本發明專利技術提供了一種非易失存儲器的過擦除處理方法，包括校驗：選中一個存儲單元，校驗該選中的存儲單元的閾值電壓是否小于0V，若是，則執行下面步驟；若否，則選中另外一個存儲單元進行校驗；電壓施加：對選中的存儲單元的字線施加正電壓、漏極施加編程漏極電壓，對未選中的存儲單元的字線施加小于該未選中的存儲單元的閾值電壓的電壓；再次校驗：校驗經過電壓施加步驟處理后的存儲單元的閾值電壓是否小于0V，若是，則返回電壓施加步驟，若否，則結束處理。本發明專利技術的非易失存儲器的過擦除處理方法能夠對閾值電壓低于0V的存儲單元進行二次過擦除處理，保證過擦除處理的準確性。本發明專利技術還提供一種非易失存儲器的過擦除處理系統。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體存儲器
，特別是涉及一種非易失存儲器的過擦除處理方法和處理系統。
技術介紹
為了驗證存儲器產品的正確性，在產品出廠前會進行一連串的測試流程。這些存儲產品可以包括非揮發性存儲器產品(例如，快閃存儲器Flash，或是可電除可編程只讀存儲器EEPROM等)，也可以包括一次性可編程OTP類存儲器。一般的測試流程可以包括產品接腳(Pin)的短路/斷路測試、邏輯功能測試、電擦除特性測試(以判斷該揮發性存儲器內的資料是否可以被電擦除且再寫入新資料)、程序碼測試(將寫入該非揮發性存儲器的程序碼讀出并與該寫入程序碼作比對，以判斷該非揮發性存儲器的讀寫動作是否正確)等寸。在進行電擦除特性測試過程中，以閃存(Flash Memory)為例，它是一種基于半導體的存儲器，具有系統掉電后仍可保留內部信息、在線擦寫等功能特點，閃存通過熱電子注入機制實現對器件編程，采用隧道效應實現擦除。為了加快擦除步驟的過程，一般都會施加較強的擦除條件來進行erase操作，在這種情況下，block中的一些存儲單元(cell)則可能出現過擦除(over-erase)的狀態。過擦除狀態形成的主要原因為假設在一閃存的柵極G端施加-8V的電壓，源極S端施加+7V 的電壓，漏極D端不加電壓，單個擦除脈沖的持續時間從幾毫秒到幾十毫秒。在擦除過程中，一個block中只要有cell沒有達到擦除狀態，則需要重新向整個block施加擦除脈沖。 由于一個block中每個cell的TO上電子數都不同，因此各個cell受擦除脈沖的影響也不同。即向某個block施加擦除脈沖時，這個block中每個cell的TO上的電子向源極S遷移的數目也不同，在多次施加擦除脈沖直至block中所有cell都達到擦除狀態時，那些電子遷移數目較多的cell的閾值電壓Vt可能就會低于擦除狀態范圍，此時，這些\低于擦除狀態范圍cell就處于過擦除狀態。通常情況下，在block的erase狀態完成后(即指erase_verify校驗erase操作成功后)，采用較強的軟編程條件把處于過擦除狀態的cell恢復到正常的擦除狀態。即向這些過擦除的cell不斷施加編程脈沖，直到把這些cell恢復到正常的擦除狀態。然而，由于經過較強擦除條件的erase操作，會導致block中cell的Vt分布范圍很廣，有些cell的Vt過低，甚至低于0V。在這種情況下，即使通過軟編程操作，仍然還會有部分cell的Vt低于0V，無法恢復到正常的擦除狀態。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供一種非易失存儲器的過擦除處理方法和處理系統，能夠對閾值電壓Vt低于OV的存儲單元進行二次過擦除處理，保證過擦除處理的準確性。為了解決上述問題，本專利技術公開了一種非易失存儲器的過擦除處理方法，包括以下步驟校驗選中一個已經進行過軟編程操作的存儲單元，校驗該選中的存儲單元的閾值電壓Vt是否小于0V，若是，則執行下面步驟；若否，則選中另外一個存儲單元進行校驗；電壓施加對選中的閾值電壓Vt小于OV的存儲單元的字線施加正電壓、漏極D施加編程漏極電壓，對未選中的存儲單元的字線施加小于該未選中的存儲單元的閾值電壓的電壓；再次校驗校驗經過電壓施加步驟處理后的存儲單元的閾值電壓Vt是否小于0V， 若是，則返回電壓施加步驟，若否，則結束處理。進一步地，所述電壓施加步驟中，對選中的存儲單元的字線施加的正電壓的范圍為小于或者等于處于正常擦除狀態所允許的存儲單元具有的最大的閾值電壓VT。進一步地，所述電壓施加步驟中，對未選中的存儲單元的字線施加的電壓小于或者等于所有未選中的存儲單元中的最小閾值電壓VT。進一步地，在所述校驗步驟之前還包括軟編程步驟對存在過擦除的存儲單元進行軟編程操作。進一步地，在所述軟編程步驟之前還包括初步校驗步驟校驗存儲單元的閾值電壓Vt是否小于0V，若閾值電壓Vt小于0V，則執行步驟軟編程的操作，反之，則結束對該存儲單元的過擦除處理，直接跳到下一個地址進行校驗。進一步地，所述校驗已進行過軟編程操作的存儲單元的閾值電壓Vt是否小于OV 包括以下步驟選擇一個參考存儲單元，并給該存儲單元的字線施加一個參考電壓，確定一個參考電流；給待校驗的存儲單元的字線施加一個正電壓，得出該待校驗存儲單元中的測量電流；比較參考電流和測量電流，若測量電流大于參考電流，則閾值電壓Vt小于0V，反之，則大于OV。進一步地，給待校驗的存儲單元的字線施加的正電壓的值為參考存儲單元的字線的參考電壓與該參考存儲單元的閾值電壓Vt之間的差值。進一步地，所述校驗已進行過軟編程操作的存儲單元的閾值電壓Vt是否小于OV 的方法還包括在給待校驗的存儲單元的字線施加一個正電壓的時候，給與所述待校驗的存儲單元同一位線上的其它存儲單元的字線上施加一個小于或者等于所述其它存儲單元的閾值電壓Vt的電壓。進一步地，給與所述待校驗的存儲單元同一位線上的其它存儲單元的字線上施加一個相同的電壓，所述相同的電壓小于或者等于所述其它所有存儲單元中的最小閾值電壓Vt。為了解決上述問題，本專利技術還公開了一種非易失存儲器的過擦除處理系統，包括校驗模塊，用于對校驗存儲單元的閾值電壓Vt是否小于OV ；電路模塊，對選中的閾值電壓Vt小于OV的存儲單元的字線施加正電壓、對漏極D施加編程漏極電壓，對其余未選中的存儲單元字線上施加小于或等于未選中的存儲單元的閾值電壓Vt的電壓。進一步地，所述校驗模塊包括電壓施加模塊，對參考存儲單元及待校驗的存儲單元施加處理電壓。進一步地，所述校驗模塊還包括電流測量模塊，對參考存儲單元的參考電流及待校驗的存儲單元的測量電流進行測量。進一步地，所述校驗模塊還包括比較模塊，對參考存儲單元中產生的參考電流及待校驗的存儲單元的測量電流進行比較；若測量電流大于參考電流，則待校驗的閾值電壓Vt小于0V，反之，則大于0V。進一步地，所述過擦除處理系統還包括軟編程處理模塊，用于對存在過擦除的存儲單元進行軟編程操作。與現有技術相比，本專利技術具有以下優點本專利技術通過對閾值電壓Vt低于OV的存儲單元進行二次過擦除處理，保證了過擦除處理的準確性。進一步地，在校驗是否存儲在過擦除處理中，對于待校驗的存儲單元的字線施加正電壓，而對同一位線上的其余存儲單元的字線施加一個小于或等于其余存儲單元的閾值電壓Vt的電壓，可以避免在位線上產生漏電流而影響測量電流的準確性，提高了校驗過程的準確性。進一步地，對于同一位線上的其余未選中的存儲單元的字線上施加一個小于或等于未選中的存儲單元的最小閾值電壓Vt的電壓，避免了對所有的未選中的存儲單元一一進行測量，節省了過擦除處理的時間。附圖說明圖1是本專利技術一種非易失存儲器的過擦除處理方法實施例一的流程圖；圖2是本專利技術一種非易失存儲器的過擦除處理方法實施例二的流程圖；圖3是本專利技術一種非易失存儲器的過擦除處理方法實施例三的流程圖；圖4是本專利技術一種非易失存儲器的過擦除處理方法實施例中的校驗存儲單元的閾值電壓的方法實施例一的流程圖；圖5是本專利技術一種非易失存儲器的過擦除處理方法實施例中的校驗存儲單元的閾值電壓的方法實施例二的流程圖；圖6是本專利技術一種非易失存儲器的過擦除處理系統實施例一的結構示意圖；圖7是本專利技術一種非易失存儲器的過擦除處理系統實施例二的結構示意圖；圖8是本專利技術一種非易失本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：蘇志強，舒清明，
申請(專利權)人：北京兆易創新科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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