能夠產生磁場的探針臺吸盤制造技術

本實用新型專利技術公開了一種能夠產生磁場的探針臺吸盤，包括吸盤，吸盤的下方設置有一線圈，線圈的中間固定設置有磁芯；線圈通過導線連接外部的電流源。所述磁芯的面積不小于待測晶圓上所有需測試芯片的面積；所述電流源的大小及電流方向通過測試儀控制，實現對所述線圈產生的磁場大小及方向的控制?；蛘咚龃判镜拿娣e與待測晶圓上最大芯片的面積相同；所述線圈的移動通過測試儀控制，使線圈移動至所需測試的芯片下方。本實用新型專利技術能夠為晶圓級芯片的測試提供磁場，從而對處于磁場環境下的晶圓進行性能測試。（*該技術在2021年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種半導體測試設備，具體涉及一種能夠產生磁場的探針臺吸盤。
技術介紹
探針臺吸盤(chuck)的主要功能是放置晶圓(wafer)和吸附晶圓。由于吸盤里有加熱絲，可以將晶圓加熱到一定溫度進行測試。但是，現有的探針臺吸盤無法產生磁場。
技術實現思路
本技術所要解決的技術問題是提供一種能夠產生磁場的探針臺吸盤，它可以對處于磁場環境下的晶圓進行性能測試。為解決上述技術問題，本技術能夠產生磁場的探針臺吸盤的技術解決方案為包括吸盤，吸盤的下方設置有一線圈，線圈的中間固定設置有磁芯；線圈通過導線連接外部的電流源。所述磁芯的面積不小于待測晶圓上所有需測試芯片的面積；所述電流源的大小及電流方向通過測試儀控制，實現對所述線圈產生的磁場大小及方向的控制。所述待測晶圓的面積不小于3寸。所述磁芯的面積與待測晶圓上最大芯片的面積相同；所述線圈的移動通過測試儀控制，使線圈移動至所需測試的芯片下方。本技術可以達到的技術效果是本技術能夠為晶圓級芯片的測試提供磁場，從而對處于磁場環境下的晶圓進行性能測試。以下結合附圖和具體實施方式對本技術作進一步詳細的說明圖I是本技術能夠產生磁場的探針臺吸盤的第一實施例的示意圖；圖2是本技術的第二實施例的示意圖。圖中附圖標記說明I為吸盤， 2為線圈，3為磁芯， 10為待測晶圓。具體實施方式本技術能夠產生磁場的探針臺吸盤，包括探針臺吸盤1，吸盤I的下方設置有一線圈2，線圈2的中間固定設置有磁芯3 ;線圈2通過導線連接外部的電流源；線圈2的直徑與磁芯3面積相匹配；如圖I所示為本技術的第一實施例，磁芯3的面積不小于待測晶圓10上所有需測試芯片的面積；線圈2產生的磁力線方向垂直通過待測晶圓10 ;通過測試儀控制電流源的大小及電流方向，能夠控制線圈2產生的磁場大小及方向；待測晶圓10的面積為3寸以上。如圖2所示為本技術的第二實施例，磁芯3的面積與待測晶圓10上最大芯片的面積相同；線圈2產生的磁力線方向垂直通過待測晶圓10 ;通過測試儀控制線圈2移動，B 使線圈2移動至所需測試的芯片下方。使用時，將待測晶圓10放置于吸盤I上，由于線圈2能夠為晶圓級芯片的測試提供磁場，即可對處于磁場環境下的晶圓進行性能測試。權利要求1.ー種能夠產生磁場的探針臺吸盤，其特征在于包括吸盤，吸盤的下方設置有ー線圈，線圈的中間固定設置有磁芯；線圈通過導線連接外部的電流源。2.根據權利要求I所述的能夠產生磁場的探針臺吸盤，其特征在于所述磁芯的面積不小于待測晶圓上所有需測試芯片的面積；所述電流源的大小及電流方向通過測試儀控制，實現對所述線圈產生的磁場大小及方向的控制。3.根據權利要求2所述的能夠產生磁場的探針臺吸盤，其特征在于所述待測晶圓的面積不小于3寸。4.根據權利要求I所述的能夠產生磁場的探針臺吸盤，其特征在于所述磁芯的面積與待測晶圓上最大芯片的面積相同；所述線圈的移動通過測試儀控制，使線圈移動至所需測試的芯片下方。專利摘要本技術公開了一種能夠產生磁場的探針臺吸盤，包括吸盤，吸盤的下方設置有一線圈，線圈的中間固定設置有磁芯；線圈通過導線連接外部的電流源。所述磁芯的面積不小于待測晶圓上所有需測試芯片的面積；所述電流源的大小及電流方向通過測試儀控制，實現對所述線圈產生的磁場大小及方向的控制?；蛘咚龃判镜拿娣e與待測晶圓上最大芯片的面積相同；所述線圈的移動通過測試儀控制，使線圈移動至所需測試的芯片下方。本技術能夠為晶圓級芯片的測試提供磁場，從而對處于磁場環境下的晶圓進行性能測試。文檔編號G01R1/02GK202372528SQ201120530728公開日2012年8月8日 申請日期2011年12月16日 優先權日2011年12月16日專利技術者謝晉春 申請人:上海華虹Nec電子有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：謝晉春，
申請(專利權)人：上海華虹NEC電子有限公司，
類型：實用新型
國別省市：