本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)提供一種各向異性導(dǎo)電構(gòu)件，所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件包含絕緣基材，所述絕緣基材具有貫通微孔和導(dǎo)電通路，所述導(dǎo)電通路通過(guò)用導(dǎo)電材料填充貫通微孔形成，彼此絕緣，并且在所述絕緣基材的厚度方向上貫通所述絕緣基材，所述導(dǎo)電通路的每一個(gè)的一端暴露在所述絕緣基材的一側(cè)上，所述導(dǎo)電通路的每一個(gè)的另一端暴露在所述絕緣基材的另一側(cè)上。該絕緣基材是由鋁基板獲得的陽(yáng)極氧化膜，并且所述鋁基板以至多100pcs/mm2的密度含有平均等價(jià)圓直徑至多2μm的金屬間化合物。該各向異性導(dǎo)電構(gòu)件顯著地增加了所設(shè)置的導(dǎo)電通路的密度，并且抑制了不具有導(dǎo)電通路的區(qū)域的形成，并且可以將其用作用于電子部件的電連接構(gòu)件或檢查連接器。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及各向異性導(dǎo)電構(gòu)件。
技術(shù)介紹
當(dāng)將各向異性導(dǎo)電構(gòu)件插入電子部件如半導(dǎo)體器件和電路板之間，然后僅使其受至IJ壓カ作用時(shí)，各向異性導(dǎo)電構(gòu)件能夠在電子部件和電路板之間提供電連接。因此，這種構(gòu)件被廣泛地用作例如半導(dǎo)體器件和其他電子部件中的電連接構(gòu)件，以及當(dāng)進(jìn)行功能檢查時(shí)作為檢查連接器。尤其是，由于用于半導(dǎo)體器件等的電連接構(gòu)件中出現(xiàn)的顯著程度的微型化，在傳統(tǒng)技術(shù)如包括互連基板的直接連接的引線(xiàn)結(jié)合法中進(jìn)ー步減小配線(xiàn)直徑變得困難。 這個(gè)情況在近年來(lái)引起了對(duì)于以下類(lèi)型的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件的關(guān)注其中導(dǎo)電元件陣列完全貫通絕緣材料膜的類(lèi)型，或者其中將金屬球排列在絕緣材料膜中的類(lèi)型。已經(jīng)使用用于半導(dǎo)體器件等的檢查連接器以避免在以下情況下發(fā)生的巨大經(jīng)濟(jì)損失當(dāng)在把電子部件如半導(dǎo)體器件安裝在電路板上之后進(jìn)行的功能檢查時(shí)，發(fā)現(xiàn)電子部件有缺陷，并將電路板與電子部件一起丟棄。S卩，通過(guò)在類(lèi)似于安裝和進(jìn)行功能檢查中使用的那些位置，使電子部件如半導(dǎo)體器件與電路板通過(guò)各向異性導(dǎo)電構(gòu)件進(jìn)行電接觸，可以在不將電子部件安裝在電路板上的情況下進(jìn)行功能檢查，從而能夠避免上述問(wèn)題。提出了 JP 2008-270158 A中描述的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件以解決以上問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
另ー方面，隨著在近年來(lái)對(duì)于電子器件的小型化和更高功能化的需求增加，已將電子部件和電路板以更高密度形成并將其制造的更薄。更具體地，現(xiàn)在使用線(xiàn)寬至多5μπι并且線(xiàn)間距至多5 μ m的微細(xì)電路。為了能夠適應(yīng)這樣的電子部件和電路板，產(chǎn)生以下需求將各向異性導(dǎo)電構(gòu)件中導(dǎo)電通路的外徑(厚度)做的更小，并且不帶有任何缺陷地以更窄的節(jié)距均勻地排列導(dǎo)電通路。在這種情況下，本專(zhuān)利技術(shù)的專(zhuān)利技術(shù)人對(duì)于JP 2008-270158 A中描述的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件進(jìn)行了研究，并且發(fā)現(xiàn)絕緣基材的一部分可能具有未形成導(dǎo)電通路的區(qū)域(缺陷區(qū))。如果即使在絕緣基材的一部分中形成了這種缺陷區(qū)，例如，當(dāng)將近來(lái)出現(xiàn)的具有微細(xì)互連的電路板與各向異性導(dǎo)電構(gòu)件接觸時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)在電路板上的互連與各向異性導(dǎo)電構(gòu)件的導(dǎo)電通路之間未形成接觸的區(qū)域，招致電阻率上的増加從而導(dǎo)致所謂的互連缺陷。從而，各向異性導(dǎo)電構(gòu)件在所希望的用途如電連接構(gòu)件和檢查連接器上的應(yīng)用受到限制。因此，本專(zhuān)利技術(shù)的目標(biāo)是提供這樣的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件其顯著地増加所設(shè)置的導(dǎo)電通路的密度，抑制不具有導(dǎo)電通路的區(qū)域的形成，并且即使在已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了更高程度的集成化的今天，也可以用作用于電子部件如半導(dǎo)體器件的電連接構(gòu)件或檢查連接器。為達(dá)成以上目標(biāo)，本專(zhuān)利技術(shù)的專(zhuān)利技術(shù)人已經(jīng)進(jìn)行了深入研究，并且作為結(jié)果發(fā)現(xiàn)可以通過(guò)使用以下各向異性導(dǎo)電構(gòu)件達(dá)成這個(gè)目標(biāo)，所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件由以預(yù)定密度含有預(yù)定尺寸的金屬間化合物的鋁基板制造。從而完成了本專(zhuān)利技術(shù)。具體地，本專(zhuān)利技術(shù)提供以下⑴至⑶。(I) ー種各向異性導(dǎo)電構(gòu)件，所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件包括絕緣基材，所述絕緣基材具有貫通微孔和多個(gè)導(dǎo)電通路，所述導(dǎo)電通路通過(guò)用導(dǎo)電材料填充所述貫通微孔形成， 彼此絕緣，并且在所述絕緣基材的厚度方向上貫通所述絕緣基材，所述導(dǎo)電通路的每ー個(gè)的一端暴露在所述絕緣基材的ー側(cè)上，所述導(dǎo)電通路的每ー個(gè)的另一端暴露在所述絕緣基材的另ー側(cè)上，其中所述絕緣基材是由鋁基板獲得的陽(yáng)極氧化膜，并且所述鋁基板以至多100pcs/mm2的密度含有平均等價(jià)圓直徑至多2μηι的金屬間化合物。(2)根據(jù)⑴所述的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件，其中所述導(dǎo)電通路以至少lX107pCS/mm2的密度形成。(3)根據(jù)⑴或⑵所述的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件，其中所述導(dǎo)電通路具有5至500nm的直徑。(4)根據(jù)⑴至(3)中的任一項(xiàng)所述的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件，其中所述絕緣基材具有I至1，000 μ m的厚度。(5)根據(jù)⑴至(4)中的任一項(xiàng)所述的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件，其中所述鋁基板具有至多O. I μ m的算術(shù)平均粗糙度Ra。(6) 一種各向異性導(dǎo)電構(gòu)件制造方法，所述方法用于制造根據(jù)⑴至(5)中的任一項(xiàng)所述的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件，所述方法至少包括陽(yáng)極氧化處理步驟，其中將鋁基板陽(yáng)極氧化；貫通處理步驟，其中在所述陽(yáng)極氧化處理步驟之后，使通過(guò)陽(yáng)極氧化形成的微孔貫通以獲得絕緣基材；以及填充步驟，其中在所述貫通處理步驟之后，將導(dǎo)電材料填充至所得到的絕緣基材中的貫通微孔中以獲得所述各向異性導(dǎo)電構(gòu)件。(7)根據(jù)(6)所述的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件制造方法，所述方法在所述填充步驟之后還包括表面平面化步驟，其中通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光將頂表面和背表面平面化。(8)根據(jù)(6)或(7)所述的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件制造方法，所述方法在所述填充步驟之后還包括修整步驟。本專(zhuān)利技術(shù)可以提供這樣的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件其顯著地増加所設(shè)置的導(dǎo)電通路的密度，抑制不具有導(dǎo)電通路的區(qū)域的形成，并且即使在已經(jīng)實(shí)現(xiàn)更高程度的集成化的今天，也可以用作用于電子部件如半導(dǎo)體器件的電連接構(gòu)件或檢查連接器。附圖說(shuō)明圖IA和IB是示出本專(zhuān)利技術(shù)的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件的優(yōu)選實(shí)施方案的簡(jiǎn)略圖。圖2A和2B是說(shuō)明用于計(jì)算微孔有序度的方法的圖。圖3A至3D是用于說(shuō)明本專(zhuān)利技術(shù)的制造方法中的陽(yáng)極氧化處理的示意性端視圖。圖4A至4D是用于說(shuō)明本專(zhuān)利技術(shù)的制造方法中的填充處理和其它處理的示意性端視圖。圖5是說(shuō)明如何計(jì)算貫通微孔的密度的圖。圖6A是說(shuō)明在實(shí)施例中用于測(cè)量各向異性導(dǎo)電構(gòu)件的電阻率的裝置的橫截面視圖，并且圖6B是各向異性導(dǎo)電構(gòu)件的俯視圖。具體實(shí)施例方式以下描述本專(zhuān)利技術(shù)的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件。在本專(zhuān)利技術(shù)的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件中，在由鋁基板獲得的絕緣基材中的貫通微孔中形成導(dǎo)電通路，所述鋁基板含有預(yù)定量的預(yù)定尺寸金屬間化合物。具有以上特征的鋁基板的使用使得絕緣基材中的貫通微孔具有更直的管狀外形同時(shí)抑制在貫通微孔中不形成導(dǎo)電通路的區(qū)域的出現(xiàn)。從而，所獲得的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件可以具有更少的無(wú)導(dǎo)電通路區(qū)域并且展現(xiàn)出低電阻率。 另ー方面，當(dāng)鋁基板中金屬間化合物的尺寸或密度在預(yù)定范圍之外，妨礙含有金屬間化合物的部分中貫通微孔的形成，或者即使形成了微孔在微孔中也不形成導(dǎo)電通路。接下來(lái)，參考圖IA和IB描述本專(zhuān)利技術(shù)的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件。圖IA和圖IB是示出了本專(zhuān)利技術(shù)的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件的優(yōu)選實(shí)施方案的簡(jiǎn)略圖；圖IA是前視圖并且圖IB是沿圖IA的線(xiàn)IB-IB所取的橫截面圖。本專(zhuān)利技術(shù)的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件I包括絕緣基材2和多個(gè)由導(dǎo)電材料制造的導(dǎo)電通路3。導(dǎo)電通路3以互相絕緣的狀態(tài)貫穿絕緣基材2，并且導(dǎo)電通路3的軸向長(zhǎng)度等于或大于絕緣基材2在厚度方向Z上的長(zhǎng)度(厚度)。按以下方式形成每個(gè)導(dǎo)電通路3 :—端在絕緣基材2的ー側(cè)暴露并且另一端在其另ー側(cè)暴露。然而，每個(gè)導(dǎo)電通路3優(yōu)選按以下方式形成如圖IB中所示，一端從絕緣基材2的表面2a突出并且另一端從絕緣基材2的表面2b突出。換言之，每個(gè)導(dǎo)電通路3的兩端優(yōu)選具有分別從絕緣基材的主表面2a和2b突出的突出部4a和4b。此外，每個(gè)導(dǎo)電通路3優(yōu)選按以下方式形成至少絕緣基材2內(nèi)的部分(在下文也稱(chēng)作“基材內(nèi)的導(dǎo)電部分5”)基本上平行于(在圖IB中平行干)絕緣基材2的厚度方向Z。更具體地，每個(gè)導(dǎo)電通路的中心線(xiàn)長(zhǎng)度與絕緣基材的厚度之比(長(zhǎng)度/厚度)優(yōu)選為I.O至I. 2并且更優(yōu)選I. O至I. 05。接下來(lái)，描述絕緣基材和導(dǎo)電通路的材料和尺寸及其形成方法。<絕緣基材>構(gòu)成本專(zhuān)利技術(shù)的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件的絕緣基材包含由鋁基板獲得的帶貫通微本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：山下廣祐，堀田吉?jiǎng)t，上杉彰男，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：富士膠片株式會(huì)社，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。