本發(fā)明專利技術(shù)提供一種能夠簡(jiǎn)化制造步驟的多層布線基板的制造方法。在本發(fā)明專利技術(shù)的多層布線基板的制造方法中,在準(zhǔn)備步驟中準(zhǔn)備厚度為100μm以下的片狀的芯體絕緣部件(13),在開孔步驟中,對(duì)芯體絕緣部件實(shí)施激光鉆孔加工,形成在芯體主面(14)和芯體背面(15)開口的通孔用孔(16)。在導(dǎo)體形成步驟中,在無(wú)電解鍍銅后實(shí)施電解鍍銅,由此形成將芯體絕緣部件(13)的通孔用孔(16)內(nèi)部整體填充得到的通孔導(dǎo)體(17),并且在芯體絕緣部件(13)的芯體主面(14)和芯體背面(15)上形成導(dǎo)體層(19)。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及,該多層布線基板具有將多個(gè)樹脂絕緣層和多個(gè)導(dǎo)體層進(jìn)行交替層壓使多層化的構(gòu)造。
技術(shù)介紹
被用作計(jì)算機(jī)的微處理器等的半導(dǎo)體集成電路元件(IC芯片)近年來(lái)日趨高速化、高功能化,具有其附帶的端子數(shù)量增加、端子之間的間距變小的趨勢(shì)。通常,在IC芯片的底面密集配置了呈陣列狀的多個(gè)端子,這種端子組以倒裝片的形式與母板側(cè)的端子組連接。但是,在IC芯片側(cè)的端子組與母板側(cè)的端子組中,端子之間的間距具有較大差異,因而很難直接將IC芯片連接在母板上。因此,通常采用如下方法,制作將IC芯片安裝在IC芯片搭載用布線基板上構(gòu)成的半導(dǎo)體封裝體,將該半導(dǎo)體封裝體安裝在母板上。關(guān)于構(gòu)成這種封裝體的IC芯片搭載用布線基板,在芯體基板的表面和背面形成了組合層的多層布線基板已經(jīng)得到實(shí)際應(yīng)用(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。在該多層布線基板中,芯體基板采用例如在加強(qiáng)纖維中浸漬了樹脂的樹脂基板(玻璃環(huán)氧樹脂基板等)。并且,利用該芯體基板的剛性,在芯體基板的表面和背面交替地層壓樹脂絕緣層和導(dǎo)體層,由此形成組合層。即,在該多層布線基板中,芯體基板發(fā)揮加強(qiáng)的作用,相比組合層形成得非常厚。具體地講,作為芯體基板確保例如約400 μ m的厚度。并且,在芯體基板中貫通形成有通孔導(dǎo)體,用于實(shí)現(xiàn)在表面和背面形成的組合層之間的導(dǎo)通。通過(guò)對(duì)芯體基板實(shí)施鉆孔加工而形成貫通孔,利用以往公知的方法進(jìn)行無(wú)電解鍍銅和電解鍍銅,由此在該貫通孔的側(cè)面形成該通孔導(dǎo)體。另外,利用絲網(wǎng)印刷法在通孔導(dǎo)體的內(nèi)部填充了環(huán)氧樹脂等堵塞體。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1日本特開2010-153839號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開2007-214427號(hào)公報(bào)可是,在上述專利文獻(xiàn)1等的多層布線基板中,在芯體基板的表面和背面形成的導(dǎo)體層的布線圖案是利用減成法而形成的。因此,不能像利用半加成法形成時(shí)那樣將布線圖案細(xì)微化。另外,在芯體基板中,通過(guò)不同步驟來(lái)形成表面和背面的布線圖案、以及與該布線圖案連接的通孔導(dǎo)體,因而存在制造步驟數(shù)量增加的問(wèn)題。并且,近年來(lái)隨著半導(dǎo)體集成電路元件的高速化,所使用的信號(hào)頻率成為高頻頻帶。這樣在信號(hào)頻率較高的情況下,如果貫通芯體基板的通孔導(dǎo)體變長(zhǎng),則通孔導(dǎo)體將易于成為大的電感器。在這種情況下,將導(dǎo)致產(chǎn)生高頻信號(hào)的傳輸損耗或電路錯(cuò)誤動(dòng)作,成為高速化的障礙。為了解決這種問(wèn)題,提出了將多層布線基板設(shè)為不具有芯體基板的基板(例如,參照專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)2的多層布線基板利用下述的方法制造。首先,準(zhǔn)備由玻璃環(huán)氧樹脂構(gòu)成的支撐基板、和由被臨時(shí)粘接成能夠剝離的狀態(tài)的兩個(gè)銅箔構(gòu)成的剝離性銅箔。并且,將剝離性銅箔通過(guò)粘接樹脂層固定在支撐基板上,在該剝離性銅箔上交替地層壓多個(gè)樹脂絕緣層和多個(gè)導(dǎo)體層使多層化,由此得到組合層。另外,在組合層中,將產(chǎn)品區(qū)域的外側(cè)切斷使露出剝離性銅箔的剝離界面,然后沿該剝離界面進(jìn)行剝離。由此,組合層從支撐基板上分離,得到不具有芯體的薄型的多層布線基板(無(wú)芯布線基板)。如專利文獻(xiàn)1所述,具有芯體的多層布線基板能夠在芯體基板的兩面形成組合層。與此相對(duì),專利文獻(xiàn)2所述的無(wú)芯布線基板在支撐基板的一面上層壓組合層。因此,在制造疊層數(shù)量與具有芯體的多層布線基板相同的無(wú)芯布線基板的情況下,層壓工時(shí)增加, 因而導(dǎo)致完成布線基板花費(fèi)時(shí)間。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)就是鑒于上述問(wèn)題而提出的,其目的在于,提供一種能夠簡(jiǎn)化制造步驟的。作為用于解決上述問(wèn)題的方案(方案1)是一種,該多層布線基板具有基板主面和基板背面,并具有將多個(gè)樹脂絕緣層和多個(gè)導(dǎo)體層進(jìn)行交替層壓使多層化的構(gòu)造,該制造方法的特征在于,包括準(zhǔn)備步驟,準(zhǔn)備由厚度為ΙΟΟμπι以下的絕緣材料構(gòu)成的片狀芯體絕緣部件;開孔步驟,對(duì)所述芯體絕緣部件實(shí)施激光鉆孔加工,形成在所述絕緣部件的表面和背面開口的貫通孔;導(dǎo)體形成步驟,在實(shí)施無(wú)電解鍍銅后實(shí)施電解鍍銅,由此形成將所述芯體絕緣部件的貫通孔內(nèi)部整體填充得到的層間連接導(dǎo)體部,并且形成配置于所述芯體絕緣部件的表面和背面上并與所述層間連接導(dǎo)體部連接的所述導(dǎo)體層;以及層壓步驟,在形成了所述導(dǎo)體層的所述芯體絕緣部件的表面和背面這兩個(gè)面上, 交替地層壓所述多個(gè)樹脂絕緣層和所述多個(gè)導(dǎo)體層使多層化。根據(jù)方案1記載的專利技術(shù),現(xiàn)有的芯體基板具有400 μ m以上的厚度,而在本專利技術(shù)中是準(zhǔn)備厚度為ΙΟΟμπι以下的薄片狀的芯體絕緣部件。并且,不像以往那樣通過(guò)鉆孔加工在芯體基板形成貫通孔,而是實(shí)施激光鉆孔加工來(lái)形成在芯體絕緣部件的表面和背面開口的貫通孔。另外,在實(shí)施無(wú)電解鍍銅后實(shí)施電解鍍銅,由此形成將芯體絕緣部件的貫通孔內(nèi)部整體填充得到的層間連接導(dǎo)體部,并且形成配置于芯體絕緣部件的表面和背面上并與層間連接導(dǎo)體部連接的導(dǎo)體層。在此,在現(xiàn)有的芯體基板中,其表面和背面的布線圖案是利用減成法形成的,而在本專利技術(shù)中能夠利用半加成法形成。因此,能夠使在芯體絕緣部件的表面和背面形成的導(dǎo)體層的布線圖案高密度且細(xì)微化。并且,在現(xiàn)有的芯體基板中,需要通過(guò)不同的步驟來(lái)形成貫通孔內(nèi)部的層間連接導(dǎo)體部和表面及背面的布線圖案,而在本專利技術(shù)中能夠在相同的步驟中同時(shí)形成芯體絕緣部件的層間連接導(dǎo)體部和表面及背面的布線圖案,因而能夠簡(jiǎn)化制造步驟。在開孔步驟中,也可以從芯體絕緣部件的表面和背面這兩側(cè)實(shí)施激光鉆孔加工。 具體地講,例如關(guān)于相鄰設(shè)置的多個(gè)貫通孔,也可以從芯體絕緣部件的表面?zhèn)葘?shí)施激光鉆孔加工來(lái)形成一個(gè)貫通孔,并且從芯體絕緣部件的背面?zhèn)葘?shí)施激光鉆孔加工來(lái)形成另一個(gè)貫通孔。在此,從芯體絕緣部件的表面?zhèn)葘?shí)施激光鉆孔加工而形成的貫通孔,其表面?zhèn)鹊闹睆酱蟆⒈趁娴闹睆叫 O喾矗瑥男倔w絕緣部件的背面?zhèn)葘?shí)施激光鉆孔加工而形成的貫通孔, 其表面?zhèn)鹊闹睆叫 ⒈趁娴闹睆酱蟆R虼耍趶男倔w絕緣部件的表面和背面這兩側(cè)實(shí)施激光鉆孔加工來(lái)形成相鄰的貫通孔的情況下,能夠保持預(yù)定的間隔且高效地形成多個(gè)貫通孔。并且,在開孔步驟中,也可以從芯體絕緣部件的表面和背面這兩側(cè)實(shí)施激光鉆孔加工來(lái)形成一個(gè)貫通孔。在這種情況下,能夠形成隨著從芯體絕緣部件的表面朝向其相反側(cè)的背面而暫且縮徑后再擴(kuò)徑而形成的括弧形狀的貫通孔。并且,在實(shí)施無(wú)電解鍍銅后實(shí)施電解鍍銅時(shí),在芯體絕緣部件的貫通孔內(nèi),先在被括起來(lái)的部分中形成導(dǎo)體部,然后該導(dǎo)體部緩慢生長(zhǎng),能夠可靠地在貫通孔內(nèi)部整體填充層間連接導(dǎo)體部。利用上述制造方法制造的多層布線基板具有基板主面和基板背面,并具有將多個(gè)樹脂絕緣層和多個(gè)導(dǎo)體層進(jìn)行交替層壓使多層化的構(gòu)造,該多層布線基板具有片狀的芯體絕緣部件,由厚度為100 μ m以下的絕緣材料構(gòu)成;第1層間連接導(dǎo)體部,被設(shè)于芯體絕緣部件的錐狀貫通孔內(nèi),并與被配置于芯體絕緣部件的表面和背面上的導(dǎo)體層連接,該錐狀貫通孔形成為隨著從一側(cè)表面朝向其相反側(cè)的背面而進(jìn)行擴(kuò)徑;以及第2層間連接導(dǎo)體部,被設(shè)于在芯體絕緣部件的表面和背面這兩面層壓形成的多個(gè)樹脂絕緣層中的錐狀貫通孔內(nèi),并與被配置于芯體絕緣部件的表面和背面上的導(dǎo)體層連接,該錐狀貫通孔形成為從內(nèi)層側(cè)即芯體絕緣部件側(cè)朝向外層側(cè)即基板主面?zhèn)群突灞趁鎮(zhèn)榷M(jìn)行擴(kuò)徑。在這樣構(gòu)成的多層布線基板中,芯體絕緣部件的厚度為100 μ m以下,因而第1層間連接導(dǎo)體部的長(zhǎng)度變短。因此,與專利文獻(xiàn)1所述的具有芯體基板的多層布線基板相比, 能夠縮短布線長(zhǎng)度,能夠降低高頻信號(hào)的傳輸損耗。并且,在該多本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:前田真之介,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:日本特殊陶業(yè)株式會(huì)社,
類型:發(fā)明
國(guó)別省市:
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