一種鎢化學機械拋光后的清洗方法，主要應用于半導體制造過程中鎢化學機械拋光后殘留物的清洗。此法包括在化學機械拋光后引入光阻清洗液清洗，并且干燥。通過此清洗方法有效地解決了高端集成電路技術(shù)鎢化學機械拋光后高密度鎢插栓區(qū)殘留的清洗難題，保證了高端集成電路制造技術(shù)的發(fā)展。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種鎢化學機械拋光后殘留的清洗方法。
技術(shù)介紹
在半導體制造過程中，鎢插栓被廣泛使用。鎢插栓制造工藝為首先在電介質(zhì)上進行光刻以及蝕刻工藝形成所需要的通孔，該通孔停留在下層導線、柵極或源漏級上；然后依次沉積上阻擋層鈦，氮化鈦以及鎢；接著進行鎢化學機械拋光工藝。鎢化學機械拋光要求具有高平整度、低蝶形缺陷、無表面殘留等。W09923688A1在鎢化學機械拋光工藝后引入含表面活性劑的5 37wt%的鹽酸溶液進行清洗，然后用去離子水漂洗并甩干。該工藝對去除鎢化學機械拋光后金屬離子的殘留具有較好的效果，但不能有效去除含有機的殘留物。US6099662A在化學機械拋光工藝后引入氨水容易進行浸泡，然后依次噴淋氨水與雙氧水以及去離子水混合物、氫氟酸與水混和物，最后用去離子水漂洗并干燥。該方法可以同時去除化學機械拋光后殘留顆粒以及金屬離子，但對有機殘留物的去除不夠有效。CN1967788A在鎢化學機械拋光后首先引入氨水進行清洗，然后引入小于5wt%的氫氟酸溶液進行清洗，最后用去離子水漂洗并甩干。此清洗方法對關鍵尺寸為0. 13微米以上的鎢化學機械拋光后殘留的清洗比較有效，但隨著關鍵尺寸的降低，尤其在65納米以下時具有局限性。鎢化學機械拋光后的一般使用氨水、草酸以及氫氟酸等溶液對拋光后晶圓進行， 其優(yōu)點為成本低廉、簡單易操作。但隨著半導體制造技術(shù)的不斷發(fā)展，半導體關鍵尺寸變得越來越小，已經(jīng)從微米級達到了 65納米、45納米甚至22納米。隨著關鍵尺寸的變小，對殘留物的清洗要求越來越高；在鎢化學機械拋光工藝中，隨著鎢插栓密度的增加，在高密度鎢插栓區(qū)殘留的清洗變得越來越困難，傳統(tǒng)的清洗方法已經(jīng)逐漸達不到要求。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的高端集成電路技術(shù)鎢化學機械拋光后高密度鎢插栓區(qū)殘留的清洗難題。本專利技術(shù)提供的技術(shù)方案如下本專利技術(shù)的鎢化學機械拋光后的清洗方法包括如下步驟a.化學機械拋光，b.干燥，在化學機械拋光之后，還包括光阻清洗液清洗。在本專利技術(shù)中，在干燥之前還可包括濕法清洗。在本專利技術(shù)中，光阻清洗液清洗在濕法清洗前進行，也可選擇在濕法清洗后進行，或者在干燥后進行，并且在光阻清洗液清洗后再進行一次干燥。在本專利技術(shù)中，光阻清洗液為羥胺基光阻清洗液、含氟類光阻清洗液或胺基光阻清洗液。在本專利技術(shù)中，羥胺基光阻清洗液包括EK(^65、EKC270、EKC270T、ACT930、ACT935、 ACT940 和 / 或 N311 ；含氟類光阻清洗液包括 IDEALClean 815、IDEAL Clean 960、SSTA2、 EKC640和/或ACTNE系列；胺基光阻清洗液包括ALEG310和/或ALEG380。其光阻清洗液包括但不局限以上光阻清洗液。在本專利技術(shù)中，光阻清洗液清洗后，還包括去離子水漂洗。在本專利技術(shù)中，晶圓表面直接噴淋光阻清洗液或者其稀釋液進行清洗，然后經(jīng)過異丙醇(IPA)，N-甲基吡咯烷酮(NMP)等漂洗液再用水漂洗并干燥，或者直接用水漂洗并干O本專利技術(shù)所用試劑、原料以及產(chǎn)品均市售可得。本專利技術(shù)的積極進步效果在于1)有效地解決了高端集成電路技術(shù)鎢化學機械拋光后高密度鎢插栓區(qū)殘留的清洗難題，保證了高端集成電路制造技術(shù)的發(fā)展；2)具有優(yōu)異的化學機械拋光后殘留物清洗能力，從而達到了 65納米及其以下工藝的要求；3)不需要改變現(xiàn)有設備的設計，僅僅是在鎢化學機械拋光后增加一步光阻清洗工藝，簡單易行。附圖說明圖1為對比例1的清洗效果圖；圖2為本專利技術(shù)清洗方法的清洗效果圖。具體實施例方式下面通過實施例的方式進一步說明本專利技術(shù)，但并不因此將本專利技術(shù)限制在所述的實施例范圍之中。實施例1 8表1給出了本專利技術(shù)的清洗方法實施例1 8及對比例1 2，具體清洗工藝如下。對比1鎢化學機械拋光稀氨水清洗稀氫氟酸清洗去離子水潔洗干燥對比2鎢化學機械拋光稀氨水清洗稀草酸清洗去離子水潔洗干燥1鎢化學機械拋光稀氨水清洗稀氫氟酸清洗去離子水清洗干燥含氟類光阻清洗液清洗去離子水漂洗干燥2鎢化學機械拋光稀氨水清洗稀氫氟酸淸洗去離子水清洗干燥羥胺基光阻清洗液清洗IPA漂洗以及去離子水漂洗干燥3鎢化學機械拋光水漂洗含氟類光阻清洗液清洗去離子水漂洗干燥權(quán)利要求1.，包括下列步驟a.化學機械拋光，b.干燥，其特征在于在所述化學機械拋光之后，還包括光阻清洗液清洗。2.如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于所述清洗方法在干燥之前還包括濕法清洗。3.如權(quán)利要求2所述的清洗方法，其特征在于所述光阻清洗液清洗在濕法清洗前進行。4.如權(quán)利要求2所述的清洗方法，其特征在于所述光阻清洗液清洗在濕法清洗后進行。5.如權(quán)利要求4所述的清洗方法，其特征在于所述光阻清洗液清洗在干燥后進行。6.如權(quán)利要求5所述的清洗方法，其特征在于所述光阻清洗液清洗后還包括干燥步馬聚ο7.如權(quán)利要求1-6任一項所述的清洗方法，其特征在于所述光阻清洗液為羥胺基光阻清洗液、含氟類光阻清洗液或胺基光阻清洗液。8.如權(quán)利要求7所述的清洗方法，其特征在于所述氟類光阻清洗液為IDEALClean 815，IDEAL Clean 960，SSTA2, EKC640 和 / 或 ACTNE ；所述羥胺基光阻清洗液為 EK(^65， EKC270, EKC270T, ACT930, ACT935, ACT940 和 / 或 N311 ；所述胺基光阻清洗液為 ALEG310 和 / 或 ALEG380。9.如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于在所述光阻清洗液清洗后，還包括去離子水，異丙醇和/或N-甲基吡咯烷酮漂洗。全文摘要，主要應用于半導體制造過程中鎢化學機械拋光后殘留物的清洗。此法包括在化學機械拋光后引入光阻清洗液清洗，并且干燥。通過此清洗方法有效地解決了高端集成電路技術(shù)鎢化學機械拋光后高密度鎢插栓區(qū)殘留的清洗難題，保證了高端集成電路制造技術(shù)的發(fā)展。文檔編號C11D7/26GK102569022SQ20101061998公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月30日專利技術(shù)者劉兵, 孫廣勝, 彭洪修 申請人:安集微電子(上海)有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：彭洪修，劉兵，孫廣勝，
申請(專利權(quán))人：安集微電子上海有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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