一種封裝堆棧裝置及其制法，該封裝堆棧裝置包括：表面具有第一金屬柱與第一電子組件的第一封裝結(jié)構(gòu)、表面具有第二金屬柱與第二電子組件的第二封裝結(jié)構(gòu)、及設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)與第二封裝結(jié)構(gòu)之間并包覆該第一電子組件的封裝膠體；借由該第二金屬柱連接該第一金屬柱，使該第二封裝結(jié)構(gòu)疊設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)上，以兩封裝結(jié)構(gòu)之間不僅借由該金屬柱作支撐，且借由該封裝膠體填滿兩封裝結(jié)構(gòu)之間的空隙，因而可避免該基板發(fā)生翹曲。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種封裝堆棧裝置及其制法，尤其涉及一種得提升堆棧良率的封裝堆棧裝置及其制法。
技術(shù)介紹
隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)的演進(jìn),半導(dǎo)體裝置(Semiconductor device)已開發(fā)出不同的封裝型態(tài)，而為提升電性功能及節(jié)省封裝空間，遂堆加多個封裝結(jié)構(gòu)以形成封裝堆棧裝置(Package on Package, POP),此種封裝方式能發(fā)揮系統(tǒng)封裝(SiP)異質(zhì)整合特性,可將不同功用的電子組件，例如內(nèi)存、中央處理器、繪圖處理器、影像應(yīng)用處理器等，借由堆棧設(shè)計達(dá)到系統(tǒng)的整合，適合應(yīng)用于輕薄型各種電子產(chǎn)品。請參閱圖1，其為現(xiàn)有封裝堆棧裝置的剖面示意圖。如圖I所示，現(xiàn)有封裝堆棧裝置是將第二封裝結(jié)構(gòu)Ib疊設(shè)于第一封裝結(jié)構(gòu)Ia上。該第一封裝結(jié)構(gòu)Ia包含具有相對的第一及第二表面11a，Ilb的第一基板11、及設(shè)于該第一表面Ila上且電性連接該第一基板11的第一電子組件10。該第二封裝結(jié)構(gòu)Ib包含具有相對的第三及第四表面12a，12b的第二基板12、及設(shè)于該第三表面12a上且電性連接該第二基板12的第二電子組件15。此外,通過于該第一基板11的第一表面Ila上形成焊錫球110，以令該第二基板12的第四表面12b借由該焊錫球110疊設(shè)且電性連接于該第一基板11上。又，該第一基板11的第二表面Ilb上具有植球墊112以供結(jié)合焊球14，且該第一及第二電子組件10，15為主動組件及/或被動組件，并以覆晶方式電性連接基板，且借由底膠13充填于第一及第二電子組件10，15與第一基板11及第二基板12間，以形成覆晶接合。然而，現(xiàn)有裝置中，是借由焊接工藝以堆棧該第一封裝結(jié)構(gòu)Ia與第二封裝結(jié)構(gòu)lb，導(dǎo)致于回焊過程中，該焊錫球110的焊錫材料容易污染該第一封裝結(jié)構(gòu)Ia與第二封裝結(jié)構(gòu)Ib的表面，且該焊錫球110的尺寸變異不易控制，所以容易造成該兩封裝結(jié)構(gòu)之間呈傾斜接置，甚致于產(chǎn)生接點偏移的問題。此外，當(dāng)堆棧的高度需增加時，該焊錫球110的直徑需增加，導(dǎo)致該焊錫球110所占用的基板表面(第一表面Ila及第四表面12b)的面積增加，因而使基板表面上的布線與電子組件布設(shè)的空間受到壓縮。又，該焊錫球110的體積增加，容易產(chǎn)生橋接(bridge)現(xiàn)象，將影響產(chǎn)品的良率。另外，該第一封裝結(jié)構(gòu)Ia與第二封裝結(jié)構(gòu)Ib之間僅借由該焊錫球110作支撐，將因該第一封裝結(jié)構(gòu)Ia與第二封裝結(jié)構(gòu)Ib之間的空隙過多，導(dǎo)致該第一與第二基板11，12容易發(fā)生翅曲(warpage)。因此，如何克服現(xiàn)有技術(shù)中的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本專利技術(shù)的主要目的在于提供一種封裝堆棧裝置及其制法，以避免基板發(fā)生翹曲。本專利技術(shù)所提供的封裝堆棧裝置包括第一封裝結(jié)構(gòu)，其包含第一基板，其具有相對的第一表面及第二表面，且該第一基板的第一表面上具有第一金屬柱；及第一電子組件，其設(shè)于該第一基板的第一表面上，且電性連接該第一基板；第二封裝結(jié)構(gòu)，其包含第二基板，其具有相對的第三表面及第四表面，且該第二基板的第四表面上具有第二金屬柱，該第二金屬柱連接該第一金屬柱，使該第二封裝結(jié)構(gòu)疊設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)上，又該第二金屬柱的長度大于、等于或小于該第一金屬柱的長度；及第二電子組件，其設(shè)于該第二基板的第三表面上，且電性連接該第二基板；以及封裝膠體，其設(shè)于該第一基板的第一表面與第二基板的第四表面之間，并包覆該第一電子組件。本專利技術(shù)還提供一種封裝堆棧裝置的制法，其包括提供具有相對的第一表面及第二表面的第一基板，該第一基板的第一表面上具有第一金屬柱，且提供具有相對的第三表面及第四表面的第二基板，該第二基板的第四表面上具有第二金屬柱，又該第二金屬柱的長度大于、等于或小于該第一金屬柱的長度；于該第一基板的第一表面上設(shè)置第一電子組 件，且該第一電子組件電性連接該第一基板，以形成第一封裝結(jié)構(gòu)，又于該第二基板的第三表面上設(shè)置第二電子組件，且該第二電子組件電性連接該第二基板，以形成第二封裝結(jié)構(gòu)；將該第二金屬柱連接該第一金屬柱，使該第二封裝結(jié)構(gòu)疊設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)上；以及于該第一基板的第一表面與第二基板的第四表面之間形成封裝膠體，并包覆該第一電子組件。本專利技術(shù)又提供一種封裝堆棧裝置，其包括第一封裝結(jié)構(gòu)，其包含第一基板，其具有相對的第一表面及第二表面，且該第一基板的第一表面上具有第一金屬柱；及第一電子組件，其以覆晶方式設(shè)于該第一基板的第一表面上，且電性連接該第一基板；底膠，其形成于該第一電子組件與該第一基板的第一表面之間；第二封裝結(jié)構(gòu)，其包含第二基板，其具有相對的第三表面及第四表面，且該第二基板的第四表面上具有第二金屬柱，該第二金屬柱連接該第一金屬柱，使該第二封裝結(jié)構(gòu)疊設(shè)于該第一封裝結(jié)構(gòu)上，又該第二金屬柱的長度大于、等于或小于該第一金屬柱的長度；及第二電子組件，其設(shè)于該第二基板的第三表面上，且電性連接該第二基板；以及封裝膠體，其設(shè)于該第一基板的第一表面與第二基板的第四表面之間，并包覆該第一電子組件與底膠。依前述裝置，該第一基板上設(shè)有金屬凸塊，以接置該第一電子組件，且該金屬凸塊可為銅凸塊。又該金屬凸塊上設(shè)有焊錫材料，使該底膠還包覆該焊錫材料。前述的裝置及其制法中，該第一及第二金屬柱可為銅柱，且以電鍍形成的，而于其它實施例中，也可為其它材質(zhì)或成型方式，并不限于上述。前述的裝置及其制法中，該第一金屬柱的端面寬度可大于、等于或小于該第二金屬柱的端面寬度，并無特別限制。前述的裝置及其制法中，于該第一金屬柱上可形成焊錫材料，以利于結(jié)合該第二金屬柱。前述的裝置及其制法中，該第一基板的第二表面上可具有植球墊，以供結(jié)合焊球。前述的裝置及其制法中，可依需求，使該第一電子組件為主動組件及/或被動組件，并無特別限制。另外，該第一電子組件可以打線方式或覆晶方式電性連接該第一基板。由上可知，本專利技術(shù)封裝堆棧裝置及其制法，借由該第一與第二金屬柱的對接，以利于堆棧作業(yè)；且借由金屬柱電性連接兩封裝結(jié)構(gòu)，所以該金屬材不僅不會污染基板表面，且借由該金屬柱的尺寸變異易于控制，使其可克服堆棧結(jié)構(gòu)間傾斜接置及接點偏移的問題。此外，當(dāng)該金屬柱的高度任意調(diào)整時，并不會增加其直徑，所以相較于現(xiàn)有技術(shù)，本專利技術(shù)的金屬柱所占用的基板表面的面積不會增加，因此不會壓縮基板表面上的布線空間、及電子組件的布設(shè)空間。又，該金屬柱是以電鍍形成的，所以其高度增加時，并不會產(chǎn)生橋接現(xiàn)象，以提升廣品的良率。另外，兩封裝結(jié)構(gòu)之間不僅借由該金屬柱作支撐，且借由該封裝膠體填滿兩基板之間的空隙，所以可避免基板發(fā)生翹曲。以下結(jié)合附圖和具體實施例對本專利技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本專利技術(shù)的限定。附圖說明 圖I為現(xiàn)有封裝堆棧裝置的剖視示意圖；圖2A至圖2G為本專利技術(shù)封裝堆棧裝置的制法的第一實施例的剖視示意圖；其中，圖2G’及圖2G”為圖2G的其它實施例；圖3、圖3’及圖3”為本專利技術(shù)封裝堆棧裝置的第一實施例的其它實施例的剖視示意圖；圖4為本專利技術(shù)封裝堆棧裝置的第一實施例的其它實施例的剖視示意圖；以及圖5A至圖5C為本專利技術(shù)封裝堆棧裝置的制法的第二實施例的剖視示意圖。主要組件符號說明la, 2a 第一封裝結(jié)構(gòu)lb, 2b第二封裝結(jié)構(gòu)10，20，20’ 第一電子組件11，21第一基板I la, 21a 第一表面lib,21b 第二表面110焊錫球112,212 植球墊12，22 第二基本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
【技術(shù)特征摘要】
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡迪群，
申請(專利權(quán))人：欣興電子股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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