硅膜C3)是具有一層作為制絨阻擋層的氮化硅膜 ⑶。2.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜太陽能電池，其特征在于所述的氮化硅膜(3) 的厚度為5nm-200nm。專利摘要本技術公開了一種多晶硅薄膜太陽能電池，包括硅片，硅片是由制絨層和氮化硅膜復合而成，所述的氮化硅膜是具有一層作為制絨阻擋層的氮化硅膜，所述的氮化硅膜的厚度為5nm-200nm。本技術的有益效果是使通過傳統酸、堿制絨方法進行太陽能電池硅片的單面制絨成為可能，相對于RIE制絨和光刻制絨，節約了成本。文檔編號H01L31/0236GK202150463SQ201120288448公開日2012年2月22日 申請日期2011年8月10日 優先權日2011年8月10日專利技術者陳一鳴 申請人:溫州索樂新能源科技有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
１．多晶硅薄膜太陽能電池，包括硅片（１），其特征在于：所述的硅片（１）是由制絨層（２）和氮化硅膜（３）復合而成，所述的氮化硅膜（３）是具有一層作為制絨阻擋層的氮化硅膜（３）。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳一鳴，
申請(專利權)人：溫州索樂新能源科技有限公司，
類型：實用新型
國別省市：33