本發明專利技術提供一種層疊體的制造方法,其特征在于,對由塑料薄膜形成的基材的至少一個表面實施等離子體處理的預處理,在經過預處理的處理面上直接層疊熱塑性樹脂。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及在對塑料薄膜、或包含塑料薄膜的基材與熱塑性樹脂進行擠壓層壓時實現牢固的層間密合性的層疊體。更詳細地來說,涉及不用在塑料薄膜或基材上涂布粘固涂布劑(anchor coating agent)、粘結劑等,此外不用在擠壓層壓時對熱塑性樹脂實施臭氧處理等,而通過直接對塑料薄膜或基材進行擠壓層壓就能實現牢固的密合性的層疊體。
技術介紹
包裝等中使用的多層層疊體根據所要求的物性以貼合塑料薄膜、金屬箔、紙等方式使用。例如由于聚酯薄膜具有良好的機械特性、尺寸穩定性、強韌性等,因此采用其作為基材,為了賦予阻氣性而在其上層疊金屬箔或無機物蒸鍍薄膜,為了賦予作為包裝材料的熱封性而層疊熱封性樹脂層。作為在這樣的基材上層疊有熱封性樹脂層的層疊薄膜的制造方法,可列舉出干式層壓法、濕式層壓法、擠壓層壓法等,但廣泛采用在成本、效率方面有利的擠壓層壓法。在擠壓層壓法中一般使用聚乙烯、聚丙烯、乙烯系共聚物等熱塑性樹脂。可是,如果將這些熱塑性樹脂直接擠壓層壓在基材的塑料薄膜上,則因密合性差而通常在塑料薄膜上預先涂布粘固涂布(AC)劑,然后在其上擠壓層壓熱塑性樹脂。可是,由于AC劑作為稀釋溶劑采用醋酸乙酯或甲苯等有機溶劑進行涂布,因此一般存在需與消防法的規定對應、作業環境惡化、因使用比較高價的涂敷劑而使制造成本上升、最終制品內殘留的有機溶劑產生臭氣等問題。再者,在將塑料薄膜作為中間層,然后在兩面擠壓層壓所述熱塑性樹脂的情況下, 有時需要在塑料薄膜的兩面涂布AC劑。可是,能夠同時在塑料薄膜的兩面涂布AC劑的設備是特殊的。另一方面,如使用在基材的一面擠壓層壓熱塑性樹脂的普通設備來制造如此構成的層疊體,則存在必須增加工序道次的問題。為此,目前為止對不使用AC劑而在基材的兩面擠壓層壓熱塑性樹脂的方法進行了多種試驗。作為這些方法的例子,已知有采用乙烯-甲基丙烯酸共聚物,通過酸成分的作用使其與鋁箔牢固地粘結的技術、及通過在蒸鍍基材上擠壓將不飽和羧酸接枝在聚丙烯樹脂上而成的改性樹脂來提高密合強度的技術等。可是,由于在這些方法中可使用的樹脂及基材受到限制,因而不能采用普通的塑料基材和聚乙烯樹脂等熱塑性樹脂的組合。最近,如日本特許第觀95917號公報、特許第3385663號公報及特許第3716006號公報中所示,公開了通過在擠壓層壓時對熔融樹脂面進行臭氧處理,從而不用AC劑也能得到與基材的良好密合性的方法。在該方法中通過向樹脂中吹入臭氧來提高粘結性,但存在臭氧的臭氣厲害并且具有毒性,需要考慮安全性,而且難以確認是否均勻地進行了臭氧處理的問題。為解決上述問題,在日本特開2000-238195號公報中公開了在基材上設置印刷層,利用紫外線對印刷層實施表面處理,然后進行擠壓層壓的方法。可是,在該方法中印刷層是必需的,因而難以在不設置印刷層的構成中應用。即使假如在線進行印刷層的層疊和表面處理工序,如果是不需要印刷層的構成,則存在增加工序及成本的問題。再者,近年來,作為包裝用的薄膜而廣泛使用的透明阻氣性薄膜在薄膜的一側或兩側層疊阻氣性被覆層。可是,在使該阻氣性被覆層實現與擠壓層壓的樹脂的密合性時,也存在與上述基材時相同的問題。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種層疊體,其不用在塑料基材上涂布粘固涂布劑、粘結劑等,此外也不用在擠壓層壓時對熱塑性樹脂實施臭氧處理,通過直接對基材擠壓層壓熱塑性樹脂,就能得到基材與熱塑性樹脂的良好的密合性。本專利技術的層疊體是通過對由塑料薄膜形成的基材的至少一個表面實施等離子體處理的預處理,在經過預處理的處理面上直接擠壓層壓熱塑性樹脂而成的。在本專利技術中,也可以對由單面設有蒸鍍層的塑料薄膜構成的基材的未設蒸鍍層的表面實施等離子體處理的預處理,在經過預處理的處理面上直接擠壓層壓熱塑性樹脂。在本專利技術中,也可以在所述蒸鍍層上進一步設置阻氣性被膜層。在本專利技術中,優選所述基材的處理面在一邊使水浸透所述基材和熱塑性樹脂層一邊剝離時,通過破壞凝聚而發生剝離。所述等離子體處理例如是利用反應性離子刻蝕(RIE)的處理,是利用將其自偏壓值設定在200V以上且2000V以下、將用Ed =(等離子體密度)X (處理時間)來定義的Ed 值設定在100W · πΓ2 · sec以上且10000W · πΓ2 · sec以下的低溫等離子體的處理。所述熱塑性樹脂含有選自低密度聚乙烯樹脂、高密度聚乙烯樹脂、中密度聚乙烯樹脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-α-烯烴共聚物、乙烯-α,不飽和羧酸共聚物及其酯化物或離子交聯物、聚丙烯樹脂、丙烯-α -烯烴共聚物、酸酐改性聚烯烴、以及環氧改性聚烯烴之中的1種或2種以上的樹脂。優選的是,所述基材由聚對苯二甲酸乙二酯薄膜形成,在對該聚對苯二甲酸乙二酯薄膜進行利用反應性離子刻蝕的預處理之后的表面,采用X射線光電分光法,在X射線源為MgKCI射線、功率為100W的條件下進行測定時,元素比率(0/C)為0. 49以下。優選的是,所述基材例如由聚對苯二甲酸乙二酯薄膜形成,在對該聚對苯二甲酸乙二酯薄膜進行利用反應性離子刻蝕的預處理之后的表面,采用X射線光電分光法,在X射線源為MgKd射線、功率為100W的條件下進行測定時,從Cls波形的分析求出的官能團比率(C00/C-C)為 0. 33 以下。優選的是,所述基材例如由聚對苯二甲酸乙二酯薄膜形成,在對該聚對苯二甲酸乙二酯薄膜進行利用反應性離子刻蝕的預處理之后的表面,采用X射線光電分光法,在X射線源為MgK α射線、功率為100W的條件下進行測定時,從Cls波形的分析求出的C-C鍵的半寬值為1. 340 1. 560eVo優選的是,所述基材例如由聚酰胺薄膜形成,在對該聚酰胺薄膜進行利用反應性離子刻蝕的預處理之后的表面,采用X射線光電分光法,在X射線源為MgKd射線、功率為100W的條件下進行測定時,元素比率(0/(C+N))為0.2以上。優選的是,所述基材例如由聚酰胺薄膜形成,在對該聚酰胺薄膜進行利用反應性離子刻蝕的預處理之后的表面,采用X射線光電分光法,在X射線源為MgKd射線、功率為 100W的條件下進行測定時,從Cls波形的分析求出的C-C鍵的半寬值為1. 380 1. 560eV。優選的是,所述基材例如由聚丙烯薄膜形成,在對該聚丙烯薄膜進行利用反應性離子刻蝕的預處理之后的表面,采用X射線光電分光法,在X射線源為MgKd射線、功率為 IOOff的條件下進行測定時,元素比率(0/C)為0. 03 0. 135。優選的是,所述基材例如由聚丙烯薄膜形成,在對該聚丙烯薄膜進行利用反應性離子刻蝕的預處理之后的表面,采用X射線光電分光法,在X射線源為MgKd射線、功率為 100W的條件下進行測定時,從Cls波形的分析求出的C-C鍵的半寬值為1.320 1.600eV。在本專利技術中,也可以對所述阻氣性被膜層的表面實施等離子體處理的預處理。所述阻氣性被膜層例如是含有水溶性高分子、或含有水溶性高分子和無機化合物的阻氣性被膜層。優選的是,在采用X射線光電分光法(XPQ測定所述阻氣性被膜層的表面時,水溶性高分子的碳-碳鍵(C-C)和碳-羥基鍵(C-OH)的官能團比D(C-0H/C-C)為0. 25以上且 0. 87以下。所述水溶性高分子例如是聚乙烯醇。所述無機化合物例如是二氧化硅粒子等微粒、或1種以上的本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
...
【專利技術屬性】
技術研發人員:福上美季,石井敏也,村瀨友和,中西智公,松尾龍吉,
申請(專利權)人:凸版印刷株式會社,
類型:發明
國別省市:
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