半導體裝置的制造方法制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種可以在抑制工序數的增加的同時、防止半導體晶片所具有的低介電常數材料層的裂紋的半導體裝置的制造方法。本發明專利技術的半導體裝置的制造方法具備：在形成有低介電常數材料層的帶有凸點的晶片上，將依次層疊支撐基材、粘合劑層和熱固性樹脂層而成的保護層形成用薄膜以熱固性樹脂層作為貼合面貼合的工序；將支撐基材和粘合劑層從熱固性樹脂層上剝離的工序；加熱熱固性樹脂層而使之固化，形成保護層的工序；以及；將帶有凸點的晶片與保護層一起切片的工序。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種使用了將支撐基材、粘合劑層和熱固性樹脂層依次層疊而成的保護層形成用薄膜的。
技術介紹
以往，隨著形成于半導體芯片中的電路圖案的精細化，電路之間的距離變近，因此相鄰的電路間的電容增大。此外，還與之成比例地產生經電路傳播的信號變慢的現象(信號延遲)。所以，提出了使用介電常數低的所謂low-k材料(低介電常數材料)在電路上形成低介電常數材料層來降低電路間電容的方案。作為上述低介電常數材料層，例如可以舉出SiO2膜(介電常數k = 4. 2)、SiOF膜(k = 3. 5 3. 7)、SiOC膜(k = 2. 5 2. 8)等。此種低介電常數材料層例如可以在半導體晶片上利用等離子體CVD法形成。但是，如上所述的低介電常數材料層非常脆，在半導體加工過程的切片工序中會產生裂紋，有可能引起半導體元件的動作異常。所以，近年來，采取使用激光先去掉低介電常數材料層后(激光劃線)用刀片等進行切片的方法(例如參照專利文獻I)。現有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2010-093273號公報但是，此種方法中，在進行切片時，首先進行激光劃線，其后用刀片等進行切片，因此存在工序數增加的問題。另外，即使使用了激光劃線，由于低介電常數材料層脆，因此無法充分地減少裂紋的產生，在這一點上有改善的余地。
技術實現思路
本專利技術是鑒于所述問題而完成的，其目的在于，提供一種可以抑制工序數的增加的同時，防止低介電常數材料層的裂紋的。本申請專利技術人等為了解決上述以往的問題進行了研究，結果發現，通過在帶有凸點的晶片的低介電常數材料層上形成保護層，將帶有凸點的晶片與保護層一起切片，就可以在抑制工序數的增加的同時，防止低介電常數材料層的裂紋，從而完成了本專利技術。即，本專利技術的的特征在于，具備在形成有低介電常數材料層的帶有凸點的晶片上，將依次層疊支撐基材、粘合劑層和熱固性樹脂層而成的保護層形成用薄膜以所述熱固性樹脂層作為貼合面貼合的工序;將所述支撐基材和所述粘合劑層從所述熱固性樹脂層上剝離的工序；加熱所述熱固性樹脂層而使之固化，形成保護層的工序；以及將所述帶有凸點的晶片與保護層一起切片的工序。根據所述構成，由于在帶有凸點的晶片的低介電常數材料層上形成有保護層，因、此低介電常數材料層由保護層加強。此外，其后，帶有凸點的晶片被與保護層一起切片。其結果是，由于低介電常數材料層在由保護層加強的狀態下被切片，因此可以抑制在低介電常數材料層中產生裂紋的情況。另外，由于低介電常數材料層在由保護層加強的狀態下被切片，因此也可以不用預先利用激光劃線等除去低介電常數材料層。其結果是，可以抑制工序數的增加。在所述構成中，優選所述熱固性樹脂層的溶融粘度在所述帶有凸點的晶片上貼合所述保護層形成用薄膜時的溫度下，為IXlO2Pa S以上且小于2 X IO4Pa S，所述粘合劑層的剪切彈性模量在所述帶有凸點的晶片上貼合所述保護層形成用薄膜時的溫度下，為3X IO4Pa以上且2X IO6Pa以下。如果所述熱固性樹脂層的溶融粘度在所述帶有凸點的晶片上貼合所述保護層形成用薄膜時的溫度下，為I X IO2Pa *S以上且小于2 X IO4Pa *S，所述粘合劑層的剪切彈性模量在所述帶有凸點的晶片上貼合所述保護層形成用薄膜時的溫度下，為3X104Pa以上且2X106Pa以下，則在帶有凸點的晶片上貼合保護層形成用薄膜時，可以使凸點從熱固性樹脂層中突出。其結果是，可以抑制連接可靠性的降低。 另外，由于所述熱固性樹脂層的溶融粘度在所述帶有凸點的晶片上貼合所述保護層形成用薄膜時的溫度下，為I X IO2Pa* S以上，因此在帶有凸點的晶片上貼合保護層形成用薄膜時，可以防止熱固性樹脂層被沖走，可以可靠地形成保護層。另外，由于所述熱固性樹脂層的溶融粘度在所述帶有凸點的晶片上貼合所述保護層形成用薄膜時的溫度下，小于2X IO4Pa S，因此可以更為可靠地使凸點從熱固性樹脂層中突出。在所述構成中，優選所述熱固性樹脂層具有凸點高度的0. 05 0. 9倍的厚度。如果熱固性樹脂層具有凸點高度的0. 05 0. 9倍的厚度，則在帶有凸點的晶片上貼合保護層形成用薄膜時，可以進一步可靠地使凸點從熱固性樹脂層中突出。根據本專利技術，可以提供在抑制工序數的增加的同時防止低介電常數材料層的裂紋的。附圖說明圖I是示意性地表示本實施方式的保護層形成用薄膜的一例的剖面圖。圖2是示意性地表示帶有凸點的晶片的一例的剖面圖。圖3是示意性地表示本實施方式的的一例的剖面圖。圖4是示意性地表示本實施方式的的一例的剖面圖。圖5是示意性地表示本實施方式的的一例的剖面圖。圖6是示意性地表示本實施方式的的一例的剖面圖。符號說明2半導體晶片，3帶有凸點的晶片，5半導體芯片，6被粘附體，10保護層形成用薄膜，12支撐基材，14粘合劑層，16熱固性樹脂層，17保護層，22切片刀片，41低介電常數材料層，51凸點。具體實施方式 對于本專利技術的實施方式，在參照附圖的同時進行說明，然而本專利技術并不限定于這些例子。而且，在附圖中，省略說明中不需要的部分，另外，為了使說明容易而有加以放大或縮小等圖示的部分。下面首先對本實施方式的保護層形成用薄膜進行說明。圖I是示意性地表示本實施方式的保護層形成用薄膜的一例的剖面圖。(保護層形成用薄膜)如圖I所示，保護層形成用薄膜10具有將支撐基材12、粘合劑層14和熱固性樹脂層16依次層疊而成的構成。而且，熱固性樹脂層16的表面在貼附于晶片上之前的期間，也可以由隔膜等保護。這里，對保護層形成用薄膜10所被貼附的帶有凸點的晶片進行說明。圖2是示意性地表示帶有凸點的晶片的一例的剖面圖。如圖2所示，帶有凸點的晶片3具有半導體晶片2和形成于半導體晶片2的電路面側的凸點51。另外，帶有凸點的晶片3在半導體晶片2的電路面側具有低介電常數材料層41。作為半導體晶片2，只要是公知以及慣用的半導體晶片，就沒有特別限制，可以從各種原材料的半導體晶片中適當地選擇使用。本專利技術中，作為合適的半導體晶片，可以使用硅晶片。作為半導體晶片2的厚度，例如可以使用10 800 iim的厚度，尤其可以使用20 200iim的厚度。作為凸點51的高度，例如使用5 200 iim的高度，尤其是通常使用10 IOOiim的高度。作為低介電常數材料層41，可以使用介電常數低的所謂low-k材料來形成，例如可以舉出 SiO2 膜(介電常數 k = 4. 2)、Si0F 膜(k = 3.5 3. 7)、Si0C 膜(k = 2. 5 2. 8)等。低介電常數材料層41可以在半導體晶片2上利用等離子體CVD法等形成。對于構成保護層形成用薄膜10 (參照圖I)的熱固性樹脂層16的溶融粘度，在帶有凸點的晶片3上貼合保護層形成用薄膜10時的溫度下，優選為IXlO2Pa S以上且小于2X IO4Pa S，更優選為IXlO3Pa S以上且小于IXlO4Pa S。由于熱固性樹脂層16的溶融粘度在帶有凸點的晶片3上貼合保護層形成用薄膜10時的溫度下為IXlO2Pa S以上，因此在帶有凸點的晶片3上貼合保護層形成用薄膜10時，可以防止熱固性樹脂層6被沖走，從而可以可靠地形成保護層17 (參照圖4)。另外，由于熱固性樹脂層16的溶融粘度在帶有凸點的晶片本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
...

【專利技術屬性】
技術研發人員：小田高司，高本尚英，松村健，
申請(專利權)人：日東電工株式會社，
類型：發明
國別省市：