負電壓生成器、譯碼器、非易失性存儲器件及存儲系統技術方案

一種負電壓生成器包括：直流電壓生成器，其被配置成生成直流電壓；參考電壓生成器，其被配置成生成參考電壓；振蕩器，其被配置成生成振蕩時鐘；電荷泵，其被配置成響應于泵時鐘生成負電壓；以及電壓檢測器。該電壓檢測器被配置成通過比較分壓電壓和參考電壓來檢測負電壓，并基于振蕩時鐘生成與檢測的負電壓相對應的泵時鐘，其中該分壓電壓是通過對所述直流電壓分壓得到的。

【技術實現步驟摘要】

示例性實施例涉及負電壓生成器、利用負電壓的譯碼器、非易失性存儲器件以及存儲系統。
技術介紹
半導體存儲器件是在諸如計算機的數字邏輯系統以及范圍從衛星到消費類電子產品的基于微處理器的應用中常見的重要微電子組件。因而，半導體存儲器件在生產制造方面的進步，包括允許定標到更高存儲密度和更快工作速度的エ藝改良和與電路設計相關的發展，有助于為其他數字邏輯產品系列建立性能標準。半導體存儲器件通常被分類為易失性存儲器件或非易失性存儲器件。不同于易失性存儲器件，非易失性存儲器能夠在沒有供電的情況下保持存儲數據。非易失性存儲器件包括持久性存儲模式和可再編程存儲模式；非易失性存儲器件通常在包括計算機、航空電子設備、電信和消費類電子設備在內的各種各樣的應用中用作程序和微代碼存儲部件。非易失性存儲器件的一個例子是快閃存儲器器件。最近，隨著對更高密度存儲器件的需求不斷増加，開發出了多比特(或多電平)儲存器件，在多比特儲存器件中，每個存儲單元可以存儲多個比特(即，兩比特或更多比持)。 多比特快閃存儲器是這種器件的ー個例子。
技術實現思路
本專利技術構思實施例的ー個方面提供ー種負電壓生成器，其包括直流電壓生成器， 被配置成生成直流電壓；參考電壓生成器，被配置成生成參考電壓；振蕩器，被配置成生成振蕩時鐘；電荷泵，被配置成響應于泵時鐘生成負電壓；以及電壓檢測器，被配置成通過將通過對該直流電壓分壓獲得的分壓電壓與參考電壓進行比較來檢測負電壓，并基于振蕩時鐘生成與檢測的負電壓相對應的泵時鐘。本專利技術構思實施例的另ー個方面提供一種非易失性存儲器件，其包括電壓生成器電路，包括被配置成生成高電壓的高電壓生成器以及被配置成生成負電壓和阱電壓的負電壓生成器；以及至少ー個電路，包括至少ー個開關，所述至少一個電路被配置成響應于使能信號輸出高電壓和阱電壓中的一個，該使能信號用于向被供應了負電壓的字線所對應的線施加負電壓。所述高電壓生成器和負電壓生成器被配置成分別響應于獨立的振蕩時鐘而工作。本專利技術構思實施例的再一個方面提供一種行譯碼器，其包括塊字線；上拉電路， 被配置成響應于電壓傳送使能信號向塊字線施加高電壓；下拉電路，被配置成響應于電壓傳送使能信號而從塊字線斷開(Shut off)，并且響應于電壓傳送使能信號的反相版本而向塊字線施加阱電壓；以及電壓傳送電路，被配置成基于塊字線的電壓將多條選擇線與多條字線連接。上拉電路和下拉電路中的每一個由在P型阱內形成的至少一個n型有源區形成， 并且該P型阱包括在深n型阱中。本專利技術構思實施例的另一個方面提供一種非易失性存儲器件，其包括至少一個第一電壓施加通過(pass)電路，被配置成向第一線施加正電壓；以及至少一個第二電壓施加通過電路，被配置成向第二線施加負電壓。當向第二線施加該負電壓時，該負電壓被施加到在其中形成至少一個第二電壓施加通過電路的阱。本專利技術構思實施例的另一個方面提供一種非易失性存儲器件，其包括低電壓生成器，被配置成響應于第一修正碼(trim code)生成低電壓；負電壓生成器，被配置成響應于第二修正碼生成負電壓；碼轉換器，被配置成將輸入的讀取碼(read code)轉換成第一修正碼和第二修正碼之一；以及碼生成器，被配置成生成讀取碼。本專利技術構思實施例的另一個方面提供一種非易失性存儲器件的讀取電壓生成方法，其包括生成與溫度相對應的溫度碼；使用溫度碼校正讀取碼；將校正的讀取碼轉換成低電壓修正碼和負修正碼之一；以及響應于轉換的讀取碼生成讀取電壓。本專利技術構思實施例的另一個方面提供一種存儲系統，其包括非易失性存儲器件; 以及存儲控制器，被配置成控制該非易失性存儲器件。該非易失性存儲器件包括負電壓生成器，被配置成生成負電壓；以及至少一個行譯碼器。該至少一個行譯碼器包括上拉電路，被配置成響應于電壓傳送使能信號向塊字線施加高電壓；以及下拉電路，被配置成響應于電壓傳送使能信號從塊字線斷開，并響應于電壓傳送使能信號的反相版本向塊字線施加阱電壓。上拉電路和下拉電路中的每一個由在p型阱內形成的至少一個n型有源區形成， 并且該P型阱包括在深n型阱中。當負電壓被供應到至少一條字線時，阱電壓是負電壓。本專利技術構思實施例的另一個方面提供一種非易失性存儲器件的編程方法，包括 從被選存儲單元讀取第一頁數據；以及基于讀取的第一頁數據在被選存儲單元中編程第二頁數據。在讀取時各自具有與第一負編程狀態相對應的閾值電壓的至少一個存儲單元在編程期間被編程到第二負編程狀態。本專利技術構思實施例的另一個方面提供一種非易失性存儲器件，包括單元陣列，其包括排列在多條字線與多條位線交叉處的多個存儲單元；電壓生成電路，被配置成向多條字線提供字線電壓；輸入/輸出電路，被配置成在被選存儲單元中寫入數據或從被選存儲單元中讀取數據，并且與多條位線連接；以及控制邏輯，被配置成控制電壓生成部分或輸入 /輸出電路，從而將多個存儲單元中的被選存儲單元從第一負編程狀態編程到第二負編程狀態。附圖說明從下面參照附圖的描述，上述和其他對象和特征將變得清楚，除非另有說明，否則在不同的附圖中相似的附圖標記始終指代相似的部分。圖I是示出根據本專利技術構思的示例性實施例的非易失性存儲器件的閾值電壓分布的示圖。圖2是示出根據本專利技術構思的示例性實施例的非易失性存儲器件的示圖。圖3是示出圖2中圖示的高電壓生成器的例子的示圖。圖4是示出圖3中圖示的用于編程電壓的電壓檢測器的例子的示圖。圖5是示出圖2中圖示的低電壓生成器的例子的示圖。圖6是示出根據本專利技術構思實施例的修正碼生成器的示圖。圖7是示出根據本專利技術構思的另ー個實施例的修正碼生成器的示圖。圖8是示出圖5中圖示的開關的例子的示圖。圖9是示出根據本專利技術構思的第一實施例的圖2中的負電壓生成器的示圖。圖10是示出圖9中圖示的負電壓生成器184的例子的示圖。圖11是示出圖10中圖示的第一電平位移器的例子的示圖。圖12是示出圖9中圖示的用于字線的負電壓生成器的例子的示圖。圖13是示出根據本專利技術構思的第二實施例的圖2中的負電壓生成器的示圖。圖14是示出圖2中的讀取驗證電壓選擇開關電路的例子的示圖。圖15是示出圖14中圖示的環繞電壓(peri-voltage)選擇開關的例子的示圖。圖16是示出圖2中的字線電壓選擇開關電路的例子的示圖。圖17是在編程操作期間圖16中的字線電壓選擇開關電路的字線電壓選擇操作的時序圖。圖18是用于描述圖17中圖示的2步驗證操作的示圖。圖19是根據本專利技術構思的另ー個示例性實施例的圖18中的字線電壓選擇開關電路的字線電壓選擇操作的時序圖。圖20是示出圖2中的選擇線驅動器電路的例子的示圖。圖21是示出圖2中的選擇線選擇開關電路的例子的示圖。圖22是示出圖2中的阱電壓選擇開關電路的例子的示圖。圖23是示出根據本專利技術構思的第一實施例的圖2中的行譯碼器的示圖。圖M是示出根據本專利技術構思的示例性實施例的行譯碼器的截面的示圖。圖25是示出圖2中的非易失性存儲器件的編程操作期間的電壓控制方法的實施例的示圖。圖沈是示出根據本專利技術構思的第一實施例的在編程操作期間控制阱電壓和高電壓的方法的示圖。圖27是示出根據本專利技術構思的第二實施例的在編程操作期間控制阱電壓和高電壓的方法的示圖。圖觀是示出根據本專利技術構思的第三實施例的在編程操作期間控制阱電壓和高電壓的方法的示圖。圖四是示出根本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：金武星，任載禹，柳載悳，樸起臺，權五錫，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：