一種制造光電構(gòu)件封裝物的晶片級方法，其中光電構(gòu)件安裝于具有位于晶片的相對側(cè)的第一與第二表面(118，119)的一半導(dǎo)體晶片(175)上。上述方法包括蝕刻介層物(122)于該半導(dǎo)體晶片的該第一表面(118)內(nèi)。第一表面與該介層物內(nèi)的表面經(jīng)過金屬化，而金屬經(jīng)過結(jié)構(gòu)化以界定一熱接墊(124)及界定陽極與陰極接觸接墊(126)。一載具晶片(130)附著于該半導(dǎo)體晶片的具有該第一表面(118)的一側(cè)，而該半導(dǎo)體晶片自該半導(dǎo)體晶片的第二表面(119)薄化以露出該介層物內(nèi)的該金屬化物。于該第二表面上形成金屬，并結(jié)構(gòu)化該金屬以界定出一晶粒附著接墊(HOa)及界定出用于該光電構(gòu)件(108)的額外陽極與陰極接墊(HOb)。光電構(gòu)件安裝于該晶粒附著接墊上以及一保護上蓋形成于該光電構(gòu)件之上。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】方法
本專利技術(shù)涉及光電構(gòu)件封裝物。
技術(shù)介紹
于電子產(chǎn)品中的發(fā)光二極管(LED)的使用已持續(xù)地增加且于某些情形中取代了于現(xiàn)今應(yīng)用中如燈泡的傳統(tǒng)光源。舉例來說，目前可于閃光燈、汽車頭燈與用于液晶顯示熒幕的背光單元中發(fā)現(xiàn)到發(fā)光二極管。如氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)的陶瓷材料已用于高亮度發(fā)光二極管的封裝。 除了陶瓷材料之外，亦可使用塑膠無引線芯片載具(“PLCC”)及其它導(dǎo)線架架構(gòu)。這些種類的封裝物通常具有較大面積(footprint)、較差熱導(dǎo)率及較大的機械公差，而于設(shè)計改變方面較不具備彈性，因此使得特定應(yīng)用設(shè)計變的困難。隨著客制化電子產(chǎn)品的特色與性能的增長，便越來越需要于一小空間內(nèi)安裝較多電路元件(如電路構(gòu)件、集成電路晶粒(die)、發(fā)光二極管、熱敏電阻、二極管、整流器、溫度傳感器及發(fā)光二極管驅(qū)動器)。一般來說，印刷電路板(PCB)的尺寸是依照客制化電子產(chǎn)品的尺寸及于此產(chǎn)品內(nèi)的可用空間所決定。舉例來說，于如移動電話或其它手持產(chǎn)品的一些客制化電子產(chǎn)品內(nèi)，所裝配的印刷電路板(如安裝于印刷電路板的兩側(cè)上的電路元件)的高度限制為約1毫米(mm)，而所裝配的印刷電路板的一般高度為1. 5毫米(印刷電路板的一典型高度為500微米(μπι)而電路元件的一典型高度為500微米)。因此，便需減少經(jīng)裝配的印刷電路板的尺寸或減少特色與性能以于有限可用空間內(nèi)安裝經(jīng)裝配的印刷電路板。 此外，電路元件的熱特性亦為考量之一。
技術(shù)實現(xiàn)思路
所揭示技術(shù)是用于制造一光電構(gòu)件封裝物，其中光電構(gòu)件安裝于一半導(dǎo)體晶片上。此封裝物可借由如一晶片層級批次處理所制成。所揭示的制造技術(shù)是用于光電構(gòu)件封裝物，其中光電構(gòu)件安裝于一半導(dǎo)體晶片上，該半導(dǎo)體晶片具有位于該晶片的相對側(cè)的第一表面與第二表面。第一表面包括了陽極與陰極接觸接墊，電性連結(jié)于該光電構(gòu)件，該光電構(gòu)件安裝于該半導(dǎo)體晶片具有該第二表面的一側(cè)。于一方面，上述方法包括蝕刻介層物于半導(dǎo)體晶片的該第一表面內(nèi)。介層物部分地延伸穿過半導(dǎo)體晶片。于該半導(dǎo)體晶片的該第一表面以及該介層物內(nèi)的表面上形成金屬。上述金屬經(jīng)過結(jié)構(gòu)化以界定出用于熱轉(zhuǎn)移以遠離該光電構(gòu)件的一熱接墊以及界定出電性連結(jié)于該介層物內(nèi)的金屬化物的陽極與陰極接觸接墊。一載具晶片貼附于該半導(dǎo)體晶片的具有該第一表面的一側(cè)，而該半導(dǎo)體晶片自該半導(dǎo)體晶片的第二表面進行薄化，以露出該介層物內(nèi)的該金屬化物。于半導(dǎo)體晶片的第二表面上形成金屬并結(jié)構(gòu)化上述金屬以界定出一晶粒附著接墊及界定出用于光電構(gòu)件的額外陽極與陰極接墊。上述額外陽極與陰極接墊電性連結(jié)于介層物內(nèi)的金屬化物，而光電構(gòu)件則安裝于晶粒附著接墊上。形成一保護上蓋于光電構(gòu)件之上，其中保護上蓋對于光電構(gòu)件所發(fā)出或接收的光線的波長為透明的。部分實施例導(dǎo)致了可提供較佳熱隔離或特性的較小或較薄的封裝物，并可具有允許了設(shè)計變化可輕易地結(jié)合于制造工藝中的較大設(shè)計彈性。此外，可施行對工藝的多種修改，以使得工藝可應(yīng)用于具有一集成型電子電路結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管或其它光電構(gòu)件封裝物。本專利技術(shù)的一或多個實施例的細節(jié)將結(jié)合附圖而描述于下文之中。參照詳細描述與附圖以及權(quán)利要求可得知其它特色與優(yōu)點。附圖說明圖Ia為一發(fā)光二極管封裝物的一范例。圖Ib為一發(fā)光二極管封裝物的一第二范例。圖Ic為一發(fā)光二極管封裝物的一第三范例。圖2為一流程圖，繪示了形成一薄發(fā)光二極管封裝物的工藝的一范例。圖3為一半導(dǎo)體晶片的一圖示。圖4為一基底的一圖示。圖5為具有介層物(vias)的一基底的一圖示。圖6為基底的表面黏著元件(SMD)側(cè)于一金屬化工藝后的一圖示。圖7為基底的發(fā)光二極管(LED)側(cè)于依附一載具晶片后的一圖示。圖8為基底的LED側(cè)于一金屬化工藝后的一圖示。圖9為一流程圖，繪示了形成具有一集成電子電路結(jié)構(gòu)的薄LED封裝物的工藝的一范例。圖10為接合于一基底的一電子電路結(jié)構(gòu)的一圖示。圖11為一電子電路結(jié)構(gòu)于移除該電子電路結(jié)構(gòu)的預(yù)定部分后的一圖示。圖12為一電子電路結(jié)構(gòu)于經(jīng)歷一鈍化工藝后的圖示。圖13為一基底于借由一蝕刻工藝以形成介層物后的一圖示。圖14為一載具晶片接合于電子電路結(jié)構(gòu)后的圖示。圖15為具有露出的導(dǎo)通金屬化物的基底的一圖示。圖16為具有一集成電子電路結(jié)構(gòu)的薄發(fā)光二極管封裝物于形成一熱接墊(pad) 與焊線接合接墊后的圖示。圖17為具有一集成電子電路結(jié)構(gòu)的薄發(fā)光二極管封裝物的表面黏著元件(SMD) 側(cè)的圖示。具體實施例方式圖Ia與圖Ib繪示了具有提升熱特性100與150的薄發(fā)光二極管封裝物100與 150的范例。雖然圖Ia與圖Ib是相關(guān)于一發(fā)光二極管108來描述的，但發(fā)光二極管108可為其它種類的光電構(gòu)件所取代。舉例來說，于部分應(yīng)用中，發(fā)光二極管108可為一紅外線發(fā)射器(例如一垂直腔表面發(fā)光激光器)、一紅外線接收器(例如一 Pin 二極管)或一紅外線收發(fā)器(infra-red transceiver)所取代。同樣地，以下描述的制造工藝可用于除了發(fā)光7二極管以外的光電構(gòu)件的封裝物的制造。發(fā)光二極管封裝物100包括了一基底102、一反光板104、導(dǎo)通金屬化物106、一反射表面107、一發(fā)光二極管108、一發(fā)光二極管晶粒附著接墊IlOa(位于發(fā)光二極管108的下方)及焊線接合接墊110b。于繪示范例中，基底102是由硅或其它半導(dǎo)體晶片所形成。 發(fā)光二極管封裝物100的物理尺寸(例如高度112、寬度114與深度116)可依據(jù)發(fā)光二極管的尺寸、應(yīng)用或發(fā)光二極管封裝物的使用目的而改變。封裝物100的一范例具有等于約 550微米的高度112、等于約3100微米的寬度114、及等于約3100微米的深度116。高度 112包括了反光板104的高度及基底102的高度。舉例來說，反光板104的高度可為400微米而基底102的高度可為150微米。可增加或減少這些物理尺寸以適應(yīng)不同尺寸的光電構(gòu)件108，或基于發(fā)光二極管封裝物100的使用目的而增加或減少這些物理尺寸。舉例來說， 基底102可具有介于100-400微米的一高度。基底102包括了具有延伸自基底的表面黏著元件(SMD)側(cè)118(即基底102將被安裝于一印刷電路板上的一側(cè))的導(dǎo)通金屬化物106的一或多個介層物(vias)。每一介層物內(nèi)的導(dǎo)通金屬化物106可突出于基底的發(fā)光二極管(LED)側(cè)119(即基底102安裝有發(fā)光二極管108且相對于SMD側(cè)118的一側(cè))，且用于形成介于印刷電路板與發(fā)光二極管封裝物100之間的電性互連。具有導(dǎo)通金屬化物106的介層物的數(shù)量通常為兩個，但是可依據(jù)安裝于基底102上的發(fā)光二極管108的數(shù)量而增加。舉例來說，可于基底102之上設(shè)置發(fā)光二極管108的陣列。基底102包括了反射表面107，其可為如鋁、銀的金屬或其它反射材料的薄層。雖然圖Ia繪示了發(fā)光二極管封裝物100具有一單一圓形反射表面107，但基底102可具有多重反射表面107且非限定于圓形形態(tài)。舉例來說，圖Ib繪示了一長方形反射表面107。此反射表面107增加了光輸出效率并幫助了將光線自發(fā)光二極管封裝物導(dǎo)出。可使用反光板104以增加自發(fā)光二極管封裝物100所導(dǎo)出的光量。反光板104可為如具有圓滑拋物面(round parabolic)壁或垂直壁的一塑膠模塑結(jié)構(gòu)。依照發(fā)光二極管封裝物100的應(yīng)用，反光板104可具有不同本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：約亨·庫曼，
申請(專利權(quán))人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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